Двойниковые образования

Для синтетических алмазов, так же как и для природных, типичными являются двойниковые образования и сростки. По [c.391]

Среди алмазов, легированных бором, двойниковые образования встречаются сравнительно редко и представлены, как правило, 394 [c.394]

Другой возможный источник ошибок заключается в действии электронного пучка на объект. Изменение структуры пленки после электронной бомбардировки отмечено, например, для хлористого натрия [19]. Пленки германия, напыленные на коллодиевую подложку при комнатной температуре, являются аморфными [20, 21]. При нагревании их электронным пучком до 250—500° образуются кристаллы размером 100—200 A, которые в слоях толщиной 300—400 A и более при резком нагревании вследствие собирательной рекристаллизации превращаются в крупные кристаллы слоистого строения [21 ]. Дифракционные исследования показали, что слоистые кристаллы представляют собой двойниковые образования. [c.214]

При наложении на поликристаллическое тело внешнего напряжения дислокации перемещаются в объеме тела и задерживаются дислокационными скоплениями в приповерхностных слоях зерен. Когда при достижении некоторого критического напряжения поверхностные энергетические барьеры преодолеваются, возникают дислокационные лавины, т. е. одновременное перемещение большого числа дислокаций по одной или близким плоскостям скольжения. В результате этого и возникают деформационные трещины. Очень часто такие трещины образуются на границе двойниковых образований. [c.62]

На микрошлифах, в частности осадков меди, яаблвддаются двойниковые образования, что свидетельстаует о внутренних напряжениях в решетке (см. рис. 56, б). [c.108]

Хиби и Яда [90] провели электронно-микроскопические исследования несовершенств строения кристаллов дымов окисей магния и молибдена при помощи одноступенчатых реплик. В случае кристаллов окиси магния отчетливо наблюдались двойниковые образования с общей плоскостью (111), столбчатые, а также иногда пластинкообразные кристаллы. На кристаллах обоих дымов были обнаружены ступени роста. В ряде случаев были отмечены сложные формы, образовавшиеся в результате взаимного прорастания кристаллов. Обнаруженные различия в габитусе кристаллов для обоих дымов могут представлять интерес для выяснения проблемы роста кристаллов. [c.157]

При термическом разложении окиси углерода на железном катализаторе в интервале тедшератур от 400 до 700° образуется рыхлый сажеподобный продукт, состоящий из углерода и нескольких процентов исходного катализатора в виде карбидов или железа, причем последние равномерно распределены по объему продукта и находятся в высоко диспергированном состоянии. Радушкевич и Лукьянович [107] показали, что сажа,/ полученная при 500—600°, состоит из удлиненных червеобразных частиц, морфологически сложных и разнообразных. На фото 72 приведены некоторые из наблюдавшихся образований. Особенно обращают на себя внимание цепочкообразные частицы, которые, вероятно, являются двойниковыми образованиями. Согласно рентгеновским данным, эта сажа состоит из кристаллов графита размером порядка 100 A, так что здесь имеет место направленный рост поликристаллических образований, развивающихся в результате топохимической реакции. [c.233]

Морфология структурных образований, возникающих при кристаллизации из разбавленных растворов, описана в ряде работ [152, 167, 173]. Выделены монокристаллы пентапласта, имеющие ромбовидную форму, а также разветвленные двойниковые образования [152]. Размеры единичных кристаллов пентапласта достигают 5— 15 мкм [167—169, 171—173]. Ось полимерной цепи перпендикулярна широкой плоскости ламелей [171, 177]. Обнаружены также гедрит-ные структуры, представляющие промежуточную форму между монокристаллами и сферолитами [168]. Применяя закалку, наряду с ламеллярными единичными кристаллами, нашли также новые для пентапласта глобулярные образования [173]. Кристаллизация пентапласта в тонких слоях па поверхности кристалла Na l нриво-дат к эпитаксиальному, т. е. ориентированному росту кристаллов [c.38]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология