Дефекты равновесие в бинарных кристаллах

Равновесие дефектов в бинарных кристаллах [c.79]

Мы рассмотрели случай образования дефектов в подрешетке более летучего компонента бинарного кристалла. Вместе с тем многие окислы, сульфиды и другие бинарные фазы имеют комплектную подрешетку более летучего компонента и дефекты в другой подрешетке. Поэтому практически важным является случай равновесия кристалла АВ с компонентом В в газовой фазе. [c.167]

Рассмотрим в качестве примера бинарный кристалл МХ, находящийся в равновесии с газовой фазой, в которой при постоянной температуре изменяется парциальное давление неметалла. Будем полагать, что в кристалле доминируют дефекты по Шоттки, причем, как обычно, металлические вакансии являются акцепторами, а неметаллические — донорами. [c.80]

О роли некоторых кинетических факторов. Выше предполагалось, что при достаточно быстром охлаждении кристаллофосфора концентрации атомных дефектов остаются без изменения. Однако опыт показывает, что полное замораживание высокотемпературного равновесия, как правило, неосуществимо. Это объясняется сравнительно малой теплопроводностью фосфоров и большой скоростью диффузии ряда дефектов. Продолжительность охлаждения фосфоров мало зависит от температуры, тогда как скорость диффузии увеличивается с ростом ее экспоненциально. Особенно быстро происходит диффузия собственных дефектов, приводя прежде всего к аннигиляции междоузельных атомов с соответствующими вакансиями, а также к ассоциации вакансий и выходу их на дислокации, к снижению концентрации тепловых дефектов по Шоттки и к уменьшению отклонений от стехиометрического состава. Это проявляется, например, в том, что по достижении некоторой критической температуры Г рит дальнейшее повышение температуры прокаливания ряда бинарных соединений не изменяет определяемой по электропроводности растворимости в них избытка элементов, образующих эти соединения [90]. На самом деле, конечно, растворимость изменяется, однако измерения при комнатной температуре фиксируют одно и то же состояние, отвечающее Гкрит — температуре, при которой диффузия собственных дефектов замедляется настолько, что дальнейшее изменение концентрации их при охлаждении не происходит . Уменьшение отклонений от стехиометрического состава в процессе охлаждения приводит к расширению области давлений паров серы (цинка или кадмия), при которых образуются кристаллы ZnS и dS с низкой электропроводностью. Это еще один фактор, затрудняющий получение сульфидов с р-проводи-мостью. [c.206]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология