Термы влияние отталкивания электроно

Эти факторы довольно подробно обсуждались в предыдущей главе было установлено, что когда Д мало, существует тенденция к образованию конфигурации со свободными спинами. При этом, в соответствии с правилом Хунда (см. с. 231), электроны находятся на различных орбиталях и максимально отдалены друг от друга. В сильном поле электроны вынуждены спариваться и образовывать конфигурацию сильного поля (со спаренными спинами). Теперь подробно обсудим роль, которую играет межэлектронное отталкивание. Когда А мало по сравнению с энергетической щелью между термами, мы вновь имеем случай слабого поля. Можно считать, что расстояния по энергии между термами определяют энергетическую диаграмму, а поле, создаваемое окружающими лигандами, следует рассматривать как относительно малое возмущение. Влияние спин-орбитального взаимодействия будет еще меньще. [c.326]

Как октаэдрическая, так и тетраэдрическая симметрии относятся к одной и той же кубической группе симметрии. При понижении симметрии комплекса термы Гг и подвергаются дальнейшему расщеплению. Рассмотрим, например, случай тетрагонального расположения лигандов, образующегося за счет удлинения одной диагонали правильного октаэдра. В этом случае энергии двух е -состояний ( х=-г/> и с/гО уже не будут одинаковыми, так как в первом из них электрон испытывает более сильное отталкивание от лигандов, чем во втором. Легко видеть, что три состояния t2g также не остаются более полностью симметричными относительно лигандов два из них —и уг —одинаково меньше подвержены влиянию лигандов, чем третье — у-состояние. В тетрагональном комплексе поэтому /)-терм центрального иона расщепляется на четыре терма, из которых только один — — соответствующий состояниям йхг И йух, остается двукратно вырожденным (рис.IV. 4). При дальнейшем понижении симметрии и этот терм расщепляется. [c.72]

Легко видеть, что рассаживание -электронов ц. а. по раз- )ыхляющим t2g-, а затем е - орбиталям с последующим учетом взаимодействия электронов между собой в каждом из этих типов орбиталей отдельно вполне аналогично процедуре расчета по теории кристаллического поля в предельном случае сильного поля (раздел IV.3). В частности, для двух электронов возможны конфигурации (I2gf, ( 2g)(eg) И (е ) , расположенные на энергетическом расстоянии Д друг от друга. Расщепление этих конфигураций под влиянием межэлектронного взаимодействия приводят к электронным термам, взаимное расположение которых подобно таковому в теории кристаллического поля. Это расположение описывается формулами типа (IV.41), в которых, однако, константы Рака А, В, С имеют смысл параметров межэлектронного отталкивания на МО (а не АО) и уже не определяются формулами (11.33). [c.135]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология