Состояние соответствующее внешней плоскости

Коэффициент внешнего трения сыпучего материала о твердые поверхности. Коэффициент трения сыпучего материала по испытуемому материалу соответствует тангенсу угла, образуемого прямой с осью абсцисс в состоянии покоя материала. Под углом внешнего трения следует понимать угол наклона плоскости, [c.12]

Здесь величины с индексами — соответствующие стандартные потенциалы 2 и z — взятые со своими знаками заряды ионов О и R соответственно фм — внутренний потенциал электрода М, отнесенный к внутреннему потенциалу фз раствора за пределами диффузного двойного слоя для удобства потенциал ф8 принимается равным нулю фг — потенциал во внешней плоскости максимального приближения, отнесенный к потенциалу q>s. При написании выражений для Gii и Gin принималось, что стандартные потенциалы йд состояний I и II равны между собой, так же как и стандартные потенциалы состояний III и [c.167]

Первый метод применяется гораздо чаще, но при этом делается существенное предположение о тождественности состояния, предшествующего переносу заряда, с состоянием, соответствующим нахождению во внешней плоскости максимального приближения. Дополнительное осложнение появляется из-за того, что очень часто вводится индифферентный электролит, ибо в принципе для смешанных электролитов следует рассматривать несколько плоскостей максимального приближения (см. раздел 5 гл. Н1). [c.216]

Адриан и др. рассмотрели -тензор радикалов НСО, считая, что основным состоянием является А . В этом состоянии неспаренный электрон находится на орбитали 4а и в основном локализован на атоме углерода. Когда магнитное поле направлено перпендикулярно плоскости радикала вдоль оси х, люжно ожидать положительной величины отклонения A вследствие примеси возбужденных состояний, соответствующих возбуждению а-электронов. Указанные исследователи пришли к выводу, что, если внешнее поле направлено вдоль связи С — О (ось г), следует ожидать сильного взаимодействия между состоянием Л и состоянием Al, возникающим при возбуждении неспаренного электрона на уровень ug (л ). Это должно приводить к сравнительно большому уменьшению [c.154]

Размеры пульта, основных элементов управления и контроля, их расположение, внешнее оформление должны выполняться с учетом всего комплекса физиологических требований в соответствии с оптимальным углом обзора, при котором все элементы размещаются в оптимальных зонах поля зрения и воспринимаются оператором при неподвижном состоянии глаз. Угол обзора в горизонтальной плоскости не должен превышать 30—40°, вверх от линии взора — 40°, вниз от линии взора (вертикальная плоскость) — 30 [25]. [c.93]

Поэтому в спектре атома водорода в дополнение к исходным линиям при наличии магнитного поля должен появиться ряд новых линий, расположенных по обе стороны от основных. Это связано с тем, что m и т могут принимать как положительные, так и отрицательные значения. Более того, линии должны располагаться на равных расстояниях, пропорциональных напряженности магнитного поля Н. Эти факты были открыты Зееманом еще в 1896 г. Интересно, что величина разделения линий еЯ/4лгИеС не содержит постоянной Планка. Вот почему классическая электромагнитная теория света смогла объяснить эту величину. Лармор показал, что задачу можно решить, если использовать аналогию с движением вращающегося волчка при действии небольшой по величине внешней силы. Движущийся по орбите электрон ведет себя подобно волчку — исходная частота движения электрона по орбите остается почти неизменной, однако плоскость орбиты прецесси-рует. Лармор показал, что частота, отвечающая прецессионному движению, равна еН/ пт с. Однако классическая теорпя не была в состоянии объяснить число спектральных линий, возникающих в магнитном поле. Перед тем как перейти к другим темам, укажем еще на одно важное обстоятельство. Из уравнения (108) видно, что в общем случае может иметь 2/с2 + 1 различных значений, а wij может иметь 2/ -fl значений. Поэтому переходы между двумя состояниями, описываемыми с помощью чисел f j и / j, могут осуществиться 2k - -i) (2/q + l) способами. Одиако на опыте найдено значительно меньше линий, чем следовало ожидать пз уравнения (110). Это означает, что некоторые из возлюжных переходов фактически являются запрещенными. Дальнейшие опыты показали, что волновые числа, соответствующие наблюдающимся на опыте линиям, можно найти, если предположить, что возможны только такие переходы, при которых т изменяется на единицу или остается постоянным. Это дает нам первое эмпирическое правило отбора, а именно [c.122]

Важные результаты, необходимые для установления структуры мембран, могут быть получены для ориентированных мембран с помощью резонанса на ядрах дейтерия. Ориентация создается следующим образом. Мембрану помещают между двумя тонкими стеклянными пластинами, каждая из которых задает ориентацию прилежащего слоя, т.е. получается двойной слой. При проведении экспериментов необходимо прежде всего решить проблему улучшения отношения сигнал/шум. Здесь существует достаточно простой вариант решения для этого необходимо сложить несколько стеклянных пластинок с мембранами стопкой и получить спектр в таком образце. При наличии ориентации спектры мембран переходят из области резонанса, характерного для жидкости, когда вследствие изотропного движения большая часть взаимодействий полностью усредняется, в область резонанса, характерного для твердых тел. В ориентированных системах наблюдается расщепление резонансных линий А V, которое зависит от ориентации системы относительно внешнего магнитного поля и характеризуется константой квадрупольного взаимодействия, отличной от нуля для дейтерия, спин ядра которого равен единице. В жидкокристаллическом состоянии вращательная диффузия относительно оси, перпендикулярной поверхности мембраны, как правило, происходит с достаточно высокими скоростями, поэтому различия в спектрах, наблюдаемых для молекул, находящихся в этих плоскостях, усредняются до нуля. Величина квадрупольного расщепления А V зависит от угля между направлением связи - Н и нормалью к плоскости мембраны, а также от угла, который составляет эта нормаль по отношению к внешнему магнитному полю. Соответствующий параметр порядка определяется по следующей формуле [c.159]

Однако экситоны, часто описываемые в случае неорганических соединений, являются экситонами Мотта [103] возбужденный электрон и дырка одновременно не относятся только к одному центру, но находятся на расстоянии друг от друга, которое в среднем составляет величину от одного до нескольких параметров решетки. У молекулярных кристаллов уровни экситонов занимают широкую область энергетического спектра, которая в значительной степени расширяется колебаниями, особенно когда уровни находятся вблизи границы интенсивного поглощения. Этот вопрос будет рассматриваться в следующей книге этой серии. У антрацена наблюдалось размытие уровней экситонов приблизительно от 3 до 8 эб в зависимости от расположения плоскости поляризации света в направлении а или Ь [88]. В большинстве случаев поглощение, без сомнения, было обусловлено образованием экситонов, соответствующих возбужденным состояниям индивидуальных молекул, что доказывается сравнением коэффициентов экстинкции в спектрах молекул и кристаллов [88]. Тем не менее подобное описание с точки зрения теории экситонов Френкеля является, конечно, неполным, так как при энергии поглощенного света даже меньше 8 эв возникают и фотопроводимость и фотоэмиссия электронов, не говоря уже о фотохимической диссоциации. Даже если наблюдаемая фотопроводимость не вызвана освобождением носителей внутри чистого вещества, что кажется вполне возможным [15], то существует фотоэлектронная эмиссия, показывающая (раздел 11,4), что внешний фотоэлектрический эффект связан с ионизацией молекул внутри кристалла. Поглощение, вызывающее эмиссию, по-видимому, непрерывно и может обусловливаться образованием экситонов. [c.662]

Монтаж оросительного холодильника начинают с проверки комплектности, состояния всех деталей по внешнему осмотру, проверки фундамента по осям и высотным отметкам. Монтаж ведут в соответствии со сборочным чертежом общего вида секции холодильника и монтажным чертежом всего оросительного холодильника. На опорную плоскость фундамента устанавливают и закрепляют каркас. Монтаж секции Начинают обычно со сборки звеньев. Звенья устанавливают на каркаса снизу вверх грузоподъемным механизмом с помощью мягких захватов. При этом трубы изолируют от металлического каркаса резиновыми прокладками. Затяжку всех соединений производят равномерно, без перекосов угольников и фланцев. После окончания сборки звеньев секций оросительного холодильника, их подсоединяют к коллекторам для подвода и отвода охлаждаемого продукта и производят гидравлические испытания на плотность соединений под давлением, указанным в технических условиях. [c.75]

Этот метод можно непосредственно реализовать на сам. Четыре плоскости битов соответствуют четырем видам частиц, так что используются все четыре бита клетки. На шаге О ( движение ) каждая плоскость сдвигается на один шаг в соответствующем направлении, в то время как на шаге 1 ( столкновение ) проверяется содержимое четырех центральных битов и выполняются необходимые изменения. За счет использования пользовательской окрестности в САМ можно объединить два шага в один. Это значит, что некоторые сигналы между соседями и фазовые сигналы передаются таблицам внешним образом посредством пользовательского коммутатора, а не изнутри (см. разд. 7.5, 9.7). Один шаг сдвига включает выбор одного южного, северного, западного или восточного соседа с каждой плоскости и перемещение его в центральную позицию той же плоскости но если у нас уже есть эти четыре бита в качестве аргументов справочной таблицы, то мы могли бы также запрограммировать таблицу и для того, чтобы перед их перемещением перетасовать их так, как это предписано шагом столкновения. На рис. 16.4 изображено распространение круговой волны в этой более плотной реализации модели НРР. Этот вид схемы является скорее примером разбиения множества состояний каждой клетки (каждый бит состояния клетки используется в качестве соседа в точности одной другой клеткой), чем использования разбиения на блоки. [c.190]

В зависимости от нахождения реакционного слоя по отношению к поверхности электрода электродные химические реакции, в соответствии с классификацией Майрановского [3], могут быть объемными, объемно-поверхностными и поверхносгными. Под объемными электродными реакциями понимают процессы, кинетика которых не осложнена ни влиянием электрического поля, ни адсорбцией компонентов на электроде. Поверхностные же реакции проходят с участием хотя бы одного адсорбированного компонента, и эффект электрического поля здесь максимальный. Объемно-поверхностные реакции включают оба процесса — объемный и поверхностный. Если же объемный процесс проходит в предельно тонком реакционном слое (вблизи внешней плоскости Гельмгольца), то по влиянию ряда факторов (см. гл. 2) он практически не будет отличаться от поверхностного. Учитывая это, целесообразно различать две категории поверхностных реакций гетерогенно-поверхностные, т. е. реакции с участием хотя бы одного из адсорбированных компонентов, либо только адсорбированных частиц, в том числе реакции и с участием материала электрода [16] и гомогенно-поверхностные, т. е. реакции, протекающие в предельно тонком реакционном слое (вблизи внешней плоскости Гельмгольца), но без участия адсорбированных компонентов. Следует подчеркнуть, что приведенная классификация — объемные и гомогенно-поверхностные реакции — касается крайних состояний гомогенных реакций. Промежуточное состояние объемной реакции, протекающей в пределах диффузной части двойного электрического слоя, теоретически также проанализировано в работах [17—19], но экспериментально изучено недостаточно. [c.21]

Характер распределения ССЕ в твердых телах позволяет разделить их по степени симметрии на кристаллические п аморфные нефтяные дисперсные структуры. Твердые нефтяные тела, в которых расположение соединений имеет дальний порядок, соответствующий периодическому повторению определенной архитектуры в трех измерениях, называют кристаллическими, а расположение соединений в них — кристаллической структурой. Порядок, свойственный расположению соединений внутри твердого тела, часто приводит к симметрии его внешне] ) формы. Например, кристаллы графита имеют гексагональную форму, в базисных плоскостях атомы расположены в углах шестиугольников, на расстоянии 0,142 нм, т. е. на таком же расстоянии, как и в молекулах бензола. Прочность связей углерода в базисной плоскости кристалла графита примерно в шесть раз выше, чем в атомах углерода, расположенных на двух плоскостях, находящихся на расстоянии 0,3345 нм. Кристаллы графита имеют высокую симметрию. Аналогично другая форма кристалла углерода — алмаз — образует куб. В узлах кристаллическо 1 решетки алмаза а-связи каждого атома углерода направлены к четырем соседним атомам. Теплота сгорания алмаза несколько выше, чем графита. В связи с этим осуществляется переход при нагреве алмаза в графит в термодинамически более устойчивое состояние, в результате чего формируется новая симметрия. Симметрия также свойственна таким твердым нефтяным телам, как парафины. Известны нефтяные твердые тела с ближним порядком расположения соединений, они являются не кристаллами, а крайне вязкими жидкостями. К ним относятся, например, битумы, пеки, остаточные крекинг-остатки и др. [c.165]

Определенному фазовому состоянию на диаграммах воды и серы (см. рис. 8.1—8.2) отвечают свои геометрические образы однофазной системе — участок плоскости, двухфазной — линия, трехфазной — тройная точка. С другой стороны, для системы, состоящей из одной фазы, плавное изменение давления и температуры может привести лишь к плавному изменению плотности и других свойств этой фазы, что отражается в плавном перемещении фигуративной точки в пределах соответствующей области диаграммы. Скачкообразное изменение свойств не возникает и при движении фигуративной точки по какой-либо линии, соответствующей двухфазной системе. Иначе говоря, непрерывное изменение внешних условий действительно приводит к непрерывному изменению свойств системы. Лишь в том случае, когда в системе изменяется число фаз или одна фаза заменяется другой, некоторые из свойств (например, плотность) изменяются скачком. [c.153]

При рассмотрении геометрической схемы задачи, представленной на рис. 13.1.1, исходные формы возмущений задаются точно так же, как это делалось в гл. И для внешних течений, возникающих под действием архимедовой силы. Затем эти возмущения налагаются на любое интересующее нас основное течение с использованием при этом полных уравнений переноса. Далее для упрощения вычислений выбираются те или иные разумные приближения. Первый вопрос, который при этом возникает, заключается в следующем при каких значениях D, ji, ti — io и других параметров выбранные формы возмущений будут оставаться в состоянии безразличного равновесия При этом условия по разные стороны состояния безразличного равновесия будут по предположению соответствовать затуханию и усилению возмущений, в результате чего можно будет построить всю плоскость устойчивости. [c.204]

Вопрос о том, какой потенциал соответствует состоянию, предшествующему переносу заряда в том случае, когда имеет место специфическая адсорбция, не решен до сих пор. Эта проблема была проанализирована Брайтером, Клайнерманом и Делахеем [10], которые рассмотрели аргументы в пользу сравнения экспериментально найденных значений Ат] с изменениями потенциала внутренней (Аф1) и внешней (Дфг) плоскостей Гельмгольца. Значения ф, и фг известны для хлорида и иодида, и то лишь в первом приближении (раздел 4,6 гл. IV) дальнейшие исследования в этом направлении могли бы оказаться полезными. При восстановлении нитрометана в присутствии иодид-иона было найдено, что величина Ат) хорошо согласуется со значением Дф1, но не с Аф2. Адсорбция нитрометана при исследуе- [c.224]

Для ориентировочного представления об относительной энергии излучений различной длины волны в нижней части рис. 1-2 указаны соответствующие им волновые числа, частоты и энергия квантов в кгкал1моль и в эв, схематически представлено действие различных излучений на двухатомную молекулу (черные точки изображают электроны, а круги — атомы в молекуле) [17]. Поглощение в ближней инфракрасной области сдвигает атомы из их нормального положения и заставляет колебаться в различных плоскостях внутри молекулы, но не затрагивает непосредственно ее электронных орбит. Энергия фотонов видимой части спектра больше, чем инфракрасной, вследствие чего при их поглощении веществом смещаются внешние ( оптические ) электроны молекулы, и она переходит в возбужденное состояние. В энергетически более богатой ультрафиолетовой области поглощение квантов ведет к еще большему смещению электронов при этом во многих веществах возможен их отрыв и фотохимическое разложение поглощающей молекулы. [c.15]

Во время ремонта особое внимание необходимо обращать на посадку подшипников в постелях. Вкладыши шатунных и коренных подшипников изготовляют с увеличенным наружным диаметром. При плотном прижатии такого вкладыша к постели его торец будет возвышаться над торцом постели. При обжатии вкладыша крышкой создается натяг, который приблизительно соответствует прессовой посадке. При правильно собранном подшипнике потеря натяга (ослабление вкладышей) может произойти из-за деформаций гнезда подшипника, вкладышей или усадки металла последних. Это явление чаще всего наблюдается у тонкостенных вкладышей, особенно у шатунных подшипников. Состояние деталей собранного подшипника в отдельных случаях можно определить по внешним признакам и путем обстукивания и измерения. Например, потерю натяга можно определить визуально по смещению их стыков относительно линии разъема корпуса подшипника, а минимальное смещение вкладышей — путем обстукивания их по торцу. У разобранного подшипника потерю натяга можно определить по внешним признакам и путем измерений. Ослабленные вкладыши могут иметь мелкие острые заусенцы у кромок торцов разъема, гладкую (без следов механической обработки) поверхность торцов в плоскости разъема вкладышей, искаженную форму отверстия под штифт. Измерение натяга вкладышей осуществляют на специальном приспособлении или в собственных подшипниковых гнездах. В последнем случае получают наиболее точные данные. При измерениях необходимо определять су.ммар-ный натяг вкладышей, иначе полученные данные будут неверными. Величину натяга вкладышей и методику его проверки указывает завод-изготовитель. Следует помнить, что недостаточный или чрезмерный натяг вкладышей одинаково вредны. В первом случае ускоряется процесс усталостного разрушения баббитовой заливки, во втором неизбежна деформация вкладышей, которая помешает установить необходимый зазор на масло . Для ориен- [c.230]

Если указанная работа проводится в равновесных изотермических условиях, то величина а, входящая в это уравнение, назьь вается свободной поверхностной энергией или, что менее точно, поверхностной энергией. Как указывалось в главе II, все естественные или самопроизвольные процессы происходят с уменьшением свободной энергии, поэтому жидкость, не испытывающая действия внешних сил, в том числе силы тяжести, стремится принять форму, соответствующую минимальной поверхности, а вместе с тем —минимальной поверхностной энергии. Такой формой является шар. По этой причине небольшие капли жидкости, а также газовые пузырьки внутри жидкости принимают шарообразную форму. Стремление жидкости принять шарообразную форму показывает, что ее поверхность действует подобно упругой оболочке, отличаясь, однако, от последней, в частности, тем, что сопротивление поверхности жидкости деформации не зависит от величины последней. Поверхность жидкости находится как бы в состоянии натяжения. Отсюда возник термин поверхностное натяжение , которое равно силе, действующей в плоскости, касательной к поверхности в данной точке, перпендикулярно к какому-либо отрезку, проходящему через эту точку, в той же плоскости, в расчете на 1 м. Так как свободная поверхностная энергия выражается в дж/м , а поверхностное натяжение в н/м, то численно эти две величины равны и обозначаются одной и той же буквой а. [c.232]

Сначала проследим, как влияет присутствие адсорбированных ионов на работу выхода электронов. Для получения количественной оценки этого влияния рассмотрим грани вольфрама с индексами (100) и (ПО). На рис. 10 показано расположение иона цезия на атомах вольфрама с соблюдением соотношения размеров (вид сверху и в разрезе). Ион цезия показан в таком положении, при котором он касается наибольшего числа атомов вольфрама. Такое положение, почвидимому, соответствует самому низкому энергетическому состоянию этой системы. Примем в качестве пов1ерхностной плоскости для электронов воображаемую плоскость, касающуюся внешних атомов вольфрама. Эта плоскость в электростатической теории называется плоскостью электрического изображения, поскольку избыточные электроны, попавшие на металл, будут стремиться расположиться в этой плоскости. Одна из теорем электростатики гласит, что электрическое поле, создаваемое положительным ионом на поверхности металла, равно полю, которое было бы создано диполем, состоящим из положительного и отрицательного зарядов, отстоящих один от другого на расстояние 21, где I — расстояние между ядром и плоскостью электрического изображения. Эта теорема позволяет сравнительно легко рассчитать поле, образованное ионом или группой правильно расположенных ионов, а также вычислить изменение потенциальной энергии электрона при вы- [c.170]

Необходимо также отметить, что при Со Е в ходе отработки функциональных групп редоксита реализуется распределение концентрации окислителя по толщине отработанного слоя, соответствующее стационарному состоянию, т. е. диффузии между двумя плоскостями (линейное распределение). Физический смысл этого условия заключается в равенстве количества входящего с внешней стороны окислителя количеству окислителя, поступающего из отработанной области в аону реакции. [c.38]

С целью определения влияния характерных дефектов на предельное состояние аппаратов проведено ВНИИнефте-маш/ИФДМ гидроиспытание сепаратора С-102, Ь = 6 м, Ъ = = 2,4 м,Рр = 7,14 МПа, содержащего скопление несплошностей, расположенных в средней плоскости по толщине стенки [6]. Зона несплошностей была выявлена при ультразвуковой дефектоскопии, которая показала дискретный характер зоны, отсутствие признаков структурообразования. Зона имела внешние размеры, значительно превышающие допустимые в соответствии с нормами отбраковки, рекомендуемыми стандартами по УЗД (например, ГОСТ 22727-78, кл. 1-2). Для повышения жесткости испытаний они проводились с использованием циклических нагрузок при отрицательной температуре ( -5 °С). Программа испытаний разработана и реализована ВНИИнефтемашем и ИФДМ. Использовалась 5-канальная аппаратура специальной компоновки, включающая наряду со стандартными блоками серии АФ НПО Волна (датчики, предварительные и основные усилители) дополнительные блоки формирования узкополосных спектральных компонентов непрерывной АЭ (МИИТ), многоканальный статический анализатор импульсов АИ-1024, панорамный спектроанализатор С4-25, сигнал-процессор ONOSOKKI-920. Регистрация АЭ по четырем каналам осуществлялась по стандартной схеме в частотных диапазонах 200-500 и 500-2000 кГц. По одному каналу сигналы АЭ подвергались узкополосному усилению и последующему детектированию. Наблюдаемые при этом изменяющиеся во времени спектральные компоненты АЭ служили основной информацией для экспресс-анализа динамических процессов в аппарате и управления процессом его нагружения. [c.147]

Способность липидных и белковых компонентов мембран к обратимым переходам (в плоскости мембраны) из неупорядоченного состояния в гетерогенное, формированию и исчезновению кластеров имеет прямое отношение к передаче информации через мембрану. Согласно одной из гипотез (У. 5сЫ Гтап, 1982) мембрана, будучи в активном состоянии и в состоянии покоя, различается структурно. Гомогенное, или случайное, распределение мембранных компонентов соответствует так называемому базальному состоянию мембраны. Под действием лигандов, вызывающих латеральные перемещения (т. е. в плоскости мембраны), происходит кластеризация молекул. Это соответствует созданию упорядоченной мембранной структуры — организации по типу решетки . Предполагают, что формирование кластеров или короткоживущих микродоменов в мембране может обеспечивать быстрые функциональные ответы мембранных рецепторов. Описываемая модель удовлетворительно объясняет сложные ответы клетки на внешний сигнал, предполагающие кооперативные взаимодействия, например сигмоидальные и гиперболические зависимости ответа клетки от концентрации эффекторов. [c.17]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология