Серебро рекомбинация атомов

Необходимо сделать некоторые замечания относительно захвата дырок и электронов на первой стадии образования скрытого изображения. В химически несенсибилизированных кристаллах положительные дырки будут захватываться ионами брома, занимающими изломы на наружных и внутренних поверхностях кристалла. Ясно, что захват дырки с образованием атома брома на внутренней поверхности не может привести к фотохимическому эффекту, так как этот атом, в конце концов, рекомбинирует с электроном или с выделившимся атомом серебра. С другой стороны, захват положительных дырок ионами брома, занимающими изломы на наружной поверхности, может сопровождаться удалением брома в виде атомов или молекул с поверхности кристалла и образованием локализованного положительного заряда (вакантный узел на месте ушедшего брома). Захват электронов подвижными ионами серебра или ионами серебра, занимающими изломы на наружной поверхности, приводит к образованию атомов серебра, которые затем служат эффективными ловушками для дырок, как это ясно следует из опытных данных. Следовательно, захват электронов ионами серебра на наружной поверхности приведет к их рекомбинации с дырками, тогда как захват дырок ионами брома на внутренних [c.41]

Повышение эффективности образования проявляемого поверхностного и внутреннего скрытых изображений, при сенсибилизации восстановителями, пожалуй, и не удивительно. Происходящие при этом явления очень похожи на рассмотренные выше, за исключением того, что выделяющиеся атомы брома могут в этом случае реагировать с атомами серебра. Фотоэлектроны и ионы серебра могут далее соединяться на центрах, которыми являются поверхностные атомы серебра, или на границах субструктуры, куда они проникают путем диффузии. В последнем случае внутреннее скрытое изображение образуется в непосредственной близости от поверхности. Можно предложить другие механизмы процесса, но все они приводят к одному и тому же результату. Например, можно представить себе, что экситоны взаимодействуют с адсорбированными на поверхности атомами серебра, освобождая из них электроны. Возникающие при этом ионы серебра и электроны могут либо рекомбинировать на центрах, которыми являются другие атомы серебра, образуя более крупные агрегаты, либо продиффундиро-вать на границы субструктуры и рекомбинировать там. Атомы серебра могут захватывать положительные дырки, превращаясь в ионы серебра, которые далее соединяются с электронами. Наконец, электроны могут испускаться из адсорбированных атомов серебра при поглощении фотонов, с последующей рекомбинацией ионов серебра с электронами на центрах, которыми являются другие атомы серебра. Как было упомянуто выше, адсорбционный слой желатины препятствует диффузии ионов серебра по внешней поверхности кристаллов. В этих условиях во вторичных процессах на поверхности могут принимать участие дефекты ионной решетки, причем вакантный узел решетки притягивается к избыточному иону серебра, а соответствующий междуузельный ион серебра соединяется с электроном на центре, которым является атом серебра, находящийся на поверхности кристалла или на границах субструктуры. Для оценки относительной вероятности всех этих различных процессов требуется весьма кропотливая методическая и экспериментальная работа. Можно также предложить различные механизмы возникновения поверхностного скрытого изображения в кристаллах, сенсибилизированных сульфидом серебра. Атомы брома, получающиеся, как описано выше (стр. 425, 426), одно- [c.436]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология