Литография электронно-лучевая

Вакуумные технологии стали определяющими во всем цикле изготовления интегральных схем (ИС). Получение сверхчистых металлов и полупроводниковых материалов, выращивание ленточных монокристаллов, молекулярно-лучевая эпитаксия, получение тонких пленок полупроводниковых материалов и металлов, ионно-плазменное и плазмохимическое травление рабочих материалов, ионная имплантация, радиационная обработка, электронная и ионная литография и другие -далеко не полный перечень вакуумных процессов в технологии производства ИС. Из примерно 200 операций современной технологии изготовления сверхбольших интегральных схем (СБИС) 160 осуществляют в вакууме. [c.10]

Методы получения надмолекулярных поверхностных структур условно можно разделить на физические и химические . К физическим методам относятся методы, использующие то или иное физическое воздействие на поверхность и привитый слой. Сюда относятся разнообразные литографии , например воздействие на привитый слой светом (фотолитография), рентгеновскими лучами, пучком электронов (электронно-лучевая литография или электронопись) и др. Воздействие также может быть механическим, например, щупом атомно-силового микроскопа, при контакте с микроштампом и др. [c.251]

В методе электронно-лучевой литографии воздействие на привитый слоя осуществляется пучком сфокусированных электронов [303]. В качестве резистов наиболее часто используются монослои силанов на кремнии или органотиолов на золоте. В работе [304] исследовали взаимодействие аминофункциональных кремнийорганических монослоев с лучами электронов низкой и средней энергии (< 5 кэВ). Путем облучения через маску были получены точки размером 80 нм. Как было показано, с [c.253]

Годы, прошедшие с момента выхода предыдуш,его издания данной монографии (имеется перевод Практическая растровая электронная микроскопия.—М. Мир, 1978), ознаменовались бурным развитием принципов электронно- и ионно-зондовой аппаратуры и методов исследования. В первую очередь сюда следует отнести создание серийных растровых оже-электронных микроанализаторов, таких, как ЛАМР-10 (фирма ЛЕОЬ), установок электронно- и ионно-лучевой литографии, метрологических и технологических растровых электронных микроскопов и т. д. Существенно улучшились параметры приборов. Так, сейчас серийные растровые электронные микроскопы с обычным вольфрамовым термокатодом обладают гарантированным разрешением 50—60 А, модели высшего класса с наиболее высокими характеристиками имеют встроенную мини-ЭВМ, с помощью которой автоматически устанавливается оптимальный режим работы прибора, существенно облегчилось и стало более удобным обращение с прибором. В ряде случаев вместо обычных паромасляных диффузионных насосов для откачки используются турбомолекулярные и ионные насосы, создающие чистый вакуум вблизи образца, за счет чего снижается скорость роста пленки углеводородных загрязнений на объекте. [c.5]

При изучении взаимной зависимости характеристик электрон ного луча и свойств резиста оказалось, что воспроизводимость профиля зависит от ошибок положения луча, его расфокусировки наклона луча, уровня шумов [52]. С целью увеличения произво дительности сканирующей ЭЛУ иссле,дованы возможности много лучевого сканирования в варианте с параллельной фокусировкой но с индивидуальным бланкированием лучей [39]. Некоторые практические аспекты электронной литографии отражены в [53] [c.39]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология