Скорость роста пленки

Скорость роста пленки можно представить следующим уравнением [c.53]

Скорость роста пленки никеля составляет примерно 0,1 мкм/мин при 53+Г С, pH 5—6 и при объеме ванны из расчета не более 1 дм поверхности на 1 л ванны [16]. [c.97]

Принимая, что скорость роста пленки пропорциональна силе тока / [c.61]

Кинетика и механизм термического окисления. Общий характер процесса термического оксидирования кремния может быть представлен кинетической кривой d = /(т) при Т = onst, где d — толщина пленки оксида т —время (рис. 63). Условно кривая может быть разбита на четыре участка, для которых явный вид функции d = /(т) различен. Участок I, соответствующий начальному периоду окисления, описывается линейной функцией d = kx. Скорость роста пленки на этом этапе постоянна и определяется стадией поверхностной реакции. В реальных условиях обычно эту стадию не наблюдают, поскольку поверхность кремния уже покрыта тонким плотным слоем оксида (см. рис.62,а). По мере роста пленки все большую роль начинает играть диффузия окислителя к границе раздела Si—SiOg. Поэтому на участке И линейная зависимость к = kx сменяется линейно-параболической [c.112]

Если Уок/Уме<1, то образующаяся пленка не может быть сплошной и защищать металл от коррозии. Скорость роста пленки во времени у таких металлов остается постоянной. Толщина пленки пропорциональна времени окисления [c.209]

Производя также вычисления для ряда значений с и находя / / т для чистых компонентов уИе и Ж/, строим ряд кривых, дающих скорость роста пленки окисла в зависимости от ее толщины при разных концентрациях с. [c.95]

НИХ не образуются защитные пленкн, скорость роста пленки иу-Л,ет оставаться постоянной (см. рнс. 101) при этолг толщина пленки будет пропорциональна н р с м с и и окисления [c.137]

При параболической зависимости скорость роста пленки определяется диффузией ионов или миграцией электронов через слой окалины и, следовательно, обратно пропорциональна толщине этого слоя [c.193]

Уравнение (13.6) выведено в предположении полного использования тока. Реально же выход по току не превышает I—2%. Обычно оптимальные плотности тока при анодном окислении кремния составляют 3—15 мА/см . Достигаемые при этом скорости роста пленки [c.117]

Кристаллизация из пара через слой жидкости. Исследования кинетики роста НК и пленок с одновременным использованием газовой и жидкой фаз немногочисленны. Все они в основном сводятся к выявлению лимитирующих стадий процесса, к экспериментальному определению зависимости вида V (ЬТ). Так, например, при осаждении германия через слой расплавленного раствора германия в олове оказалось, что лимитирующей стадией являются процессы на границе расплав—кристалл и что скорость роста пленки пропорциональна 8Ту. Следовательно, вероятнее всего здесь реализуется дислокационный механизм. [c.485]

Рост пористой пленки происходит по следующим взаимосвязанным стадиям перенос окислителя к поверхности металла, его адсорбция и химическая реакция образования оксида. Для таких пористых (незащищенных) пленок характерен линейный закон роста, поскольку скорость роста пленки контролируется скоростью реакции окисления металла и выражается зависимостью к кхх, где /г — толщина пленки — константа химической реакции т — время. Процесс роста сплошной (защитной) оксидной пленки состоит из нескольких стадий [c.14]

Скорость роста пленки меди составляет, например, 0,1 мкм/мин при 36+3° С, pH 12,4 [16]. [c.97]

Преимуш,еством такого распыления с независимым разрядом является высокая энергия распыленных атомов и большая скорость роста пленки. К недостаткам метода относятся [c.147]

Существует несколько вариантов зависимости скорости роста пленки во времени. [c.45]

К простейшим случаям такого рода применима весьма элементарная теория. Обозначим толщ ину пленки через 6. Скорость диффузии через пленку обратно пропорциональна ее толщ пне, а скорость роста пленки пропорциональна количеству проникающего сквозь нее газа. [c.106]

Окисные пленки иногда придают поверхности дополнительную шероховатость. Если на поверхности металлов с одинаковой ориентацией кристаллов окисная пленка имеет равномерную толщину, на поверхности металлов, не обладающих одинаковой ориентацией, возникает пленка неравномерной толщины, так как скорость роста пленки зависит от ориентации кристаллов окисляющего металла (рис. 111.17). Кроме того, окисный слой часто оказывается пористым. Металлы главных подгрупп I и II [c.104]

Из уравнения (13) следует, что электропроводность окисла играет решающую роль и в значительной степени определяет скорость роста пленок в условиях окисления. Значения удельной электропроводности некоторых окислов представлены в табл. 3 [17]. [c.26]

Изучение влияния напряжения на рост пленки показало, что с увеличением напряжения скорость роста пленки увеличивается. [c.169]

Увеличение клеммового напряжения приводит к увеличению скорости роста пленки. Наиболее значительное увеличение толщины пленки отмечается при напряжениях выше 70 в. Процесс анодирования ведется практически при постоянном клеммовом напряжении. Напряжение поднимается от нуля до заданного за первые 3—7 мин. и затем изменяется незначительно. Сила тока в процессе анодирования по мере роста пленки непрерывно падает. [c.179]

Если представить перенос ионов и электронов через оксидную пленку как процесс прохождения тока через элемент, ЭДС которого создается за счет реакции окисления металла,, а злектролитом и внешней цепью является оксид, то скорость роста пленки [c.398]

Скорость роста пленки изменяется с изменением кристаллической ориентации зерен железа. В случае пленок небольшой толщины интерференционные цвета строго разграничивают дей-120 [c.120]

Рис. 2. Кривые скорости роста пленки Р — кислород, 325 С 4--водяной пар, 325° С

Чтобы получить данные о действии водорода на скорость роста пленки, были проведены опыты небольшой продолжитель- [c.194]

Под действием тлеющего разряда [разрежение в вакуум-камере 1,333—666,6 н м (Ю" —5 м.ч рт. ст.), напряжение переменного тока 500—700 в] полимери-зуются стирол, акриловые соединения и др. с образованием покрытий толщиной 0,01—10 мкм. Преимущества )того способа перед электронным облучением — более простое оборудование, большая скорость роста пленки ( 1 мкм/мин). Кроме того, способ не требует радиационной защиты. [c.9]

Наряду с описанным выше методом определения коррозии по изменению массы исключительно ценные сведения о свойствах образующихся на металле в процессе высокотемпературной коррозии защитных пленок можно получить, применяя электронографические и электрохимические методы их исследования. К ним относится определение электрического сопротивления и емкости, скорости роста пленки при электрохимической поляризации, а также химический и рентгеноструктурный анализ самих пленок. [c.344]

Если скорость роста пленки контролируется как скоростью самой химической реакции окисления, так и скоростью встречной двусторонней диффузии через пленку металла и кислорода, то этот процесс может быть выражен общим уравнением 2-й степени Эванса [c.34]

В общем случае вакансии и междоузельные атомы всех типов участвуют в реакции на поверхности. Тем не менее учет этого факта точно так же приводит к параболической зависимости от времени с соответствующим изменением в уравнении (9.8) других множителей. Часто, однако, достаточно рассмотреть лишь один тип дефектов так, например, в реакции окисления меди до Си О необходимо учитывать только катионные вакансии. Они возникают на внешней поверхности пленки и разряжаются на поверхности раздела окисел—медь концентрации [У си1 и [Л+] повсюду приблизительно равны и уменьшаются по линейному закону в направлении от внешней поверхности к поверхности раздела. Приведенный выше вывод уравнения скорости роста пленки непосредственно применим к этой системе. Можно ожидать. [c.166]

При изучении роста очень тонких пленок необходимо принимать во внимание возможность ограничения скорости роста процессами переноса по поверхности пленки, а не переносом через пленку. Процессы переноса по поверхности в свою очередь зависят от распределения потенциала в пленке вблизи поверхности. Известным примером такого рода эффектов служит окисление алюминия, когда после образования нескольких первых слоев скорость падает до очень низкого значения. То же наблюдается и при окислении некоторых других металлов. Скорость окисления алюминия определяется стадией перехода алюминия в виде ионов через границу раздела металл—окисел в междоузлия решетки окисла. Согласно теории, при переходе иона металла с поверхности металла в междоузлие окисла, связанного с металлом, ион металла должен преодолеть потенциальный барьер. Этот барьер намного больше того, который приходится преодолевать иону при переходе из одного междоузлия в другое, так что скорость диффузии в самом окисле не определяет скорости окисления в целом. Вероятность того, что такой переход произойдет, определяется выражением где V — частота колебаний атома, Е — высота барьера. Скорость переходов повышается под действием электрического поля, возникающего в результате адсорбции на внешней поверхности ионов кислорода (отрицательно заряженных), поскольку они притягивают ионы А1 через слой окисла. Скорость роста пленки дается выражением [c.168]

Механизм реакции можно представить следующим образом. Ионы железа диффундируют через вакансии в решетке магнетита к границе фаз окисел — вода, как было показано в опытах с мечеными атомами [329 II]. Процесс диффузии определяет кинетику процесса. Ионы железа реагируют с гидроксильными ионами, да вая Ре (ОН) 2, который превращается в РезОд (рис. 1.109). Реакция железа с водой в диапазоне температур между 316 и 320° С не следует параболическому закону, она лучше описывается куби-ческим законом [329]. По истечении длительного времени скорость роста пленки делается постоянной. Это объясняется тем, что по достижении пленкой некоторой критической толщины внешний ее слой становится пористым, а внутренний сохраняет постоянную толщину, как было найдено в системе железо — водо- [c.115]

В настоящее время существует ряд методов получения углеродных и алмазоподобных пленок. Одним из наиболее эффективных является плазменнодуговой химический метод осаждения пленок из газовой фазы в вакууме при пониженном давлении (P VD-метод). Для создания условий реализации высокой скорости роста пленок в данном методе генерируется сверхзвуковая плазменная струя аргона (гелия), в которую вводятся различные смеси газов с углеродосодержащими реагентами (СН4, С2Н2 и т.д.). [c.82]

III) начинают действовать диффузионные ограничения, толщина окисла достигает предельного значения и дальнейший рост потенциала также прекращается. С формально-кинетической точки зрения скорость роста пленки dxldi, пропорциональная при условии i onst скорости роста напряжения dUldi, описывается выражением (если принять поле внутри оксида постоянным) [c.117]

Стационарная спираль приобретает приближенно форму архимедовой спирали в полярных координатах такая спираль описывается формулой г = 2р,ф. Таким образом с каждым витком ступень перемещается на Уц = 4лрс, затрачивая на это время 4IlpJv = 2п/(й, где (О — угловая скорость вращения спирали.. Тогда нормальная скорость роста пленки выразится в виде [c.481]

Для расчета изменения радиуса пор во времени рассмотрена модель пористого образца, находящегося в потоке метана.. Исходя из опытных данных о пропорциональности скорости роста пленки пироуглерода давлению метана и, следовательно, о первом порядке реакции по метану, находят изменение концентрации газа вдоль поры из уравнения диффузии с учетом проходящей химической реакции. Уравнение длн этого случая имеет вид тгл О (d ddx ) = k 2w, где г - радиус поры с - кон-, центрация метана в газовой фазе, моль/см D- коэффициент диффузии, см /с к — константа скорости реакции из опытных данных, см/с. [c.186]

Годы, прошедшие с момента выхода предыдуш,его издания данной монографии (имеется перевод Практическая растровая электронная микроскопия.—М. Мир, 1978), ознаменовались бурным развитием принципов электронно- и ионно-зондовой аппаратуры и методов исследования. В первую очередь сюда следует отнести создание серийных растровых оже-электронных микроанализаторов, таких, как ЛАМР-10 (фирма ЛЕОЬ), установок электронно- и ионно-лучевой литографии, метрологических и технологических растровых электронных микроскопов и т. д. Существенно улучшились параметры приборов. Так, сейчас серийные растровые электронные микроскопы с обычным вольфрамовым термокатодом обладают гарантированным разрешением 50—60 А, модели высшего класса с наиболее высокими характеристиками имеют встроенную мини-ЭВМ, с помощью которой автоматически устанавливается оптимальный режим работы прибора, существенно облегчилось и стало более удобным обращение с прибором. В ряде случаев вместо обычных паромасляных диффузионных насосов для откачки используются турбомолекулярные и ионные насосы, создающие чистый вакуум вблизи образца, за счет чего снижается скорость роста пленки углеводородных загрязнений на объекте. [c.5]

При электроизоляционном окислении алюминия в 15%-ной H2SO4 при 2ГС и l a = 1,3 А/дм скорость роста пленки составляет 22 мкм/ч, а скорость растворения оксида равна 3 мкм/ч. В табл. 42 приведена зависимость пористости окисных покрытий от состава электролита и напряжения. [c.214]

Следует отметить, что влшние температуры на скорость роста пленки окисла неоднозначно - е одной стороны, повмпеше температуры ведет к ускорению активирования кислорода, о другой - к замедлению реакции из-за снижения уровня свободной энергии в системе. Известно, что самопроизвольно протекают лишь те предесеы, в результате которых происходит уменьшение энергии Гиббса (снижение изобарно-изотермического потенциала), т.е. когда Для гетерофазной реакюш окисление [c.20]

Во многих других работах обнаружено, что в окисных слоях часто возникают значительные напряжения как при сжатии, так и при растйжении. Если эти напряжения достаточно велики, чтобы вызвать разрушение, то при этом снижается защитная способность окисных пленок по отношению к металлу. В то ке разрушения остаточная толщина окисла будет значительно меньше средней и скорость роста пленок станет более высокой. Если разрушение распространяется и имеет периодический характер, то кинетика окисления [c.28]

Следовательно, в результате 1иоследова Ний автору удалось установить, что водород, образующийся при катодной поляризации, проходя через окисные пленки на сплавах циркония или проникая в металл, может вызвать растрескивание этих пленок и ухудшить их защитные свойства. Защитные элементы циркалоя 2 стабилизируют (Окисел от вредного действия водорода, препятствуя его проникновению в окись и в металл. При коррозии циркония, полученного по методу Кролля, в водяном паре водород не только способствует растрескиванию окисла, но также увеличивает скорость роста пленок, по крайней мере, в начальный период реакции. [c.197]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология