Транзистор биполярный

Рис. 2. Схема отдельного биполярного р—п—р -транзистора.

Существуют три основных вида полевых транзисторов, различающихся способом управления проводимостью канала. В транзисторах с управляемым р- -переходом (рис. 1.5, а) на слаболегированной полупроводниковой монокристаллической подложке исток, канал и сток образованы областью проводимости -типа. В средней части этой области между истоком и стоком создается область с противоположным типом проводимости и высокой концентрацией примеси (р -область). Под образовавшимся / - -переходом находится канал -типа. Для функционирования транзистора к затвору относительно истока прикладывается управляющее напряжение (рис. 1.4, в), смещающее р - -переход в обратном направлении (при канале -типа СЛ < 0). Напряжение сток-исток [/с, создающее ток через канал, должно обеспечивать обратное смещение всего р - -перехода ([/ > О для -канала). При этом обедненный носителями тока и выполняющий роль изоляционного слоя р" - -переход располагается в основном в области канала, поскольку толщина перехода с каждой стороны от границы раздела р - и -областей обратно пропорциональна концентрации в них примесей. В то же время толщина перехода, а значит, и проводимость канала, и ток через него зависят от величины С/,. Так происходит эффективное управление током стока с, протекающего через канал, с помощью малых изменений напряжения на затворе. Поскольку / - -переход остается закрытым, входное сопротивление между затвором и истоком полевого транзистора в отличие от биполярного, оказывается весьма большим (10 ... 10 Ом). [c.30]

Полевые транзисторы (как и биполярные) находят применение в различных аналоговых и цифровых схемах - как с дискретными элементами, так и в интегральных. В последних наиболее широко применяются МДП-транзисторы с индуцированным каналом. Высокое входное сопротивление таких транзисторов является ценным качеством при создании электронных средств для потенциометрических измерений. На основе МДП-транзисторов созданы рН-метрические, ионоселективные и биосенсоры, используемые в биологии и медицине, а также для контроля за содержанием загрязнителей в объектах окружающей среды. В таких сенсорах затвор транзистора выполняет роль индикаторного электрода. [c.34]

Транзисторы биполярные. Система параметров. — Взамен [c.283]

Кроме биполярных транзисторов существуют и находят применение полевые (униполярные) транзисторы (рис. 1.5, в). В таких транзисторах управляемый ток через канал между стоком (с) и истоком (и) создается носителями заряда только одного типа (электронами или дырками), а управление током осуществляется электрическим полем, создаваемым управляющим напряжением между затвором (з) и истоком (п - подложка). [c.30]

Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Методы измерения скорости нарастания обратного напряжения Транзисторы биполярные генераторные. Устойчивость работы на рассогласованную нагрузку. Требования и методы испытаний [c.310]

Базовый монокристаллический полупроводник (Ое, 81 или ОаАз) с определенным типом проводимости, в котором тем или иным способом (сплавлением, диффузией, ионным легированием и др.) образована область с другим типом проводимости, вместе с двумя внешними контактами образует полупроводниковый диод с вольт-амперной характеристикой типа (1.37). Соответственно кристалл с двумя /7-и-переходами и тремя внешними выводами (эмиттер, база, коллектор) образует биполярный транзистор. [c.28]

На рис. 1.4, б показано семейство статических выходных характеристик биполярного -р-и-транзистора в схеме с общим эмиттером (рис. 1.4, а), представляющее собой зависимости тока /к коллектора от напряжения С/ на нем при отличающихся на одинаковую величину значениях входного (управляющего) тока базы /б. Верхняя кривая соответствует максимальному /б, а нижняя - нулевому значению. На семейство кривых наложена нагрузочная прямая, соответствующая зависимости = (Е - и )1Кн между выходным током к и напряжением 11 при заданных значениях сопротивления нагрузки и напряжения питания Е. Нагрузочная прямая представляет собой геометрическое место точек, определяющих и и, при изменениях управляющего (входного) сигнала нагруженного транзистора (Л 0). В средней части нагрузочной прямой на участке между точками В и С одинаковым изменениям управляющего тока Д/б соответствуют одинаковые, но несравненно большие изменения выходного тока Д/. Следовательно, закон изменения Д/к(0 на этом участке в увеличенном виде будет повторять закон изменения входного тока А/б(0- Происходящее одновременно с этим изменение выходного напряжения Д 7к(0 = при дос- [c.29]

Таким образом, при включении биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером в усилительном (линейном) режиме в пределах участка ВС происходит многократное усиление сигнала по току и напряжению с соответствующими коэффициентами уси- [c.29]

Выходные характеристики полевых транзисторов разных видов имеют однотипный характер (рис. 1.4, г). Как и в биполярных транзисторах при включении нагрузки в цепь полевого транзистора (рис. 1.4, в) нагрузочная прямая, описываемая зависимостью /с = ( - и наложенная на семейство выходных характери- [c.33]

Арсенид галлия. В настоящее время лидером среди полупроводниковых соединений по праву считается арсенид (мышьяковистый) галлия. Его универсальные по сравнению с германием и кремнием электрофизические свойства — большая ширина запрещенной зоны, малая эффективная масса и большая подвижность электронов и т. д.— определяют специфические области применения арсенида галлия. Он перспективен для изготовления туннельных и излучательных диодов, СВЧ-диодов и диодов Ганна, биполярных и полевых транзисторов, импульсных и переключающих приборов, варакторов и инжек-ционных лазеров и т. п. Интегральные схемы на основе арсенида галлия только начинают разрабатываться, но уже можно предположить, [c.137]

При достаточно больших значениях входного (разностного) сигнала /д режим работы дифференциального каскада становится нелинейным. Нелинейную зависимость токов коллектора от [/д можно установить с учетом равенства (1.38) и известных для биполярных транзисторов соотношений [c.36]

Для обеспечения больших входных сопротивлений первый дифференциальный каскад часто вьшолняется по схеме с общим коллектором на биполярных транзисторах или же в нем используются полевые транзисторы. [c.37]

РиС- 2. Схема отдельного биполярного р п—р -транзистора [c.10]

Эпитаксиальные пленки кремния перспективны в микроэлектронике их применяют при изготовлении герметизированных сопротивлений, тонкопленочных конденсаторов, биполярных и униполярных транзисторов, интегральных схем бытового и специального назначения. [c.212]

Этот прибор работает на совершенно иной основе, чем биполярный транзистор, рассмотренный выше. Обсудим схему на рис. 27-6. Полоска кремния я-типа, называемая каналом, соединена с двух сторон с истоком 5 и стоком О. Канал находится между слоями р-материала (соединенными вместе), называемого затвором О. В некоторых моделях затвор полностью окружает канал. Существуют ПТ с каналами п- и р-типа. [c.557]

Решение проблемы очистки ОаАз позволит улучшить параметры и их воспроизводимость для таких важных приборов, как диоды Ганна, лазеры, светодиоды, и эффективно использовать этот материал для создания детекторов заряженных частиц, биполярных и полевых транзисторов и солнечных батарей. Замена кремния в солнечных батареях на арсенид галлия позволила бы при условии получения максимально чистых пленок повысить к. н. д. преобразования солнечной энергии до 20—28% [7] (для лучших солнечных элементов из кремния к. п. д. — около 15%). В настоящее время для элементов из ОаАз к. п. д. не превышает 13—14% (нри комнатной температуре). [c.157]

Наличие изолированного затвора обусловливает еще одно важное преимущество полевого триода по сравнению с обычными биполярными транзисторами — его большое входное сопротивление (порядка 10 ом). [c.167]

В инфранизкочастотной технике принято оценивать шум по максимальному размаху шумовой дорожки на самописце. Этот параметр называют еще шумом от пика до пика (П — П). Обычно связь между и i/m(n-n) выражается соотношением С/ш(п-и)—(5-4-6) /ш-Необходимо отметить, что биполярные транзисторы, обладая большими токовыми шумами по сравнению с полевыми, одновременно имеют большие входные токи, меньшие входные сопротивления и меньшие уровни шумовых генераторов напряжения вт- Отсюда вытекает, что усилители с большими шумовыми токами дают меньший шумовой вклад в усиливаемый сигнал от низкоомных источников. На самом деле, шумовой источник тока (рис. 5.21) выделит напряжение на выходном сопротивлении ЭКП 5 МОм для биполярного транзистора в полосе 1 Гц, равное 6 пА-5 М0м=30 мкВ, а на 100 Ом всего лишь 0,6 нВ. Для полевых транзисторов в случае 5 МОм получим вклад шумового тока всего лишь 5 МОм-0,3 пА=1,5 мкВ. [c.232]

В работе Ц50] показана возможность применения пленок двуокиси кремния, осаждаемых из растворов, для создания пленарных биполярных приборов, МОП-транзисторов и конденсаторов. Пленкообразующий раствор готовили смешением тетраэтоксисилана, воды и спирта при рН среды 3—4. На кремниевую пластину марки КЭФ-0,5 раствор наносили с помощью центрифуги со скоростью вращения около 1000 об/мин в течение 30—35 сек. Толщина слоя пленки могла изменяться в диапазоне 0,08—0,4 мкм регули- [c.449]

ТКИ — биполярный транзистор с изолированным затвором [c.142]

Пример изготовления биполярного и-р-и-траизистора методами П. т. представлен на рисунке. На подложке из монокристаллич. 81 окислением получают маскирующий слой 8102. В этом слое с помощью фотолитографии формируют окна ддя введения акцепторной примеси (В), в результате чего образуется базовая область транзистора (р-51). Затем пластину снова окисляют и во вновь образованной пленке 8Ю2 повторной фотолитографией создают окна для формирования путем введения донорной примеси ( ) эмиттерной области и контакта к коллекторной области (п -8 ). В результате цикла окисление-фотолитография вскрываются контактные окна к областям эмиттера и коллектора. На подготовленную таким образом пластину наносят (напылением вакуумным, пиролизом летучих металлоорг. соед. и др. способами) слой металла (чаще всего А1), из к-рого посредством фотолитографии формируют контактные площадки для присоединения металлич. выводов к соответствующим областям транзистора. [c.556]

Все сказанное о линейном (усилительном) и импульсном (ключевом) режимах работы биполярных транзисторов относится и к полевым транзисторам, за исключением того, что управление выходным током полевого транзистора осуществляется не входным током, а входным напряжением ввиду весьма большого входного сопротивления. Это обстоятельство (Сказывается весьма важным при последовательном включении транзисторных схем, когда выход предыдущей транзисторной цепи подключается к входу следующей. При использовании полевых транзисторов легко обеспечивается условие, при котором входное сопротивление следующего транзисторного каскада оказывается больше выходного сопротивления предыдущего каскада. Данное условие устраняет нежелательное обратное влияние последующего каскада на предыдущий. Заметим, что на высоких частотах входное сопротивление полевых транзисторов уменьшается из-за неравной нулю емкости Сз , проводимость которой шСзи растет с увеличением частоты. По этой причине на частотах в сотни МГц входные сопротивления полевого и биполярного транзисторов становятся соизмеримыми. [c.33]

Особое место среди этих материалов занимает арсенид галлия GaAs, обладающий уникальными электрофизическими свойствами большой шириной запрещенной зоны, малой эффективной массой и большой под. вижностью электронов. Арсенид галлия перспективен для изготовления туннельных и излучательиых диодов, СВЧ-днодов и диодов Ганна, биполярных и нолевых транзисторов, импульсных и переключающих приборов и инжекционных лазеров и т. д. Предполагается, что интегральные схемы на основе арсенида галлня будут иметь преимущество в оптоэлектронике и СВЧ-технике. [c.282]

Реле времени в пульте А80 (рис. 45,6) собрано на полевом транзисторе Т8 и транзисторе Т9. Полевой транзистор отличается от обычного (биполярного) очень высоким входным сопротивлением, что позволяет увеличить время задержки срабатывания при сравнительно малой емкости конденсатора С14. Реле Р1, включая компрессор, одновременно дает питание в схему реле времени. Через R23 отрицательный заряд накапливается на конденсаторе С14 и отпирает транзистор Т8. Положительный заряд через R25 и Т8 попадает на базу транзистора Т9 и отпирает его. Срабатывает выходное реле Р4. Контакт Р 2 обеспечивает самопитание катушке Р4, а контакт Р4 через R22 разряжает конденсатор. Стабилитрон Д21 стабилизирует питающее напряжение. Диод Д23 шунтирует катушку реле Р4, уменьшая иакрение контактов при их разрыве и защищая транзистор Т9 от больших положительных потенциалов в пусковых режимах. [c.90]

Выпрямители Варакгоры Туннельные диоды Лавинопролетные диоды Биполярные транзисторы Полевые транзисторы Генераторы Ганна Акустические усилители Датчики Холла Источники света, светодиоды [c.155]

Первоначальным импульсом к развитию процессов ХОГФ эпитаксиальных пленок кремния и германия послужила необходимость улучшения характеристик биполярных кремниевых и германиевых транзисторов. Впоследствии кремниевые эпитаксиальные структуры (монокристаллическая кремниевая подложка с одним или несколькими эпитаксиальными слоями, отличающимися типом проводимости и удельным сопротивлением (степенью легирования)) оказались незаменимыми дпя производства высококачественных микропроцессоров и устройств памяти по КМОП технологии. Эпитаксиальные структуры позволяют получать [28, 29] [c.107]

Значения ш.у и /ш,у зависят от типа усилительного элемента, стоящего в первом каскаде. Так, например, в области инфранизких частот 0,1—10 Гц биполярные транзисторы имеют спектральную плотность шумов ш.у—50 нВ-Гц- / и /ш,у 6-г-80 пА-Гц- / а полевые транзисторы с р-п переходом еш,у=150- -500 нВ-Гц->/ и /ш,у= = 0,3 пЛТц- / - Это означает, что генератор еш,у=50 нВ-Гц- / в полосе 2 Гц создает среднеквадратичное напряжение шума 50V 2 г= 70 Нв. [c.232]

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — преобразователи мощностью до единиц мегаватт-ампер для электроприводов переменного тока, АБП, статических компенсаторов реактивной мощности и активных фильтров, ключевых источников питания. [c.137]

По прогнозам в ближайшие годы IGBT полностью заменят традиционные биполярные транзисторы и GTO в преобразовательном оборудовании мощностью до единиц мегавольт-ампер. В области малых мощностей и низковольтных преобразователей будут доминировать MOSFET, а в области больших мощностей (выше 3 МВ-А) — GTO. [c.138]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология