Поверхностные свойства полупроводников

Поэтому кривая дифференциальной емкости на этой границе показывает весьма низкие значения емкости и имеет минимум при потенциале нулевого заряда. В соответствии с уравнением (28.11) измеряемая емкость оказывается весьма чувствительной к изменениям объемных и поверхностных свойств полупроводника, тогда как изменения состава электролита оказывают на нее весьма незначительное влияние. [c.141]

В 26 было показано, что на границе соприкосновения двух различных тел возникает электрический заряд, вызванный выравниванием электрохимических потенциалов электронов или ионов в соприкасающихся телах. Поверхность и объем одного и того же кристалла обладают неодинаковыми физико-химическими свойствами и могут поэтому рассматриваться как два находящихся в контакте разнородных тела. Ниже мы рассмотрим поверхностные свойства полупроводников на примере германия и кремния. [c.204]

Особым классом систем, для которых поверхностные эффекты играют очень важную роль, являются полупроводники. Обсуждение поверхностных свойств полупроводников не входит в нашу задачу, хотя иногда нам придется ссылаться на данные, полученные на полупроводниковых материалах. Многие сведения о свойствах поверхностей полупроводников можно найти в сборнике по электрохимии полупроводников, изданном под редакцией Холмса [59]. [c.192]

Перечисленные корреляции между каталитической активностью и физическими электронными свойствами особенно интересны, учитывая, что рассматривающиеся физические величины непосредственно характеризуют объемные, а не поверхностные свойства полупроводника в отсутствии каталитического процесса. Для изыскания новых катализаторов это большое достоинство. [c.35]

Таким образом, поверхность кристалла является сложным объектом. Часть дефектов поверхности может быть заряжена, т. е. на них локализован электрон или дырка. В случае хемосорбированных частиц знак заряда определяется не только свойствами этих частиц, но и положением уровня Ферми на поверхности полупроводника [8, 20]. Суммарный поверхностный заряд определяет многие равновесные поверхностные свойства полупроводников, в том числе работу выхода электронов и поверхностную проводимость. С другой стороны, при отклонении тем или иным способом концентрации носителей заряда в полупроводнике от равновесных значений поверхностные дефекты, наряду с объемными, будут участвовать в процессах релаксации избыточных носителей заряда. [c.21]

В сборнике опубликованы доклады, прочитанные на Совещании по поверхностным свойствам полупроводников, состоявшемся в Москве, в Институте электрохимии АН СССР, 5 и 6 июня 1961 г. [c.3]

I. ВЛИЯНИЕ АДСОРБИРОВАННЫХ АТОМОВ И МОЛЕКУЛ НА ПОВЕРХНОСТНЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ [c.5]

Поверхностные свойства полупроводника. . [c.3]

Поверхностные свойства полупроводника [c.7]

При сопоставлении данных об изменении работы выхода для бромистой меди с результатами измерения ее электропроводности в кислороде можно сделать вывод об отсутствии корреляции между проводимостью и работой выхода, т. е. объемными и поверхностными свойствами полупроводника. Как электропроводность, так и работа выхода электрона под влиянием ад- [c.142]

В главах III—VIII основное внимание уделено электропроводности полупроводников, процессам генерации и рекомбинации носителей заряда, электрическим явлениям на поверхности полупроводников при их контакте между собой, с металлами, водными растворами и газовыми средами, а также вопросам химического травления, термодинамической устойчивости различных соединений германия и кремния и основным методам стабилизации поверхностных свойств полупроводников. [c.5]

Измерения коэффициентов Холла и термоэлектродви>кущей силы играют важную роль в изучении поверхностных свойств полупроводников. С помощью этих двух характеристик можно получить ценную информацию относительно природы носителей тока в полупроводниках. Кроме того, значение концентрации дефектов также можно получить [397] из измерений [c.133]

Огромную роль играют поверхностные свойства полупроводников. Нередко поверхносгаые уровни и зависящие от них свойства преобладают над объемными характеристиками полупроводников. Поэтому, чтобы улучшить стабилизацию электрофизических характеристик приборов, в полупроводниковом приборостроении особое внимание обращают на травление поверхности, влияние газов, взвешенных частиц и т. п. [c.10]

Поверхность, обладающую таким свойством, мы будем называть квазиизолирован-ной поверхностью. Это есть случай, когда исчезает влияние объема на поверхность и тем самым уничтожается связь между объемными и поверхностными свойствами полупроводника. В случае квазиизолированной поверхности при изменении изменяется на такую же величину и загиб зон Ле, так что при этом, согласно (42), остается неизменным. Это поясняется рис. 36, в правой части которого изображен тот же полупроводник, что и в левой части, но с измененным значением хотя и с тем же самым значением е+. [c.98]

Переход от идеальной поверхности полупроводника к реальной поверхности вносит свою специфику. При достаточной плотности поверхностных состояний поверхностные свойства полупроводника могут оказаться не зависящими от его объемных свойств (случай квазиизолированной поверхности, см. 7,6). [c.176]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология