Бинарные химические соединения

Методы изображения трехкомпонентных систем 92. Диаграмма состояния трехкомпонентной системы при нал чии одной тройной эвтектики 93. Диаграмма состояния трехкомпонентной системы, два компонента которой образуют бинарное химическое соединение, плавящееся без разложения............ [c.388]

На рис. 44 представлен тип диаграммы состояния двухкомпонентной системы А—В с эвтектикой (без бинарных химических соединений и твердых растворов). Рассмотрим путь кристаллизации расплава состава а. Прежде всего определим, что конечными фазами кристаллизации любого бинарного состава в этой системе будут компоненты А и В, а кристаллизация всех подобных составов будет заканчиваться при эвтектической температуре 4 в точке эвтектики. При понижении температуры от точки а до будет происходить только охлаждение расплава. При достижении температуры ликвидуса tb жидкая фаза (расплав) состава Ь окажется насыщенной по отношению к компоненту А (в области IKteE в равновесии с жидкостью находятся кристаллы А, что указывается на диаграмме соответствующим обозначением А + ж) и последний при дальнейшем охлаждении будет кристаллизоваться из расплава. Состав жидкой фазы будет изменяться при этом по кривой ликвидуса от точки Ь к точке Е (система моновариантна). При достижении эвтектической температуры 4 жидкость, отвечающая эвтектическому составу Е, кристаллизуется с одновременным выделением кристаллов А и В, поскольку точка Е принадлежит одновременно обеим кривым ликвидуса txE и t E) и, следовательно, жидкость состава Е насыщена по отношению к обоим компонентам. При этом пока не исчезнет вся жидкая фаза, температура 4 и состав (Е) жидкой фазы будут оставаться постоянными, поскольку система при этих параметрах инвариантна (температура при отводе от системы теплоты будет поддерживаться постоянной за счет выделения теплоты кристаллизации). Кристаллизация закончится в точке эвтектики Е. [c.223]

Следовательно, граница, проходящая через 1У-Ь подгруппу, отделяет металлические элементы (металлы) от неметаллических (неметаллов). Установления одной вертикальной границы уже достаточно для проведения первого деления бинарных химических соединений на три области. [c.277]

На рис. 66 представлен тип трехкомпонентной диаграммы состояния с бинарным химическим соединением (АС), разлагающимся при нагревании в твердом состоянии, на которой иллюстри- Е руется правило определения характера пограничных кривых. Пограничная кривая вдоль которой в равновесии находятся соединения А и АС, на участке Е П будет иметь конгруэнтный характер, поскольку все касательные, проведенные к кривой из любой точки этого участка, пересекают соответствующую этой кривой соединительную прямую А—АС (совпадающую в данном случае с участком стороны треугольника концентраций). На участке же пО пограничная кривая будет инконгруэнтной, поскольку касательные, проведенные к точкам этого участка, не будут пересекать соответствущую соединительную прямую А—АС. [c.259]

ГЛАВА XII. БИНАРНЫЕ ХИМИЧЕСКИЕ СОЕДИНЕНИЯ [c.255]

Рис. 117. Образование и распад бинарного химического соединения ниже температуры эвтектики

БИНАРНЫЕ ХИМИЧЕСКИЕ СОЕДИНЕНИЯ [c.47]

Для обозначения структурных элементов обычно используют химические символы, соответствующие данному химическому элементу, н-апример Ыа, А1, С1 и т. д. При рассмотрении общего случая кристалла простого вещества, состоящего из атомов одного сорта, мы будем обозначать эти атомы буквой А. В общем случае формулу кристалла произвольного бинарного химического соединения будем записывать в виде МХ,> где буквой М обозначается более электроположительный компонент (в ионном соединении —катион), а буквой X —более электроотрицательный компонент (анион). Символ Р используется для обозначения чужеродных примесей. Вакансии или любые незанятые позиции в кристаллической решетке обозначаются буквой V. [c.23]

Рис. 44. Диаграмма состояния двухкомпонентной системы с эвтектикой (без бинарных химических соединений и твердых растворов)

Формула бинарного химического соединения может. быть записана одним из трех способов ( 2.5) в зависи- [c.173]

Диаграмма состояния трехкомпонентной системы, два компонента которой образуют бинарное химическое соединение, плавящееся без разложения [c.205]

На рис. 63 изображен тип трехкомпонентной диаграммы состояния с бинарным химическим соединением АС, плавящимся конгруэнтно. Из расплава состава первыми при соответствующей температуре (в данном случае 1300°С) будут выпадать кристаллы соединения АС, поскольку точка этого состава лежит в поле первичной кристаллизации этого соедииения. [c.255]

Рис. 63. Диаграмма состояния трехкомпонентной системы с двойным (бинарным) химическим соединением АС, плавящимся конгруэнтно

Рис. 64. Диаграмма состояния трех-компонентнон системы с двойным (бинарным) химическим соединением АС, плавящимся инконгруэнтно

Внедрение атомов в междуузлия может происходить сравнительно легко в кристаллах с достаточно просторной упаковкой, при которой размеры междуузлий сравнимы с размерами атомов, и затруднено в кристаллах с плотной упаковкой атомов. Поэтому несколько позднее Шоттки предложил другую модель разупорядоченности твердых тел, содержащую только вакансии. По Шоттки, вакансии образуются при выходе атомов из узлов в объеме кристалла на поверхность, в результате которого на поверхности происходит достраивание кристаллической решетки, а в объеме кристалла возникают вакансии. В бинарных химических соединениях, в частности, в ионных кристаллах такая модель предполагает существование вакансий в подрешетках обоих компонентов в эквивалентных количествах. [c.22]

Диаграмма состояния трехкомпонентной системы с образованием бинарного химического соединения, плавящегося без разложения [c.206]

В качестве примера рассмотрим диаграмму более сложной системы, состоящей из компонентов А, В п С, образующих двойное и тройное соединения (рис. 97). Эта система имеет четыре бинарных эвтектических точки Е , Е , Е , Е , четыре тройных эвтектических точки бд, 63, е одно бинарное химическое соединение ВС с максимумом в точке О] девять линий тройных фазовых равновесий и пять областей кристаллизации, в которых кристаллизуются чистые компоненты Л, В, С одну область кристаллизации тройного химического соединения АВС одну область дйойного соединения ВС. [c.279]

Далее автор работы [9] предположил, что коэффициенты l I Сг в выражении (4) постоянны для всех кристаллов, имеющих структуру алмаза или цинковой обманки, и, используя велич шу параметра решетки и экспериментальные значения решеточной магнитной восприимчивости, вычислил X ov и Ахкш для ряда кристаллов бинарных химических соединений. [c.163]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология