Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Точка эвтектики

    Применим правило фаз Гиббса к данной системе и выясним, зависит ли точка эвтектики от давления. В системе два компонента, и в точке эвтектики находятся в равновесии четыре фазы — ра(сплав, лед, твердый хлорид аммония и газовая фаза (обязательно надо учитывать газовую фазу). Следовательно, в соответствии с правилом фаз Гиббса число степеней свободы должно было бы равняться нулю, т. е. точка эвтектики не зависит от давления. Однако это противоречит экспериментальным данным. Поэтому необ- [c.288]


    На рис. 44 представлен тип диаграммы состояния двухкомпонентной системы А—В с эвтектикой (без бинарных химических соединений и твердых растворов). Рассмотрим путь кристаллизации расплава состава а. Прежде всего определим, что конечными фазами кристаллизации любого бинарного состава в этой системе будут компоненты А и В, а кристаллизация всех подобных составов будет заканчиваться при эвтектической температуре 4 в точке эвтектики. При понижении температуры от точки а до будет происходить только охлаждение расплава. При достижении температуры ликвидуса tb жидкая фаза (расплав) состава Ь окажется насыщенной по отношению к компоненту А (в области IKteE в равновесии с жидкостью находятся кристаллы А, что указывается на диаграмме соответствующим обозначением А + ж) и последний при дальнейшем охлаждении будет кристаллизоваться из расплава. Состав жидкой фазы будет изменяться при этом по кривой ликвидуса от точки Ь к точке Е (система моновариантна). При достижении эвтектической температуры 4 жидкость, отвечающая эвтектическому составу Е, кристаллизуется с одновременным выделением кристаллов А и В, поскольку точка Е принадлежит одновременно обеим кривым ликвидуса txE и t E) и, следовательно, жидкость состава Е насыщена по отношению к обоим компонентам. При этом пока не исчезнет вся жидкая фаза, температура 4 и состав (Е) жидкой фазы будут оставаться постоянными, поскольку система при этих параметрах инвариантна (температура при отводе от системы теплоты будет поддерживаться постоянной за счет выделения теплоты кристаллизации). Кристаллизация закончится в точке эвтектики Е. [c.223]

    Кривые охлаждения сплавов этого типа представлены на рис. IX. 4, б. Во время кристаллизации из-за выделения теплоты кристаллизации (участок се) скорость охлаждения уменьшается, однако, постоянство температуры для сплавов этого типа отсутствует, так как при кристаллизации непрерывно меняется состав расплава. Минимальное число степеней свободы при кристаллизации здесь равно единице (5 = /%+1 — / = 2-)-1 — 2=1), в отличие от сплавов с эвтектикой, где в точке эвтектики 5 = 0. [c.111]

    Чем отличаются области ниже линии солидуса, левее и правее от эвтектического состава Чтобы ответить на этот вопрос, надо рассмотреть историю их образования левее — сначала происходит рост кристаллов А и затем кристаллизация эвтектики. Поэтому это крупные кристаллы А, сцементированные эвтектической смесью мелких кристаллов Л и В. Правее точки эвтектики — кристаллы В, сцементированные твердой эвтектикой. Схематически это показано на рис. 57. [c.127]


    В результате на графике рис. 8.2 получают две наклонные линии, пересекающиеся в точке Э, которая получила название точки эвтектики, наклонные линии называют линиями равновесной кристаллизации или ликвидуса (от лат. жидкий ). Отрезки АЭ и ВЭ на этом графике не реализуются, так как не имеют физического смысла и не отвечают условиям равновесия. В результате получается диаграмма растворимости или диаграмма плавкости эвтектического типа, которая отдельно представлена на рис. 8.3. [c.85]

    При дальнейшем снижении температуры ниже точки эвтектики наблюдается исчезновение фазы расплава. В этом случае эвтектический расплав затвердевает целиком в виде смеси мелких кристаллов А и В. [c.86]

    В зависимости от направления падения температуры на пограничных кривых тройные точки разделяются на точки эвтектики, точки двойного подъема и точки двойного опускания. Точка эвтектики является точкой, образованной тремя пограничными кривыми с падающей по всем трем кривым к этой точке температурой (рис. 61, а), точка двойного подъема образуется тремя пограничными кривыми, по двум из которых температура падает к точке, а по одной — от точки (рис. 61,6), точка двойного опускания образуется, когда по одной пограничной кривой температура падает к точке, а по двум другим пограничным кривым — от точки (рис. 61, в). Например, на рис. 59 точками эвтектики являются тройные точки а, е, к и др., точками двойного подъема —с, с1, точкой двойного опускания — . [c.251]

    К основным элементам строения двухкомпонентных (бинарных) диаграмм состояния относятся координатные оси, вертикали составов, изотермы, точки составов химических соединений, кривые ликвидуса и солидуса, точки эвтектики и перитектики, эвтектоид-ные точки, изотермы полиморфных превращений, бинодальные кривые. [c.217]

    Следует отметить, что в точках эвтектики происходит только [c.219]

    Аналогичная точке эвтектики инвариантная точка (ез на рис. 43) в системах с ограниченным рядом твердых растворов называется эвтектоидной точкой, а соответствующая ей температура — эвтектоидной температурой. [c.220]

    Все составы, лежащие левее линии АВ—g—аа, закончат кристаллизоваться при эвтектической температуре в точке эвтектики В, поскольку, если первичной кристаллической фазой будут являться кристаллы компонента В, в результате реакции первыми исчезнут именно эти кристаллы, а жидкость останется и кристаллизация будет продолжаться до точки эвтектики, где она закончится с выделением кристаллов А и АВ. [c.227]

    Определение характера процесса, происходящего в точке эвтектики [c.262]

    При нагревании, наоборот, происходит одновременное плавление указанных соединений. Например, в точке эвтектики Е (см. рис. 68) при охлаждении происходит совместная кристаллизация соединений АВС, В и С, поля первичной кристаллизации которых сходятся в этой точке, а при нагревании кристаллы указанных соединений переходят в расплав. [c.262]

    Если непосредственное определение состава и температуры эвтектики почему-либо не удалось, то эвтектику находят пересечением ветвей ликвидуса системы или с помощью треугольника Таммана. Если принять прямую В"А" за его основание, то отрезок ЕЕ будет его высотой. Для построения треугольника Таммана запись кривых охлаждения проводят при соблюдении следующих условий  [c.92]

    Точка с, отвечающая равновесию между жидким расплавом и двумя кристаллическими фазами, называется перитектической. Она отличается от эвтектической точки тем, что обе кристаллические фазы обогащены относительно жидкости одним и тем же веш,е-ством (в точке эвтектики каждая кристаллическая фаза обогащена относительно жидкого расплава либо одним компонентом, либо другим). [c.109]

    Если состав лежит правее соединительной прямой Si02—диопсид (состав Ь) и попадает в фазовый треугольник Si02—диопсид— протоэнстатит, то в данном случае конечной точкой затвердевания расплава будет точка эвтектики, в которой три фазы находятся в равновесии с жидкостью при температуре 1375°. Однако особенностью кристаллизации состава Ь будет не только возможность проявления предкристаллизационной метастабильной ликвации, но и образование не чистого диопсида, а твердых растворов—пироксенов. Поэтому в конечных продуктах кристаллизации диопсид и протоэнстатит в чистом виде не обнаруживаются. Это позволяет получать при кристаллизации материалы с мономинеральной фазой в виде клинопироксеновых твердых растворов. [c.128]

    Так, состав с, лежащий в поле кристаллизации моноалюмината кальция, при охлаждении закончит кристаллизацию в точке эвтектики с температурой 1335 с выделением фаз Са0-А120з, 2 a0-Si02 и бСаО-ЗАЬОз (см. соответствующий фазовый треугольник). Все эти минералы обладают вяжущими свойствами. [c.144]

    Расплавы в точке эвтектики насыщены компонентами А и В. Поэтому область АЬэл можно рассматривать как смесь твердых А и эвтектики, а область л5й(Б —твердых эвтектики и В. Харак- [c.175]

    При введении бора вместе с алюминием (в виде ферроборала) существенных изменений не обнаружено. Можно отметить только повышение удароустойчивости (153— 649) ири содержании 0,017— 0,044% В (рис. 12). Это связано с появлением зернистого эвтектоида и очень тонкой эвтектики. Очевидно, целесообразно исследовать влияние алюминия на свойства белого чугуна. [c.69]


    РбзС — цементит Р — перлит. Е — точка эвтектики 5 — точка солидуса. [c.450]

    В точках эвтектики в равновесии находятся три фазы одна жидкая и две твердые (например, в точке эвтектики ег —жидкая фаза состава этой точки и твердые фазы А2В2 и А3В3), поэтому в соответствии с правилом фаз точки эвтектики выражают инвариантное состояние системы (/=/(-М—P = 2-fl—3=0). Это означает, что система из характеризуемой точкой эвтектики состояния не может перейти в другое состояние (т, е, не может изменить свои параметры — температуру и концентрацию), пока не исчезнет хотя бы одна фаза. [c.219]

    Состав аь При охлаждении расплава состава а на участке а Ь1 происходит понижение его температуры. При температуре, соответствующей точке Ь на кривой ликвидуса, начнется кристаллизация компонента В, а состав жидкой фазы будет изменяться по кривой ликвидуса (участок Ь[П) при одновременной кристаллизации В. В точке перитектики п при постоянной температуре tn происходит перитектическая реакция В + жидкость- АВ, в результате которой выделяется АВ. Для данного исходного состава расплава кристаллизация в точке перитектики закончиться не может, так как конечными фазами кристаллизации состава а являются соединения А и АВ (вертикаль состава а с1 попадает между точками состава соединений А и АВ), а компонент А в продуктах кристаллизации при перитектической температуре отсутствует. Поэтому в результате перитектической реакции полностью исчезнет компонент В, а жидкость останется. В дальнейшем состав жидкой фазы изменяется по кривой ликвидуса пВ с выделением кристаллов АВ и, наконец, в точке эвтектики В кристаллизация заканчивается с одновременным выделением конечных фаз кристаллизации— кристаллов А и АВ. Ниже эвтектической температуры будет происходить при понижении температуры только охлаждение смеси кристаллов А и АВ (по вертикали состава С й ). Таким образом, путь изменения состава жидкой фазы при охлаждении расплава а можно схематически изобразить следующим образом а Ь - п—В. [c.227]

    Состав аз. Конечными фазами кристаллизации расплава состава аз являются соединения АВ и В (вертикаль состава аз з попадает между точками составов соединений АВ и В). До точки перитектики начальный путь кристаллизации этого состава не отличается от разобранного для составов а1 и а . При перитектической температуре происходит также реакция В + жидкость АВ, в результате которой полностью исчезает жидкость, т. е. кристаллизация в точке перитектики п заканчивается, а избыток не растворившихся в жидкости кристаллов В и кристаллы АВ, образующиеся в результате реакции, остаются в качестве конечных фаз кристаллизации (в данном случае кристаллизация не может продолжаться до точки эвтектики , так как в ней обязательно должны появиться кристаллы А, а они не входят в состав конечных фаз кристаллизации). Путь изменения состава жидкой фазы для данного состава аз- Ьз- п. [c.228]

    Схематическое изображение бинарной фазовой диаграммы ионного ПАВ, смоделированное для додецилтриметиламмоний хлорида. Точка W — точка замерзания воды. Точка] — эвтектика. Типичные однофазные участки включают изотропный участок 1), несколько участков кубической фазы I и Г, гексагональную Н и ламмелярную фазы D. Два двухфазных участка — П1 и ПГ, а также несколько многофазовых участков (не маркированных). Участок III — кристаллы и ij участок ПГ — кристаллы и мезофаза [c.159]

    Область / соответствует однофазному жидкому раствору (молекулярной смеси компонентов А и В). Прь температуре Т, находяш.ейся выше температуры плавления кристаллов А, но ниже температуры плавления кристаллов В, начиная от 100% А и вплоть до состава система однофазна. При более высокой концентрации вещества В (при той же температуре 7 ) начинается частичная кристаллизация его, и в области /// система уже-двухфазна насыщенный раствор В в А и кристаллы Б. Соответствующее явление наблюдается и в области //, где выделяются кристаллы А. Кривые температур плавления системы (кривые ликвидуса) выпуклы по отношению к оси состава и пересекаются в точке эвтектики, отвечающей составу Хэ. [c.65]

    Точка эвтектики резко сдвигается по оси состава в сторону низкомолекулярного компонента (растворителя). Различие между техмпературой кристаллизации чистого растворителя и температурой в точке эвтектики ничтожно (рис. 20). Известно, что только для относительно низких степеней полимеризации возможно криос-копическое определение молекулярного веса. Поскольку нас интересуют главным образом концентрированные растворы полимеров, можно игнорировать наличие области эвтектических составов и рассматривать кривую ликвидуса (температур плавления) как монотонно изменяющуюся во всем интервале составов. [c.66]

    Что касается характера образующихся при кристаллизации фаз, то кристаллическая фаза обычно полиди-сперсна и несовершенна, т. е. содержит значительное количество макромолекул или их участков, обладающих свойствами аморфного состояния. Для объяснения особенностей другой фазы — насыщенного раствора полимера над кристаллической фазой — необходимо сослаться на сдвиг точки эвтектики на диаграмме состояния в сторону растворителя (см. рис. 20). Резкий сдвиг эвтектической точки приводит к тому, что температура плавления (кристаллизации) относительно медленно снижается по ере увеличения количества растворителя в системе и лишь при малых концентрациях полимера начинает рез--со падать. Поэтому при температурах, лежащих несколько ниже температуры плавления чистого полимера, концентрация его в равновесной фазе над кристаллическим толимером оказывается незначительной. Многие полимеры при получении монокристаллов выкристаллизовывают из очень разбавленных растворов. [c.68]

    В качестве примера фазового равновесия для системы кристаллизующийся полимер — растворитель на рис. 21 приведена диаграмма для системы полиэтилен — ксилол, полученная Ричардсом . Как видно из рисунка, температура плавления полиэтилена снижается только в пределах от 110 до 75"С при переходе от 1007о-ного полиэтилена к очень низким концентрациям его. Растворимость полиэтилена в ксилоле при 70°С составляет для полимера с молекулярным весом 40 000 лишь 0,01%. Следовательно, точка эвтектики настолько сдвинута в сторону растворителя, что ее нет смысла специально определять. [c.69]

    Изменение температуры кристаллизации расплава любого состава заметно лишь при значительном изменении давления (см. раздел VI.6), так как последнее мало влияет на конденсированные системы. Однако экспериментально доказано, что если изучить систему при другом давлении, то эвтектика имеет другой состав и другую температуру. Это находится в по.лном соответствии с правилом фаз число компонентов — 2, число фаз — 3 (одна жидкая и две твердые А и В). Отсюда получим 3 + г = 2 + 2, т. е. г =1 — одна степень свободы (при постоянном давлении г =- 0). [c.89]

    То же самое можно сказать о пространствах вторичных выделений. Далее, пространство, отвечаюш,ее жидкому состоянию, отличается иа две фазы от пространств, вторичных выделений, и они соприкасаются друг с другом лишь по линиям (кривые вторичных выделений) и точкам (эвтектики). Можно усмотреть одно исключение из этого правила, а именно пространствам вторичных выделений соответствует то же число фаз (три), что и пространству затвердевших фаз (т. е. пространству, лежаш,ему под плоскостью солидуса), однако они разделяются поверхностью — плоскостью солидуса. Таким образом, два трехфазных пространства соприкасаются но поверхности. Однако это противоречие мо5кет быть устранено путем некоторого обоб-ш,ения понятия о пространствах состояния. Для этой цели достаточно горизонтальную четырехфазную плоскость, разделяюш ую пространства, считать пространством с одним вырожденным, т. е. обраш,енным в нуль одним измерением. Как видно, правило о соприкасающихся полях, о котором говорилось в разделе VI.2, является частным случаем более общего правила. [c.201]

    Скажем еще несколько слов по поводу точки — эвтектики двойной системы 8—С, общей для обеих вторичных тройных систем А—8—С и В—8—С. На рис. XVIII.2,а дано изображение этой точки в пространстве вместе с четырьмя сходящимися в ней линиями Се — ветвь ликвидуса системы 8—С, отвечающая кристаллизации С — ветвь ликвидуса той же системы, отвечающая кристаллизации 8 65 1 и е Е2, — две ветви кривой выделения С и 8. Составим себе представление о форме поверхности ликвидуса в окрестности точки е . По линии Се З поверхность поднимается в двух противоположных направлениях, а по линии Е Е , пересекающейся с линией Свс,3, поверхность опускается тоже в двух противоположных направлениях. Такие точки, представляющие собой пересечение двух лежащих на некоторой поверхности линий, причем на одной из этих линий эти точки являются самыми высокими, а на другой — самыми низкими, называются перевальными (седловинными) точками (по сходству их с перевальными или седловинными точками горных хребтов), или точками Ван Рейна. На плоской диаграмме эти точки изображают схематично так, как показано на рис. XVIII.2,6. [c.205]


Смотреть страницы где упоминается термин Точка эвтектики: [c.353]    [c.288]    [c.54]    [c.57]    [c.322]    [c.323]    [c.324]    [c.578]    [c.195]    [c.86]    [c.326]    [c.84]    [c.394]    [c.35]    [c.219]    [c.220]    [c.252]    [c.262]    [c.380]    [c.201]   
Общая химия (1979) -- [ c.394 ]

Физическая химия силикатов и других тугоплавких соединений (1988) -- [ c.219 , c.220 , c.223 , c.227 ]

Практические работы по физической химии Изд4 (1982) -- [ c.105 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Эвтектика



© 2024 chem21.info Реклама на сайте