Диффузия ионов в кристаллах

Таблица 2.2.26 Коэффициент диффузии ионов в кристаллах при различных температурах

Таблица 2.2.39 Параметры соотношения (2.2.2.14) для коэффициента диффузии ионов в кристаллах солей

ДИФФУЗИЯ ионов в КРИСТАЛЛАХ [c.933]

КОНСТАНТЫ ДИФФУЗИОННОГО УРАВНЕНИЯ D=D e для ДИФФУЗИИ ИОНОВ в КРИСТАЛЛАХ [c.933]

Параметры соотношения (17.15) для диффузии иона в кристаллах [1] [c.300]

Если макроколичества соединений носителя и индикатора образуют изоморфные смешанные кристаллы, то индикаторные ионы могут замещать в кристаллической решетке некоторые из ионов вещества носителя одинакового заряда и таким образом переноситься. Эффективность этого процесса переноса зависит от ряда факторов — энергии решетки, образуемой ионами носителя и индикатора в соединении носителя, энергии гидратации ионов индикатора и носителя и применяемого метода осаждения. Последний важен вследствие того, что очень малые скорости диффузии ионов в кристаллах при обычных температурах [c.89]

ДИФФУЗИЯ ИОНОВ В КРИСТАЛЛАХ Продолжение [c.933]

ДИФФУЗИЯ ИОНОВ В КРИСТАЛЛАХ [c.932]

Проблемы, как сорбция ионов осадками, электрофоретические свойства суспензий, диффузия ионов в кристаллах, изотопный обмен в гетерогенных системах и многие вопросы, относящиеся к области структурной химии. Кроме того, для многих ненабухающих трехмерных ионообменников с жесткой структурой теоретическая обработка данных по термодинамике и кинетике ионного обмена часто бывает намного проще, чем для органических смол, даже в тех случаях, когда стерические эффекты и ограниченная взаимная растворимость твердых фаз могут приводить к осложнениям. [c.8]

И. В. Мелихов и Г. Эвальд [218], считая, что перекристаллизация в суспензии может происходить только по малоинтенсивному механизму оствальдова созревания, пришли к выводу, что при механическом перемешивании суспензии интенсивный изотопный обмен осадка с раствором может быть обусловлен только интенсификацией диффузии ионов в кристаллы вследствие ударов кристаллов о лопасти мешалки и стенки сосуда. Однако прямых опытов, доказывающих такую интенсификацию диффузии в кристаллах, нет. Если же учесть приведенные выше опытные данные по рекристаллизации с термозондом, то опыты И. В. Мелихова и Г. Эвальда находят полное объяснение с точки зрения колебательного механизма рекристаллизации без привлечения маловероятного механизма ударной перекристаллизации [218]. [c.158]

Явление диффузии ионов в кристалле, так же как и электролитическая проводимость, обусловлено наличием в нем термических дефектов решетки — свободных узлов или ионов в меж-узлиях. Значения коэффициентов самодиффузии в ионном кристалле могут быть вычислены из данных по электропроводности с помощью соотношения Эйнштейна [c.732]