Поверхностная диффузия ионных кристаллов

Для бездислокационных граней между стационарной скоростью распространения ступени роста и перенапряжением при небольших т] существует линейная зависимость [=kL , где Ь — длина растущей ступени. Для кристаллов с винтовой дислокацией была найдена линейная зависимость между током и г) , которая объясняется тем, что при спиральном росте общая длина L спирального фронта обратно пропорциональна расстоянию между последовательными витками спирали и, следовательно, пропорциональна перенапряжению. Зная эти зависимости, можно приготовить поверхности с точно известной плотностью ступеней роста. Согласно импедансным измерениям на таких поверхностях плотность тока обмена пропорциональна длине ступеней. Это означает, что осаждение адатомов на ступенях является более быстрым процессом, чем осаждение на кристаллической плоскости, а найденная плотность тока обмена, составляющая 600 А/см , характеризует обмен между адатомами в местах роста и ионами в растворе. С другой стороны, импедансные измерения на идеально гладких поверхностях позволили определить ток обмена адатомов на кристаллической плоскости с ионами раствора, который оказался равным всего 0,06 А/см . Таким образом, при электрокристаллизации серебра из концентрированных растворов осуществляется преимущественно механизм непосредственного вхождения адатомов в места роста, вклад же поверхностной диффузии даже при наивысшей плотности ступеней не превышает нескольких процентов. [c.327]

Долгое время не удавалось экспериментально подтвердить правильность соотношений (62.12) и (62.16). Это можно объяснить, во-первых, тем, что реальная структура поверхности кристалла оказывается гораздо более сложной, чем предполагалось в теории Фольмера и Эрдей-Груза. Так, на кристаллической поверхности электрода имеются ступени атомной высоты s, выступы, или кинки к, реберные вакансии I и дырки h (рис. 169). Во-вторых, поверхность электрода в ходе электроосаждения непрерывно изменяется, а потому меняется истинная плотность тока, а следовательно, и перенапряжение. В результате обычный метод снятия стационарных поляризационных кривых имеет ограниченные возможности. Наконец, на практике стадия образования зародышей не всегда оказывается наиболее медленной. В зависимости от природы металла и условий опыта процесс электрокристаллизации может лимитироваться диффузией реагирующих частиц к поверхности, химическими реакциями в объеме раствора и на поверхности электрода, стадией разряда, а также поверхностной диффузией разрядившегося иона (адатома) и встраиванием его в кристаллическую решетку. Поэтому количественная проверка изложенной теории оказалась возможной лишь после того, как в 50-х го- [c.331]

В зависимости от путей миграции атомов, ионов, молекул различают объемную диффузию (в глубине решетки), диффузию вдоль граней кристаллов (по внутренним поверхностям тела) и поверхностную диффузию (по внешней поверхности). При перемещении вещества в порошкообразной зернистой массе различают также внешнюю (между поверхностями зерен) и внутреннюю (в зернах) диффузию. В зависимости от направления диффузионных потоков и условий процесса различают диффузию в одном измерении, в частности, униполярную (в одном направлении), равнодоступную (в равной мере со всех сторон), в глубь тела и встречную (одновременное распространение различных компонентов в двух противоположных направлениях) и т. п. [c.300]

Новые исследования показали, что процесс кристаллизации карбоната кальция (кальцита) описывается параболическим кинетическим уравнением 12—19]. Скорость реакции регулируется скорее поверхностным процессом, чем диффузией ионов кальция к поверхности кристалла. Образование карбоната кальция в таких процессах обработки воды, как умягчение, при котором концентрация участвующих в кристаллизации и ингибирующих веществ обычно мала, может часто удовлетворительно описываться кинетическими параметрами реакции, полученными при изучении процесса в чистых растворах. Для успешного проведения очистки от накипи, а также для расчета процесса образования карбоната кальция при подготовке воды для котлов требуется знать состав твердой фазы, находящейся в контакте с раствором при обработке, условия протекания реакций, скорость достижения равновесия, вид и количество ионных [c.28]

Для возникновения гидридных пленок на поверхности характерно все, присущее процессам образования центров кристаллизации (зародышей). Во-первых, процесс определяется энергией активации образования зародышей, которая уменьшается с повышением давления водорода. Во-вторых, процесс определяется энергией активации таких элементарных атомных процессов, как поверхностная диффузия водорода или ионов металла. Если энергия активации процесса образования зародышей невелика, а давление водорода высоко, то почти повсеместно начинается образование зародышей. Если же энергия образования зародышей велика, то они будут появляться в наиболее благоприятных местах — нарушениях на гранях кристалла, в несовершенствах решетки, дислокациях и т. п. Неясно, каким образом слой адсорбированного водорода начинает превращаться в тонкий слой гидрида. [c.210]

Движущей силой диффузии служит поверхностная энергия пор, генерирующих вакансии свободная энергия уменьшается с уменьшением поверхности, поэтому частицы стремятся уменьшить свою поверхность за счет сглаживания углов и т. п. Это же приводит к тому, что в местах с максимальной кривизной поверхности концентрация вакансий максимальна, поэтому перешейки утолщаются. В ионных кристаллах необходимо движение как катиона, так и аниона, поэтому общая скорость процесса определяется скоростью движения наименее подвижного иона. [c.159]

Гетерогенный изотопный обмен ионами между кристаллическим осадком и насыщенным раствором протекает по следующим основным стадиям диффузия ионов из раствора к поверхности твердой фазы (может быть исключена сильным перемешиванием) закрепление иона на поверхности твердой фазы перекристаллизация соли путем переноса вещества с одного участка кристалла на другой, что может происходить как с изменением размеров кристалла, так и без него внедрение иона в поверхностный слой твердой фазы путем обмена с соседними ионами по бимолекулярному механизму или за счет циклического процесса, при котором смещаются несколько (5—6) ионов внедрение иона внутрь кристаллической решетки за счет обменной диффузии или диффузии по вакансиям и междоузлиям. Последний процесс, являясь наиболее медленным, определяет кинетику гетерогенного обмена. В результате внешнего и внутреннего облучения кристалла последний приобретает так называемую запасенную энергию. Облучение вызывает образование равновесных и неравновесных дефектов кристаллической структуры, что оказывает влияние прежде всего на обменную диффузию. Для гетерогенного обмена на кривой зависимости Ig (1 —F) от времени t можно выделить два участка, соответствующих разным стадиям обмена. Быстрая стадия связана с обменом на поверхности кристаллов, а медленная — с обменом по всему объему кристаллов. Каждая стадия характеризуется своим периодом полуобмена. [c.193]

Совокупность исследований системы медь — кислород доказывает, что процесс прорастания следует рассматривать как процесс, протекающий на границе образования чрезвычайно тонких пленок (что возможно лишь при низких температурах) и окис-ных слоев значительной толщины, рост которых зависит от диффузии ионов в кристаллической решетке окисла и происходит при повышенных температурах. Таким образом, нетрудно понять, почему прорастание проявляется только при температурах, способствующих началу диффузии в пленке. Диффузия начинается на участках поверхности, находящихся в особо выгодных для этого условиях число таких участков зависит от давления, температуры и ориентации кристаллов. Изложенная интерпретация образования окислов позволяет значительно приблизиться к пониманию двух типов поверхностных реакций металлов, механизм которых еще мало изучен. [c.297]

Наличие добавочных рефлексов, по Хаазе, может вызываться и химическими веществами из электролита после электрополировки. Дифракционная картина свидетельствует о закономерном расположении частиц этих веществ. Увеличение интенсивности дополнительных рефлексов при нагреве до 200° С может быть объяснено упорядочением чужеродного вещества последующий нагрев приводит либо к его испарению, либо к диффузии внутрь кристалла. Бомбардировка поверхности ионами удаляет поверхностный слой. Отметим, что дополнительные рефлексы аналогичной природы наблюдались ранее от различных подложек [31—34]. [c.215]

Прежде всего необходимо остановиться на стадии, предшествующей встраиванию атома в кристаллическую решетку металла-основы, которой может являться либо другой металл, либо осаждающийся металл. Перенос иона на подложку может осуществляться двумя путями прямой перенос в вакантное место на поверхности подложки, где ион в результате переноса электрона закрепляется, и перенос на поверхность с последующей поверхностной диффузией к месту роста кристалла или образования зародыша. Во втором случае перенос электрона может произойти при первом контакте иона с поверхностью и тогда он превращается в адсорбированный атом (адатом), или при поверхностной диффузии будет происходить уменьшение координационной сферы иона с одновременным увеличением числа связей с атомами металла подложки и, следовательно, с постепенным переносом заряда. Окончательный перенос заряда произойдет в месте встраивания в кристаллическую решетку. [c.28]

Мы еще не располагаем достаточным экспериментальным материалом, чтобы во всех случаях точно рассчитать доли суммарной диффузии, приходящейся на диффузию объемную, поверхностную, обусловленную дислокациями и границами зерен в ионном кристалле. Но надо ясно отдавать себе отчет в том, что для поликристаллических образцов, для объектов с сильно [c.98]

Потеря каталитической активности нанесенными Рд-ката-лизаторами за счет спекания может идти по двум механизмам [260] количественное спекание, обусловленное ростом кристаллов Рд качественное спекание, вызванное отжигом активных центров (дефектов решетки). Сделана попытка найти ионы, препятствующие количественному спеканию Рд за счет поверхностной диффузии Рд, нанесенного на 5Юг АЬОз методом катионного обмена. Удалось показать, что по поверхности диффундирует ион Рд + и увеличение его концентрации при адсорбции Ог на металлическом Рд приводит к ускорению роста кристаллов Рд. Введение в катализатор трех- или четырехзарядных ионов (А1 +, и др.) тормозит поверхностную диффузию Рд, а введение ионов и Ва + не влияет на этот процесс. [c.80]

Механизм действия опудривающих добавок обусловлен осу-шиванием поверхности гранул удобрений и созданием барьеров, мешающих диффузии. Наиболее активны добавки с максимальным содержанием диоксида кремния гелевой структуры. Поверхностно-активные вещества блокируют транспортные пути диффузии гидратированных молекул солей в зону контакта гранул, что приводит к существенному уменьшению диффузионного потока. Наибольшая эффективность у ПАВ с лучевой симметрией молекул, имеющих на одном из концов кислотную или гидроксидную функциональную группу, которая с ионами кристаллов образует прочные адсорбционные связи. [c.237]

Весьма быстро протекает диффузия водно-солевых комплексов в устье трещин кристалла, который разрушается в поверхностно-активной среде (в частности, для ионных кристаллов — и в водной). Адсорбционное понижение прочности структуры удобрений, рассмотренное в предыдущей главе, наблюдается в [c.101]

Интересные явления, обусловленные, по-видимому, как объемной, так и поверхностной диффузией ионов, описаны Хиби и Ишикава [68]. Методом реплик они установили, что после облучения в темноте при комнатной температуре кристаллов Na lи КВг рентгеновскими лучами на поверхности граней кристаллов появляются мелкие кристаллиты, размеры которых увеличиваются в течение примерно 3,5 час. облучения. Это изменение структуры поверхности граней сопровождается изменением цвета кристалла. Кристаллиты, появившиеся после трехчасового облучения, обычно исчезают после пребывания препарата на воздухе в течение нескольких десятков дней, а также после прогревания при 300° в течение 10 мин. Исчезновение кристаллитов сопровождается восстановлением исходного цвета кристаллов. Таким образом, электронно-микроскопические наблюдения роста кристаллитов могут быть использованы для изучения поведения ионов в кристаллах галогенидов щелочных металлов. [c.204]

Еще в начале XX века высказывалось предположение, что разряжающийся поя металла не сразу входит в кристаллическую решетку металла, а образует коллоидный раствор возле поверхности электрода. В более позднее время это представление в такой форме было оставлено, но сама идея получила новое воплощение в форме теории поверхностной диффузии ионов (Г. Брандес) 153 . Впоследствии теория была развита другими исследователями. По этой теории, разрядившийся атом не всегда сразу включается в кристаллическую решетку, а некоторое время может странствовать в виде адсорбированного атома по поверхности кристалла, пока не достигнет места, вхождение в которое дает наибольший выигрыш энергии [153]. Если металл находится при температуре лишь на 200—400° ниже температуры его плавления, то поверхностная подвижность атомов может оказаться достаточно большой, чтобы атомы в значительном количестве диффундировали по поверхности грани к месту роста слоя. Поверхностная диффузия была показана на опыте в случае твердой ртути при низкой температуре (см. гл. I, раздей 8). Диффузия атомов по поверхности может способствовать также и сглаживанию поверхности (см. стр. 30) . Движению атомов по поверхности, по-видимому, может мешать наличие на ней слоя прочно адсорбированного вещества. [c.84]

Диффузия при реакциях в твердом состоянии. Диффузионные процессы, протекающие в твердых телах, отличаются большим разнообразием. Различают самодиффузию и гетеродиффузию в зависимости от того, происходит ли в кристаллической решетке перемещение элементов (атомов) этой же решетки или чужеродных атомов либо ионов. В зависимости от направления перемещения элементов различают объемную диффузию, диффузию вдоль граней или дефектов кристаллов (по внутренним поверхностям кристалла) и поверхностную диффузию (по внешней поверхности). Поверхностная диффузия обычно происходит легче, чем объемная диффузия и диффузия вдоль граней кристаллов. [c.161]

Подвижность атомов (ионов) вдоль поверхности на границе металл — раствор явно меньше, чем на границе металл — вакуум соответственно препятствия для ностроения кристалла и декристаллизации, которые в последнем случае относнтельно легко устраняются за счет поверхностной диффузии на границе металл — раствор, сказываются сильнее. Взамен вхождения в место роста происходит накопление ионов на растущей поверхности, проявляющееся в виде поляризации. [c.77]

СР электроотрицательного компонента из двухфазной эвтектической системы А—В [28, 481. сплавах эвтектического строения эвтектическая колония состоит из двух разветвленных кристаллов чистых компонентов, проросших один в другой. Если концентрация А в несколько раз ниже концентрации В, то в результате селективного растворения А поверхностный слой сплава будет представлять пористую, заполненную электролитом среду, где и происходит массоперенос (см. рис. 1.1,(3). Когда диаметр пор достаточно мал ( 10 см), описание СР может быть построено на основе сочетания принципов диффузионной и электрохимической кинетики, т. е. без учета конвективного вклада в массоперенос. При обратимой же ионизации А весь процесс лимитируется только диффузией ионов В + в пористом слое, и в этом случае его скорость может быть выражена уравнениями, подобными уравнению Коттрелла (см, гл. 2). Характерным и отличительным параметром этих уравнений являетх я эффективный коэффициент диффузии В < [c.42]

Тизелиус[12, 13 исследовал поверхностную миграцию адсорбированной воды и аммиака па цеолитовых кристаллах хеуландита и анальцита. Адсорбция молекул с большим постоянным диполем на кристаллах с ионной решеткой представляет собой пограничный случай между физической и химической адсорбцией. Системы, изучавшиеся Тизелиусом, относятся именно к этой группе систем адсорбент — адсорбируемое вещество. Теплота адсорбции воды на хеуландите равна 14 100 кал1моль, а аммиака на анальците — 16 600 кал Моль. Адсорбированные молекулы удерживаются здесь большими силами, поэтому скорость поверхностной диффузии мала, и она требует значительной энергии активации. [c.612]

Повышение эффективности образования проявляемого поверхностного и внутреннего скрытых изображений, при сенсибилизации восстановителями, пожалуй, и не удивительно. Происходящие при этом явления очень похожи на рассмотренные выше, за исключением того, что выделяющиеся атомы брома могут в этом случае реагировать с атомами серебра. Фотоэлектроны и ионы серебра могут далее соединяться на центрах, которыми являются поверхностные атомы серебра, или на границах субструктуры, куда они проникают путем диффузии. В последнем случае внутреннее скрытое изображение образуется в непосредственной близости от поверхности. Можно предложить другие механизмы процесса, но все они приводят к одному и тому же результату. Например, можно представить себе, что экситоны взаимодействуют с адсорбированными на поверхности атомами серебра, освобождая из них электроны. Возникающие при этом ионы серебра и электроны могут либо рекомбинировать на центрах, которыми являются другие атомы серебра, образуя более крупные агрегаты, либо продиффундиро-вать на границы субструктуры и рекомбинировать там. Атомы серебра могут захватывать положительные дырки, превращаясь в ионы серебра, которые далее соединяются с электронами. Наконец, электроны могут испускаться из адсорбированных атомов серебра при поглощении фотонов, с последующей рекомбинацией ионов серебра с электронами на центрах, которыми являются другие атомы серебра. Как было упомянуто выше, адсорбционный слой желатины препятствует диффузии ионов серебра по внешней поверхности кристаллов. В этих условиях во вторичных процессах на поверхности могут принимать участие дефекты ионной решетки, причем вакантный узел решетки притягивается к избыточному иону серебра, а соответствующий междуузельный ион серебра соединяется с электроном на центре, которым является атом серебра, находящийся на поверхности кристалла или на границах субструктуры. Для оценки относительной вероятности всех этих различных процессов требуется весьма кропотливая методическая и экспериментальная работа. Можно также предложить различные механизмы возникновения поверхностного скрытого изображения в кристаллах, сенсибилизированных сульфидом серебра. Атомы брома, получающиеся, как описано выше (стр. 425, 426), одно- [c.436]

Рассмотрим основные особенности данного метода. Следует отметить, что приведенные ниже рассуждения вполне справедливы как для образцов, находящихся в собственном насыщенном растворе, так и в насыщенном паре. Но для определенности будем считать, что использован насыщенный раствор исследуемого вещества. Для определения поверхности следует использовать хорошо стабилизированные полидисперсные образцы (со средним размером частиц Ю"" —10 см и более) или стабилизированные монодисперсные образцы, ЧТО дает возможность пренебречь процессами перекри-. стализации. В этих случаях можно предположить, что в изотопном (изоморфном) обмене с раствором участвует практически только один поверхностный мономолекулярный слой частиц твердой фазы. Действительно, в твердых телах диффузия при обычных температурах протекает, как правило, крайне медленно (для ионных кристаллов при комнатной температуре величина коэффициента диффузии составляет 10 —10 см 1сек и ниже) и поэтому проникновения радиоактивных атомов из поверхностного слоя в глубь твердых частиц практически не происходит. С течением времени устанавливается равновесное распределение изотопов между поверхностным монослоем и раствором. Следует отметить, что время достижения такого равновесия обычно невелико (0,25—0,5 ч), что подтверждает правомочность пренебрежения диффузией в глубь частиц твердой фазы. Определив число радиоактивных атомов, перешедших из раствора в поверхностный слой при равновесии, оказывается возможным найти общее количество вещества, составляющего поверхностный слой образца. [c.262]

Прн описании кинетики роста кристаллов было установлено, что атомы, ионы или молекулы, попадающие на поверхность кристалла, обладают высокой поверхностной подвижностью. Это справедливо в равной степени и при адсорбции примесных молекул, которые обычно не остаются на месте встречи, так как обладают большой двухмерной подвижностью. Имеется множество экспериментальных доказательств поверхностной диффузии адсорбированных частиц. Например, основой метода декорирования путем напыления в высоком вакууме япля- [c.358]

Характерное различие в поведении имеет место также и при стационарных измерениях (рис. 6). При небольших, но одинаковых величинах перенапряжения скорость катодной реакции на твердом галлии меньше, чем на жидком это находится в соответствии с моделью, согласно которой при низких плотностях тока процесс доставки иона из раствора к участкам роста в случае твердого металла определяется поверхностной диффузией, что не имеет места на жидких электродах благодаря отсутствию участков роста кристалла. При т) > 25 лв для жидкого галлия наблюдается тафе-левская зависимость, в то время как для твердого металла зависимость, близкая к этой, наблюдается в интервале 50 мв вблизи [c.276]

При наложении на электрод с идеально плоской поверхностью некоторого постоянного перенапряжения через двойной слой протекает поток ионов однако это происходит до тех пор, пока концентрация адионов не достигнет определенной величины. В идеальном случае, т. е. в отсутствие эффектов удаления адионов диффузией к растущим ступеням с включением в решетку, ток в дальнейшем протекать не будет, если концентрация адионов при данном потенциале недостаточна для образования центров кристаллизации. Количественные расчеты с использованием уравнения (116) показывают, что в случае серебра, например, значительного образования центров кристаллизации следует ожидать при перенапряжении порядка 80—100 мв (рис. 25). Экспериментально найдено, что на медных нитеобразных кристаллах (полагают, что поверхности последних близки к идеально плоским и не имеют ни ступеней, ни участков роста) электроосаждение не происходит до тех пор, пока перенапряжение не достигнет примерно 100 мв (Вермилиа [60]). Однако плотность тока, наблюдаемая в начале образования центров кристаллизации, не соответствует величине, подсчитанной по уравнению (116). Этот ток определяется поверхностной диффузией или лимитируется переносом и может достигнуть значительных [c.316]

Для того чтобы скорость поверхностной диффузии была соизмерима с объемной, надо допустить подвижность атомов на поверхности во всяком случае не меньшую или даже большую, чем подвижность ионов в растворе. Приближенный расчет сопротивления и диффузшг в 1 растворе AgNOs в случае роста в нем ступени на поверхности кристалла серебра показывает, что при допущении разряда ионов только на активных местах ( ступенях роста ) сопротивление при наблюдающейся на опыте скорости движения ступени должно давать омическое падение потенциала и создавать концентрационную поляризацию возле линии роста ступени порядка нескольких или даже десятков милливольт. Однако опыт во многих случаях дает меньшую величину поляризации, чем рассчитанная с учетом объемной диффузии, движения ступени и конвекции, что позволяет допускать возможность поверхностной диффузии наряду с непосредственным разрядом на активных местах. Вывод о наличии концентрационного обеднения раствора возле линии роста подтверждается тем фактом, что, как упом януто выше, характер перемешивания раствора влияет на направление роста ступеней (см. раздел 9, стр. 79). [c.85]

На растущей грани вхождение ионов в кристаллоте-скую решетку в каждый момент времени происходит по фронту роста пакетов и, вероятно, преимущественно в конце незаконченных рядов атомов, а не но всей поверхности грани. Поэтому при недостаточно большой поверхностной диффузии или миграции разряд ионов может происходить не равномерно по поверхности грани, а преимущественно у точек роста. Кроме того, обычно не все грани кристалла растут с одинаковой скоростью. Поэтому средние значения плотности тока, отнесенные к общей геометрической поверхности кристалла, часто не имеют определенного физического смысла. Тем не менее можпо упомянуть о ряде интересных качественных выводов, кроме указанных выше, полученных обычными методами измерения поляризации. [c.88]

На основе приведенных данных можно предложить следующую схему образования феррита магния по механизму встречной диффузии катионов Mg +, Fe +, Fe . Так как скорость диффузии ионов железа в феррите магния несколько больше, чем в окиси магния, то при взаимодействии монокристалла окиси магния с окисью железа к границе раздела фаз Mg0/MgFe204 ионов железа поступает больше, чем их отводится в глубь кристалла. Поэтому в локальных микрообластях поверхностного слоя MgO в какой-то момент времени концентрация железа превышает равновесную, и пересыщение снимается эпитаксиальным ростом монокристаллического слоя феррита. В зависимости от времени взаимодействия размер диффузионной зоны окиси магния увеличивается незначительно, и скорость отвода ионов железа от поверхности раздела фаз Mg0/MgF204 меняется мало. По этой причине достижение критического пересыщения и, следовательно, скорость роста монокристаллического слоя феррита магния определяются диффузией ионов железа и магния через слой шпинели, а не их диффузией в монокристалле окиси магния. [c.7]

В процессах поверхностной диффузии большую роль играют активные центры сорбции и различные структурные дефекты поверхности [125], в частности существенное влияние на кинетику диффузии оказывают выходы дислокаций на поверхность кристаллов и поверхностные трещины, являющиеся местами скоплений диффундирующих ионов. Наличие посторонних примесей в приповерхностном слое (оксидов металлов, нерастворимых солей и др.), приводящих к торможению движения дислокаций и отравлению активных центров, а также к забаррикадированию поверхностных трещин, приводит к резкому торможению переноса массы и снижению поверхностной диффузии [126]. [c.101]

Известно, что в ионных кристаллах дислокации являются облегченными путями диффузии [149]. Следует, однако, иметь в виду, что в увлажненном образце сопоставление объемной и поверхностной диффузии усложняется в объеме кристалла диффундируют чистые ионы или их пары, а по поверхности — водносолевые комплексы. Поскольку ВСК в ряде случаев обладают сравнительно большой массой, их коэффициент диффузии может быть невелик. С другой стороны, будучи изолированными от электрических полей поверхности твердого тела, гидратированные ионы должны двигаться быстре, чем чистые ионы. [c.144]

Диффузионные процессы перемещения структурных элементов в твердых телах отличаются большим разнообразием. Различают самодиффузию — перемещение в кристаллической решетке ее же элементов и гетеродиффузию — перемещение чужеродных ионов, атомов или молекул. В зависимости от направленности процесса перемещения частиц различают объемную диффузию (в глубине решетки), поверхностную диффузию (по внешней поверхности зерен) и диффузию вдоль граней и дефектов кристаллов (по внутренним поверхностям тела). [c.255]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология