Точечные дефекты в ионных кристаллах

Рис. 1.91. Точечные дефекты в ионных кристаллах

I---Ь - + - + - + - + - - + - + - + -Рис 6 7 Точечные дефекты в ионных кристаллах [c.87]

Точечные дефекты в ионных кристаллах. Аналогичные дефекты (см. раздел 1 настоящего ) существуют и в кристаллах с ионной связью. В отличие от дефектов металлического кристалла дефекты в ионных кристаллах несут на себе определенный заряд. На рис. 259, а показаны дефекты (обозначенные пунктирными кружками), связанные с появлением вакансий (дефекты Шотки), а на рпс. 259, б — дефекты, возникшие от попадания отдельных ионов в междоузлие (дефекты Френкеля). Из-за наличия в структуре положительных и отрицательных ионов на вакансию, обозначенную на рис. 259, а стрелкой 1, может попасть только анион, а стрелкой 2 — катион. Энергия образования дефектов Шотки в щелочногалоидных кристаллах порядка 2 эв, дефектов Френкеля — 1,5 эв. [c.257]

I---Ь - + - + - + - + - - + - + - + -Рис. 6.7. Точечные дефекты в ионных кристаллах [c.87]

Точечные дефекты в ионных кристаллах [c.179]

Природа собственных ионных дефектов в ионных кристаллах в принципе не отличается от природы атомных дефектов в интерметаллических или полупроводниковых соединениях. Основными точечными дефектами в ионных кристаллах являются ионные вакансии и междуузельные ионы, отличающиеся от соответствующих атомных дефектов в неионных кристаллах лишь тем, что в основном энергетическом состоянии они заряжены. [c.131]

Наличие эффективных электрических зарядов у точечных дефектов в ионных кристаллах накладывает жесткое условие связи между их концентрациями, благодаря которому обеспечивается электронейтральность кристалла в целом. Поэтому наличие заряженных примесных центров в ионных кристаллах может приводить к радикальному изменению их дефектной структуры в зависимости от значений эффективных зарядов этих центров. [c.136]

Рис. 1.82. Точечные дефекты в металлической кристаллически а-вакансия 6-дефект внедрения Рис. 1.83. Точечные дефекты в ионных кристаллах о-дефект по Шоттки б-дефект по Френкелю пунктиром м

Совершенно ясно, что не изучив влияния давления на степень упорядоченности, невозможно построить замкнутую термодинамическую теорию реального кристалла. В частности, без этого нельзя определить объем разупорядочения ДУ — парциальный молярный объем точечных дефектов в ионном кристалле. Гидростатический диапазон давлений до 10 кбар является для физиков и химиков эффективным средством изучения свойств твердого тела. Действительно, исследования, проводимые в этом диапазоне давлений, имеют большую научную ценность, здесь сравнительно легко избежать искажающих эффектов сдвига, измерения относительно легки, а аппаратура, если и не является общедоступной, все же не требует от экспериментатора больших затрат средств, конструкторских усилий и уникального парка станков в механической мастерской. За последние годы был опубликован ряд работ, посвященных изучению проводимости и диффузии в ионных кристаллах при высоких давлениях. Подобные исследования все же требуют применения довольно сложных установок и, конечно, не могут быть многочисленными. [c.193]

СТАТИЧЕСКИЕ СМЕЩЕНИЯ ВОКРУГ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ [c.66]

Д. М. Мазо. Статические смещения вокруг точечных дефектов в ионных кристаллах...............66 [c.215]

Статические смещения вокруг точечных дефектов в ионных кристаллах. Мазо Д. М. Физические и физикохимические свойства ферритов , 1975 г., 66—72. [c.223]

Предложенный вниманию читателя обзор далеко не полон. Действительно, исследования точечных дефекто в ионных кристаллов, хотя бы галогенидов щелочных металлов и серебра, прежде всего сопряжены с изучением многообразных центров окраски и попытками интерпретации процесса образования скрытого фотографического изображения, между тем об этом в нашем труде по сути дела ничего не сказано. То же относится и к практически важным вопросам люминесценции, кинетике роста кристаллов, явлению спекания и т. п. [c.259]

Рис. 99. Точечные дефекты в ионном кристалле а — дефект Шоттки б — дефект Фртнкеля

Проведенное рассмотрение показывает, что для точечных дефектов в ионных кристаллах модели молекулярного кластера я КРЭЯ приводят к практически одинаковым результатам, которые согласуются также с полученными по методу ФГ. Учитывая это обстоятельство, модель молекулярного кластера можно применять и для более сложных по своей структуре точечных дефектов в ионных кристаллах, для которых расчеты на основе модели КРЭЯ и тем более по методу ФГ сопряжены с большими вычислительными трудностями. В частности, модель молекулярного кластера с успехом применялась для исследования парных активаторных центров (см. рис. 5.3), примесного атома магния (см. рис. 5.4), F-агрегатных центров (рис. 5.1, 5.2) в щело 1Но-галоидных кристаллах с высокой степенью ионности химической связи. [c.277]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология