Шотки дефекты

Простейшие виды дефектов структуры кристалла представлены иа рис. 49 и 50. Первые из них, называемые дефектами Френкеля, заключаются в том, что некоторые ионы из узлов кристаллической решетки смещены в другие положения. Нормальные места их в данный момент Остаются свободными и затем замещаются другими ионами. Вторые, называемые дефектами Шотки, заключаются в существовании свободных мест в различных узлах решетки. [c.143]

Точечные дефекты в ионных кристаллах. Аналогичные дефекты (см. раздел 1 настоящего ) существуют и в кристаллах с ионной связью. В отличие от дефектов металлического кристалла дефекты в ионных кристаллах несут на себе определенный заряд. На рис. 259, а показаны дефекты (обозначенные пунктирными кружками), связанные с появлением вакансий (дефекты Шотки), а на рпс. 259, б — дефекты, возникшие от попадания отдельных ионов в междоузлие (дефекты Френкеля). Из-за наличия в структуре положительных и отрицательных ионов на вакансию, обозначенную на рис. 259, а стрелкой 1, может попасть только анион, а стрелкой 2 — катион. Энергия образования дефектов Шотки в щелочногалоидных кристаллах порядка 2 эв, дефектов Френкеля — 1,5 эв. [c.257]

Рис. 259. Типы точечных дефектов в структуре ионного кристалла а — появление вакансии (дефект Шотки) б — внедрение дополнительных ионов между ионами, занимающими нормальные положения в структуре (дефекты Френкеля)

Поскольку в реальном кристалле обычно сосуществуют дефекты обоих типов (Шотки и Френкеля), постольку замещения вакансий и перескоки атомов по междоузлиям могут осуществляться параллельно. [c.257]

Таким образом, взаимодействие диффундирующих в монокристаллах собственных дефектов, типа дефектов Шотки, с примесными ионами существенно меняет картину диффузии. Точечные дефекты захватываются примесными ионами, образуя устойчивые центры. Примесь в этом процессе играет роль ловушек. [c.81]

В работе [58] предпринята попытка оценить влияние точечных дефектов поверхности на хемосорбцию водорода. Эта работа представляет особый интерес в связи с тем, что может служить прототипом квантовохимического исследования влияния промотирования на свойства гетерогенных катализаторов с целью предсказания их каталитической активности. В качестве первого примера в [58] рассмотрена адсорбция водорода на германии (кластер VI), изучены следующие дефекты а) вакансия атома Ое в центре фрагмента, б) дефект Шотки — добавочный атом Ое в междоузлии, в) твердый раствор замещения, в котором центральный атом Ое замещен атомами 81, Оа, Аз. Результаты рас- [c.68]

Дефект Шотки есть вакансия в кристаллической решетке. Электрическая нейтральность достигается образованием вакансий положительного и отрицательного ионов [74]. [c.337]

Атомные дефекты проявляются или в виде вакансий вакантных узлов кристаллической решетки дефекты Шотки), смещений атомов из узлов в междуузлия дефекты Френкеля) или в виде внедрения в решетку чужеродных атомов или ионов. В ионных кристаллах для сохранения электронейтральности кристалла концентрации дефектов Шотки и Френкеля должны быть одинаковы. [c.454]

Энергия активации процесса образования вакансии Шотки Ев 1 эВ, поэтому при 295 К пв/п г 10 при Т = 600/С — 10- и при Т = 900 К— 10 2. Энергия образования дефекта внедрения равна 3- 5 эВ. [c.454]

Повышение активности некоторых металлов (Си, N1), быстро охлаждаемых от температур 1300 °С, в реакции разложения муравьиной кислоты, свидетельствует о роли точечных дефектов. Роль дислокаций удалось проследить следующим образом. При бомбардировке атомами аргона серебра, вследствии внедрения атомов аргона в кристаллическую решетку серебра, возникают дефекты Френкеля и Шотки и дислокации. После отжига при [c.457]

Основоположники теории кристаллов с дефектами, Вагнер и Шотки [53, 54], применили приближение аддитивных вкладов в термодинамические функции кристаллов от всех сортов дефектов, выразили конфигурационную энтропию через число дефектов каждого сорта и, использовав условия равновесия кристалла, получил. зависимости активностей компонентов от величины от клонения от рационального стехиометрического состава для конкретных случаев наличия тех или иных комбинаций дефектов. [c.179]

Точечные дефекты по Шотки образуются в результате переползания атомов при нагревании тел на поверхность кристалла. [c.219]

Вакансия, образовавшаяся по этому механизму, называется дефектом по Шотки. В кристаллах металлов энергетически выгодны только дефекты по Шоттки, хотя возможно одновременное образование дефектов по Шоттки и Френкелю, но дефектов по Френкелю образуется настолько мало, что их не учитывают. [c.171]

В обычных условиях, когда диффузия протекает в равновесно разупорядоченной решетке твердого тела, число точечных дефектов и механизм диффузии определяются природой твердого тела и температурой в соответствии с уравнением Шотки или Френкеля. [c.21]

Здесь первый член характеризует равновесную концентрацию дефектов, определяемую уравнением Френкеля или Шотки, где 8 — энергия активации образования дефекта, а второй п, — избыточную концентрацию дефектов в окисле, которая изменяется со временем. [c.21]

Рнс. 49. Схема дефектов кристалли- Рис. 50. Схема дефектов кристаллической решетки АвВг по Я. И. Френ- ческой решетки ЫаС1 по Шотки. келю. [c.142]

ВАКАНСИИ (от лат. уасапз — пустующий, свободный) — узлы кристаллической решетки, не содержащие молекул, атомов или ионов. Относятся к точечным дефектам в кристаллах. Представление о В. сложилось в конце 20-х — начале 30-х гг. 20 в. Совокупность В. и атома, перешедшего в междоузлие, наз. дефектом по Френкелю, а отдельные В. при отсутствии атомов в междоузлиях — дефектом по Шотки.В ионных кристаллах, если нет дефектов др. типов, для соблюдения электронейтральности необходимо образование [c.166]

Рассмотрим упрощенную модель процесса отжига. Изменение (рост) удержания с изменением подводимой энергии Ед (концентрации экситонов и фононов) обратно пропорционально количеству имеющихся в области стабилизации атомов отдачи дефектов решетки п (по Шотки или Френкелю), образовавшихся в твердом вевдестве в результате действия атомов отдачи пх, при получении [c.184]

При термическом отжиге концентрация дефектов (по Фрекнелю или Шотки) меняется экспоненциально [c.185]

Особенности кристаллической TpyKijpu ЬаРз находят отражение в уникальных физических, особенно в транспортных свойствах при 300—1000 К. Работы Шера, Соломона, Ли и Мюллера [78] и Голдмана и Шена [79] доказали наличие в решетке ЬаРз исключительно высокой концентрации дефектов Шотки (большинство которых нейтрально) и связанный с этим быстрый обмен атомами фтора между кристаллографически различными местами. Существование большого числа дефектов в решетке ЬаРз и других фторидов, имеющих ту же или близкую структуру, проявляется в термических свойствах этих соединений, и прежде всего в теплоемкости Ср и связанных с ней величинах Н°т—Н°2д [c.141]

Поглощаемая в процессе облучения мономерными кристаллами энергия может оказать существенное влияние не только на акты зарождения цепей, но и на условия их роста. Как указывалось выше, энергия возбуждения обычно локализуется на примесях либо на дефектах, где инициируется рост цепей. Процесс роста цепей можно также рассматривать как процесс развития новых дефектов в кристалле, а активный конец цепи — как примесь или дефект Например, дефект аналогичный дефекту Шотке, характеризующийся наличием вакансии или микрополости в решетке мономера, непосредственно у активного центра, может возникнуть в результате уменьшения линейного размера полимерной цепи по сравнению с мономерной заготовкой, из которой она образовалась. [c.101]

Рассмотрим сначала бездефектную заготовку (а), в которой активный центр (радикал) сопряжен с очередной молекулой мономера и достигнуто соответствующее геометрическое расположение частиц, способствующее акту присоединения. На причинах устранения дефектов в заготовке (б), изображенных условно как дефект подобный дефекту Шотке, остановимся ниже. [c.102]

Повышение активности некоторых металлов (Си, Ы ), быстро охлаждаемых от температур 1300°С, в реакции разложения муравьиной кислоты, свидетельствует о роли точечных дефектов. Роль дислокаций удалось проследить следующим образом. При бомбардировке атомами аргона серебра вследствнп внедрения атомов аргона в кристаллическую решетку серебра возникают дефекты Френкеля и Шотки и дислокации. После отжига при 250°С концентрация точечных дефектов становится малой, а места выхода дислокаций сохраняются. Они и оказываются активными местами поверхности. [c.469]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология