Теория реального кристалла

Переходим к рассмотрению наиболее важного примера линейных дефектов, каким является дислокация в кристалле. Дислокации — это физические объекты, играющие в теории реальных кристаллов примерно такую роль, какую электроны играют в теории металлов. [c.185]

Указанные вопросы особое развитие получили в трудах А. Ф. Иоффе [10] и Я. И. Френкеля [11]. Введение в теорию реальных кристаллов представления о частичной диссоциации кристаллической решетки на ионы (атомы), находящихся в междоузлиях (Иоффе), и о подвижных пустотах, так называемых дырках (Френкель) было весьма плодотворным для развития современных взглядов на твердое (кристаллическое) и жидкое (расплавленное) состояние солей. [c.24]

Развитие современной физики твердого тела, сложившейся в результате сочетания теории реальных кристаллов и квантовой статистики, определялось, в первую очередь, требованиями, полупроводниковой электроники. В этой связи изучение оксидных систем ограничивалось узким кругом соединений, представляющих практический интерес для данной отрасли промышленности. По тем же причинам в области теории в первую очередь разрабатывалась физика твердого тела и, значительно меньше, химия, и особенно физическая химия нестехиометрических соединений. Изучение твердых нестехиометрических окислов, начатое Вагнером [2], Хауффе [3] и их сотрудниками, и сейчас находится в начальной стадии. Насколько нам известно, в области оксидных расплавов подобные работы вообще не проводились. Отсюда встает законный вопрос, в какой мере положения физики, установленные для твердых окислов применимы к жидким оксидным системам, в отличие от кристаллических тел, не имеющих дальнего порядка. Останавливаясь на этом вопросе А. Ф. Иоффе [4] писал ...в телах, лишенных дальнего порядка, какими являются жидкие расплавы, имеется как электронный, так и дырочный механизм проводимости. Более того, опыт показал,, что основные свойства полупроводников в первую очередь определяются ближним порядком , характером взаимодействия атомов или молекул, образующих данное тело, с ближайшими соседями . [c.46]

Изучение диффузии совершенно непосредственным образом-связано с изучением точечных и линейных дефектов, с исследованием процессов разупорядочения кристаллической решетки, со всей совокупностью опытных данных, лежащих в основе теории реального кристалла. Коэффициент диффузии собственных ионов кристалла чаще всего есть функция температуры вида [c.21]

Мы начнем эту главу с краткого введения, посвященного некоторым вопросам радиационной физики ионного кристалла. Исследования по радиационной физике и химии необходимы для развития теории реального кристалла, имеют самостоятельный интерес и важны для практики в связи с разнообразными применениями атомной энергии [1]. При изучении дефектов в ионных кристаллах используется ряд методов изменения концентрации дефектов. В дополнение к таким воздействиям, как термический отжиг, пластическая деформация, введение различных примесей, можно применять оптическое излучение, рентгеновские и гамма-лучи, потоки частиц высокой энергии и т. п. [c.163]

Совершенно ясно, что не изучив влияния давления на степень упорядоченности, невозможно построить замкнутую термодинамическую теорию реального кристалла. В частности, без этого нельзя определить объем разупорядочения ДУ — парциальный молярный объем точечных дефектов в ионном кристалле. Гидростатический диапазон давлений до 10 кбар является для физиков и химиков эффективным средством изучения свойств твердого тела. Действительно, исследования, проводимые в этом диапазоне давлений, имеют большую научную ценность, здесь сравнительно легко избежать искажающих эффектов сдвига, измерения относительно легки, а аппаратура, если и не является общедоступной, все же не требует от экспериментатора больших затрат средств, конструкторских усилий и уникального парка станков в механической мастерской. За последние годы был опубликован ряд работ, посвященных изучению проводимости и диффузии в ионных кристаллах при высоких давлениях. Подобные исследования все же требуют применения довольно сложных установок и, конечно, не могут быть многочисленными. [c.193]

Огромное влияние на свойства полупроводников и диэлектриков оказывают точечные и протяженные дефекты в кристаллах, теория которых является существом физико-химической и кристаллохимической теории реальных кристаллов. [c.6]

Хотя явление термоэлектричества и ряд Зеебека известны с 1822 г. (причем в этом ряду фигурировали и вещества, позже оказавшиеся полупроводниками), но лишь в 1929 г. А. Ф. Иоффе впервые указал на особую перспективность повышения к. п. д. термоэлектрогенератора на полупроводниках. Таким образом, к 1930 г. значение полупроводников для техники только начинало вырисовываться. Потребовалось создание современной теории твердого тела — теории реального кристалла и квантовой статистики, бурное развитие химии особочистых веществ (в связи с требованиями атомной энергетики) активный рост [c.11]

Практическая часть химии состоит в историческом познании изменений составного тела (курсив наш). Этот принцип должен быть признан основой не только передовой теоретической химии, но и ведуш,ей современной теории твёрдого тела—недавно возникшей теории реального кристалла. Последняя ломает многие положения созданной уже в XX веке теории идеального кристалла и, как нам кажется, вносит существенные поправки в ставшие классическими представления правила фаз и в ряд законов общей химии (см. 101 и след.). Поэтому, принцип Ломоносова по праву должен рассматриваться не в хронологическом порядке, не как веха давно пройденного этана науки, а как движущая сила современного естествознания. К нему мы вернёмся поэтому позже, в конце главы П. [c.148]

Как это вытекает из теории реального кристалла, в частности из представлений, развитых автором в вопросе о неприменимости законов Пру и Дальтона для интерпретации границ возможного фазового состава твёрдых тел (см. 104), особенно в кристаллах с ковалентными связями, возможно неравномерное распределение электронной плотности (в частности, и связывающих электронов) между атомами одного II того же элемента. [c.158]

Таким образом, молекулы СиС1 в паровой фазе и твердый хлорид меди — это вещества, разные по структуре, а следовательно, и по свойствам. Количественный состав твердого хлорида меди такой же, как и молекул на атом меди приходится атом хлора. Для хлорида меди в парах формула СиС является истинной, а для твердого состояния — только простейшей. Истинная формула кристаллического хлорида меди может быть написана, как для полимерного вещества (СиС1)д. На рис. 6, а представлена идеальная структура стехиометрического соединения АВ, когда все атомы размещены по узлам решетки. На рис. 6, б один атом А находится в междоузлии, а узел (откуда ушел атом А) остается незанятым. Рис. 6 отражает различное кристаллохимическое строение стехиометрического соединения одного и того же состава. Как показывают опыт и теория, реальные кристаллы предпочтительнее образуют дефектную структуру (рис, 6, 6), Концентрация же дефектов (в данном примере атом А в междоузлии и вакансия в узле) находится в зависимости от способа получения и предыдуп ей обработки вещества. [c.20]

Для выводов об атомной природе активных центров более важен вывод об атомизации, как о тенденции к относительному увеличению содержания вещества на поверхности в виде атомов и докристаллических атомных образований. Эти выводы подкрепляют ранее полученные данные об атомизации серебра на различных носителях [11] и находятся в согласии с теорией реального кристалла О. М. Полторака [12]. [c.151]

Наличие дефектов в решетке теперь хорошо объясняется теорией реального кристалла, который представляет собой динамическую систему. Интенсивное тепловое движение частиц в кристалле постоянно вызывает флюктуациапные отклонения от идеального рашорядка в нем. В каждый момент времени определенное число узлов в решетке кристалла оказывается не занятыми частицами, вследствие чего возникают пустоты, дырки, частицы при этом попадают в междуузлия. Особенно много дефектов в структуре идеальных кристаллов возникает в области температур, примыкающих к температуре плавления. При этом даже ничтожные [c.196]

Проблема концентрации вакапсш в твердых телах является очень важным элементом теории реального кристалла и прежде всего полупроводников и диэлектриков. Оценка концентрации вакансий и протяженных дефектов важна для понимания особенностей процессов электро- и теплопроводности, диффузии и самодиффузии и др. [c.406]

Хотя явление термоэлектричества и ряд Зеебека известны с 1822 г. (причем в этом ряду фигурировали и вещества, позже оказавшиеся полупроводниками), но лишь в 1929 г. А. Ф. Иоффе впервые указал на особую перспективность повышения к. п. д. термоэлектрогенератора на полупроводниках. Таким образом, к 1930 г. значение полупроводников для техники только начинало вырисовываться. Потребовалось создание современной теории твердого тела—теории реального кристалла и квантовой статистики, бурное развитие химии особочистых веществ (в связи с требованиями атомной энергетики), активный рост (на базе применения полупроводников) производства фотосопротивлений, фотоэлементов, термисторов, выпрямителей тока, варисторов, термоэлектрогенераторов и др. и, наконец, открытие транзистора (1947), чтобы оолупроводниковая электроника заняла ее современное место в новой технике радиоэлектронике, телемеханике, вычислительной технике, электровозостроении, атомной энергетике, ракетной технике, освоении космоса и т. д. [c.9]

При характеристике дальнего порядка в реальном кристалле необходимо рассматривать, кроме того, нарушения дальнего порядка геометрические (незанятые узлы, занятые междуузлия, трещины и др.) и физико-химические (атомы примесей в междуузлиях и др.). Этого рода явления специально исследуются в физико-химической теории реальных кристаллов с привлечением идей и методов статистической термодинамики (см. гл. П1 и УП). В физической химии полупроводников особо важное место занимает статистическое распределение электронов в кристалле (распределение Ферми—Дирака), см. гл. УП1. [c.100]

Современная кристаллохимия также развивается весьма однобоко, опираясь главным образом на электростатическую и стереометрическую теории твёрдого тела, которые мы считаем относящимися к переломному периоду кристаллохимии (см. 75—84). Современные курсы кристаллохимии, а также обзорные статьи недостаточно излагают выводы квантовой химии II особенно теории реального кристалла, но зато подробно останав-.тиваются на геометрической и электростатической теориях, как правило, недостаточных для трактовки структур реальных твёрдых фаз. Более того, стремясь представить структуру как плотную упаковку атомов-шаров , а ристал. [охимики часто не учитывают в сколько-нибудь достаточной мере влияния химических, кинетических, термодинамических факторов, влияния примесей, условия роста и т. п. С таким положением никак нельзя далее мириться. [c.20]

В заключение отметим, что большим достоинством зонной теории является намечающаяся, особенно в работах Коиобеевского и Зейца, тенденция к освещению с вышеуказанных позиций ряда проблем теории реальных кристаллов. [c.218]

Тем более сильное впечатление производит тот факт, что ещё в 1741 г. М. В. Ломоносов сформулировал замечательный принции, которым мы начинаем 70. Ие имея здесь возможности более подробно остановиться на теории реального кристалла, мы вынуждены отослать читателя к нашим статьям [57] и [68]. Ограничимся здесь лишь некоторыми замечаниями, изложенными в этом и следующих параграфах. [c.219]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология