Ионная модель структуры кристаллов

Для того чтобы определить структуру вещества, необходимо найти положения отдельных атомов или ионов, их чередование в пространственной решетке и расстояния между ними. Это осуществляют с помощью рентгеноструктурного анализа. Изучение структур показало, что существуют группы веществ, характеризуемые идентичными пространственными расположениями атомов и отличающиеся друг от друга только величиной межатомных расстояний. Поэтому существует понятие о структурном типе (например, у кремния и германия структура кристаллов типа алмаза). Значит, структуру этих элементов можно описать при помощи одной пространственной модели с указанием численных значений межатомных расстояний для каждого элемента. [c.27]

Ионная модель структуры кристаллов [c.129]

Под эффективным радиусом атома или иона понимается радиус сферы его действия, причем атом (ион) считается несжимаемым шаром. Используя планетарную модель атома, атом представляют как ядро, вокруг которого по орбитам вращаются электроны. Последовательность элементов в периодической системе Менделеева соответствует последовательности заполнения электронных оболочек. Эффективный радиус иона зависит от заполненности электронных оболочек, но он не равен радиусу наружной орбиты. Для определения эффективного радиуса представляют атомы (ионы) в структуре кристалла как соприкасающиеся жесткие шары, так что расстояние между их центрами равно сумме их радиусов. Атомные и ионные радиусы определены экспериментально по рентгеновским измерениям межатомных расстояний и вычислены теоретически на основе квантовомеханических представлений. [c.136]

Если исходить не из атомной, а из ионной модели строения кристаллов, надо представить себе взаимное влияние ионов, которые имеют сходную конфигурацию s p . Это влияние должно привести внешнюю структуру ионов к гибридной конфигурации sp4 , что требуется октаэдрической симметрией координационных ионов. Чтобы произвести соответственное возбуждение, надо, например, в случае I" перевести один 5s- и один 5р-электроны на 5d-и более высокие атомные орбитали (например, 6s). Энергия возбуждения, необходимая для этого, так велика, что в связи получается все же очень небольшая примесь ковалентности. [c.235]

Структуру кристалла ZnS можно объяснить с позиций ионной модели. Соотношение радиусов ионов Zn-+ (0,074 нм) и (0,182 нм) равно 0,40, что свидетельствует о тетраэдрической координации ионов относительно друг друга. [c.99]

Нетрудно видеть, что экспериментальные данные по зонной структуре тетраэдрических кристаллов А В и А В свидетельствуют против чисто ионной модели (А ) +(В ) и (А ) (В ) . [c.213]

В качестве примера кристаллических веществ, внутренняя структура которых отвечает ионной решетке, рассмотрим хлористый натрий. На рисунке V-8 схематически представлено строение элементарной ячейки этого вещества. Принимая сферическую форму ионов с определенными эффективными радиусами, внутреннюю структуру кристалла Na l следует представлять себе как плотную упаковку шаров различного радиуса. Так, эффективный радиус катиона натрия равен 0,98 A, а аниона хлора— 1,81 А (радиус катиона, как правило, меньше радиуса аниона). На рисунке V-9 представлена структура Na l в виде модели, в которой соблюдены соотношения размеров ионов при их плотной упаковке. [c.121]

Под структурой кристалла мы понимаем конкретное пространственное расположение материальных ча стиц (атомов, ионов, молекул). На рис. 155, 156 и 157 показаны структуры Си, a-Fe и Mg. На каждом рисунке указан масштаб, с помощью которого на пространственных моделях, изображенных на этих рисунках, можно определить расстояние между двумя любыми интересующими нас атомами. Так, для структуры меди кратчайшее расстояние между двумя атомами будет равно 2,55А, Для структуры золота это расстояние будет [c.142]

Если, напротив, донорные уровни анионных вакансий лежат выше акцепторных уровней катионных вакансий (рис. 5.1,6), то в основном состоянии кристалла электроны локализованы на катионных вакансиях, обеспечивая их отрицательный эффективный заряд, а лишенные электронов анионные вакансии имеют положительный эффективный заряд. Такая ситуация типична не только для кристаллов с характером связи, приближающимся к ионному, но и для соединений с промежуточным характером связи. Поэтому дефектную структуру таких соединений можно описывать в рамках ионной модели, согласно которой основное состояние соответствует заряженным вакансиям. [c.130]

Зонные модели кристаллов являются основой современной физики твердого тела и позволяют дать количественное описание движения электронов и дырок в кристалле, вычислить энергию кристаллической решетки и т. д. Однако при построении зонных моделей по обратным решеткам используют экспериментальные данные о строении реальных кристаллов, полученные дифракционными методами, тогда как в принципе структура кристалла должна быть следствием электронного строения его атомов. Вероятной причиной образования конкретных кристаллических структу]) мол ет служить взаимодействие ионов друг с другом, сближающихся вследствие ионной или металлической компоненты связи, в смысле возможности перекрывания их внешних электронных оболочек. Это третье приближение может дополнить модель свободных электронов и зонную теорию твердого тела. [c.204]

Отсутствие в соединении атома, легко фиксируемого благодаря преобладающему участию в рассеянии рентгеновских лучей, значительно уменьшает возможности исследования структуры на первых его стадиях. Главная трудность заключается в отсутствии разумных оснований для выбора фазовых коэффициентов или знаков структурных амплитуд при построении ряда Фурье первого приближения. К кристаллохимическим данным приходится прибегать уже на этой сравнительно ранней стадии исследования. Принципы плотнейшей упаковки молекул—в случае чисто органических кристаллов, плотнейшей упаковки шаров—в случае ионных кристаллов, плотнейшей упаковки комплексов и ионов внешней сферы—в случае комплексных соединений—часто позволяют найти одну или несколько правдоподобных моделей структуры. Иногда определенные соображения о размещении атомов могут быть высказаны, исходя из оптических, магнитных и других свойств кристалла. Расчет фаз дифрагированных лучей (или знаков структурных амплитуд при наличии центров инверсии) на основе этих данных позволяет построить ряд первого приближения. Распределение электронной плотности, получаемое в результате суммирования ряда, должно либо подтвердить, либо отвергнуть предполагаемую модель структуры. Если модель была в общих чертах правильна, расположение максимумов будет ей соответствовать, и дальнейшая работа заключается лишь в уточнении координат атомов путем перерасчета фаз и повторных построений ряда. Неправильность исходного варианта структуры обнаруживается при наличии резких разногласий между предполагаемыми координатами атомов и расположением максимумов электронной плотности. Может оказаться, что распределение электронной плотности, полученное в результате суммирования первого ряда, является настолько размытым, что не позволяет категорически подтвердить или отвергнуть структуру. В этом случае решение дается после построения нескольких повторных рядов. В случае правильности исходной модели последовательные приближения должны выделять структуру все более четко. В противоположном случае повторные построения рядов не приводят к положительному результату. Взятый за основу вариант строения кристаллов приходится отвергнуть и все расчеты производить снова, исходя из иного предположения о структуре. [c.515]

Подобраны условия выращивания кристаллов трех полиморфных модификаций глицина, различающихся системами межмолекулярных водородных связей и характером упаковки цвиттер-ионов в кристаллической структуре (спиральные цепи, одинарные складчатые слои, центросимметричные сдвоенные складчатые слои). Уточнены кристаллические структуры полученных модификаций. Исследовано полиморфное превращение Р-модификации в а-модификацию методом монокристальной рентгеновской дифракции, показано, что структура исходного кристалла нарушается в ходе фазового перехода не полностью, выявлены ориентационные соответствия между кристаллографическими осями двух фаз. Предложена модель превращения, основанная на учете роли водородных связей. [c.41]

Метод ЭПР-спектроскопии был впервые применен для исследования облученного природного кварца Дж. Гриффитсом, Дж. Оуэном и Дж. Бардом в 1954 г. Они идентифицировали центры, получившие впоследствии название А1-центров дымчатой окраски и присутствующие во всех синтетических кристаллах кварца, содержащих структурную примесь алюминия. Наблюдаемый (при 7<]50 К) спектр ЭПР состоит из шести групп по шесть линий в каждой (магнитная кратность (/ а=6). Появление сверхтонкой шестикомпонентной структуры (СТС) обязано взаимодействию неспаренного спина с магнитным моментом ядра алюминия (спин ядра / = 5/2). На основе экспериментальных данных О Брайен в 1955 г. рассмотрела модель такого парамагнитного центра и провела расчет схемы его электронных уровней в рамках приближения молекулярных орбиталей — линейных комбинаций атомных орбит (МО ЛКАО). По этой модели центр представляет собой дырку , локализованную на кислородах дефектного тетраэдра, в котором ион кремния замещен ионом алюминия, а недостающий заряд компенсируется щелочным ионом (Na+Li+) или протоном (Н+), располагающимся в структурном канале вблизи такого тетраэдра. [c.53]

Одним из представителей этой группы сорбентов является полисиликат натрия (ПС) с кристаллами в виде тонких пластинок правильной прямоугольной формы размером (2-н6)-10 м. Характерной особенностью кристаллов ПС и полученных на их основе путем кислотной обработки кристаллических поликремниевых кислот (ПК) является лабильность решетки, выражающаяся в том, что формирование пористой структуры происходит непосредственно в процессе сорбции молекул или ионов. (Возможно, что этот вид адсорбции в щелевидных микропорах, возникающих или проявляющихся в результате адсорбционного взаимодействия, потребует специального описания и модели.) [c.70]

Обычно при рассмотрении диэлектрических и других свойств соединений двойных окислов типа ВаТс 0 и изменений этих свойств под влиянием различных внешних факторов гетеродесмичноеть их структуры учитывается лишь косвенно в рамках ионной модели атих кристаллов. Такой подход не позволяет судить об относительной прочности конкретных связей. Облучение оказалось чувствительным и перспективным методом изучения именно этой стороны вопроса, имеющей прямое отношение к природе сегнетоэлектрических свойств кристаллов со структурой типа перовскита. [c.73]

Структура кристаллов типа каменной соли. Между ионами действуют в основном электростатические силы притяжения, не обладающие направленностью, и их величина определяется только расстоянием. Структуру, возникающую при взаимодействии двух симметричных ионов, можно рассматривать как соединение двух обладающих противоположным электрическим зарядом сфер. При образовании связи между положительно и отрицательно заряженными ионами легче всего образуется конфигурация с максимально возможной энергией связи (энергия решетки, см. разд. Б.З настоящей главы), и поэтому легче всего возникает трехмерная структура с наиболее плотной упаковкой. На рис. 4.2 представлена модель структуры НаС1. Если в узлах куба регулярно чередуются ионы Ыа+ и С1 , а в точке, которую примем за начало координат (0,0,0), находится ион С1 , то в трех направлениях х, у и г образуется следующая последовательность ионов С1-—Ыа+—С1 . Ионных кристаллов с такой структурой очень много, и эти структуры называют структурами типа ЫаС1 (типа каменной соли). Ближайшее окружение иона С1 в такой решетке состоит из 6На+, и координационное число С1 равно 6. Аналогично Ыа+ имеет координационное число 6. Следовательно, ион Ыа+ (или С1-) находится в центре октаэдра из 6 ионов [c.176]

НО которой положительно заряженные ионы металла образуют кристаллическую решетку, и эта решетка погружена в электронный газ , заполняющий весь кристалл устойчивость системы обусловлена электростатическим взаимодействием между ионами и электронами. Металлическую связь можно считать до некоторой степени подобной ковалентной связи. В натрии, например, каждый атом отдает только один валентный электрон из Зх-оболочки, и структура кристалла такова, что каждый атом окружен восемью соседними. Ковалентная связь может быть образована с любым из них обобществлением валентных электронов от двух атомов, но при этом заполняется только одна четвертая часть внешней валентной оболочки. Однако, если связь каждой пары рассматривать только частично насыщенной с обобществлением во времени данного валентного электрона с электронами каждого из восьми возможных ковалентно связанных соседних атомов, такую модель можно считать качественной моделью металла. Важно заметить, что в металлах, в отличие от веществ с ионной и ковалентной связями, валентные электроны дело-кализованы. Более удовлетворительное описание металлической связи приведено в гл. 2, где эта связь рассматривается с позиций квантовой теории. [c.15]

Бурне [17] исследовал температурную зависимость e Qq в этих соединениях с целью связать изменения сегнетоэлек-трических свойств в точке Кюри и констант квадрупольного взаимодействия. Однако во всех изученных соединениях e Qq изменялись с температурой очень незначительно. Исключение составляет Li[N.2H5]S04, в котором параметр асимметрии градиента электрического поля увеличивается от 10 до 40% при нагревании от —196 до Н-23 °С. Сегнетоэлектрический фазовый переход в этих соединениях, видимо, не связан с большими изменениями градиента поля в месте на ождения ядра лития. Расчет градиентов электрических полей в ионных кристаллах и сравнение с экспериментальными значениями e Qq дает очень важную информацию о структуре кристалла. Основной вклад в градиент электрического поля на рассматриваемом я ре в ионных кристаллах дают заряды окружающих ионов и индуцированные диполи. Поэтому расчеты градиентов производятся в большинстве случаев по электростатической модели точечных зарядов и диполей [25]. [c.183]

Дефекты структуры связаны с изменением расстояний частицы до ближайших соседей, с отсутствием атома (иона) в каком-либо узле решетки, со смещением атома (иона) из узла в между-узлие, с временными местными нарушениями структуры, вызванными световыми, рентгеновскими и -лучами, потоком а-частиц или нейтронов. Малая подвижность и большое время жизни дефектов структуры позволяют описать их наглядными геометрическими моделями и классифицировать их по чисто геометрическому признаку, а именно по числу измерений, в которых качественные нарушения структуры кристалла простираются на расстояния, превышающие характерный параметр решетки под качественными нарушениями понимается отсутствие соседних атомов или их непериодическое [c.308]

Аналогичная картина обнаруживается и в соединениях многовалентных элементов. Например, в оксидах металлов эффективные заряды ионов кислорода близки к —1 (см. табл. 1.1), несмотря на то, что валентность кислорода равна 2. Таким образом, по характеру химической связи оксиды металлов относятся к соединениям, промежуточным между ионными и валентными кристаллами. Тем не менее экспериментальные данные показывают, что в большинстве оксидов металлов, таких, как MgO, NiO, ZrOa и др., вблизи стехиометрического состава эффективный заряд вакансий кислорода равен двум и соответствует классической ионной модели, согласно которой кислород представляется двухзарядным ионом. Причина такого сильного несоответствия эффективных зарядов ионов и их вакансий в настоящее время неясна. Однако для теории разупорядоченности это обстоятельство оказывается чрезвычайно удобным. Благодаря ему при описании дефектной структуры оксидов ме- [c.130]

Известным аналогом периодических коллоидных структур мо-, жет служить кристалл монтимориллонитовой глины при его внутрикристаллическом набухании в водных растворах. При внутрикристаллическом набухании кристаллические плоскости толщиной каждая около 10 А раздвигаются и между ними образуются жидкие прослойки. Условием набухания является насыщение кристалла ионами Н+, или Na При очень низких концентрациях внутрикристаллические прослойки достигают толщины в 300 А. Одинаковость всех прослоек сохраняет периодическую структуру системы и позволяет по дифракции рентгеновских лучей измерять толщины прослоек. Полученные данные согласуются с теорией ДЛФО. Такой набухший кристалл служит хорошей моделью других периодических структур. С помощью этой модели можно также, как показал О. Г. Усьяров, обнаружить существование ближней и дальней потенциальной ям, энергетического барьера и влияние валентности ионов на закономерности набухания. [c.319]

Адсорбционное пространство цеолитов образовано пустотами (большими полостями), возникающими между элементами кристаллической решетки при удалении воды. Внутри самих элементов имеются малые полости. Так, для наиболее распространенных типов цеолита А и X диаметры больших полостей соответственно составляют 1,14 и 1,16 нм. Размеры окон, ведущих в малые и большие полости цеолитов, различаются между собой и могут изменяться в довольно широких пределах в зависимости от соотношения ионов кремния и алюс.шния и природы катиона. Так, в цеолитах типа А большие полости еоедиияются окнами диаметром 0,42 нм, а малые и большие — окнами диаметром 0,25 им. В большие полости цеолитов типа X ведут окна диаметром около 0,9 им. Структура кристалла цеолита NaA и модель его ячейки показаны на рис. 27. [c.61]

Проблема дефектной структуры окислов столь обширна и столь существенна, что ей следовало бы посвятить отдельную монографию, даже если исключить из рассмотрения силикаты, германаты, стекла и ряд, других специфических систем. Не претендуя на полноту изложения, ограничимся несколькими избранными примерами, далеко не охватывающими хотя бы тот класс окислов, который можно отнести к ионным кристалла. С самого начала мы должны различать стехиометрические и не-стехиометрические окислы. Такие вещества, как окислы щелочных земель АЬОз и ТЬОг, имеют состав, весьма близкий к сте-хиометрическому, и по характеру дефектности близки к галоге-нидам. Однако эти высокотемпературные материалы экспериментально изучаются с трудом и как модельные вещества уступают легкоплавким галидам. Окислы переходных металлов, редких земель и актиноидов обычно нестехиометричны. Это обусловлено малым разделением электронных уровней в незаполненных й- и f-oбoлoчкax атомов этих металлов, что позволяет легко переходить от одного зарядового состояния к другому без заметных затрат энергии. Так, например, в РеО при сте-хиометрическом избытке кислорода некоторые из ионов Ре легко замещаются ионами Р + с соответствующей перестройкой ионной и электронной структуры. Таким образом, отклонение от стехиометрии вызывает появление алиовалентных ионов — квазипримесей и дефектность структуры, казалось бы, должна рассматриваться в рамках привычной модели реального кристалла, т. е. по Френкелю или по Шоттки. [c.120]

Последняя треть XIX в. была особенно важной для развития химии. Открытие Д. И. Менделеевым в 1868 г. периодического закона и создание Лебелем и Вант-Гоффом тетраэдрической модели атома углерода определили новый этап в развитии химии. В 1900—1904 гг. идеи стереохимии были А. Вернером распространены на область неорганических соединений. Существование стереохимии является основн ш отличием современной химии от прежней, так же как и существование кристаллохимии является основным признаком новой кристаллографии. С гордостью мы можем сказать, что создание современной кристаллографии, выразившееся в завершении теории структуры кристаллов и в математическом выводе всех возможных законов расположения материальных частиц (атомов, ионов, молекул или радикалов) в кристаллическом пространстве, принадлежит нашему гениальному соотечественнику акад. Е. С. Федорову. В периоде 1885 по 1890 г. он создал свою бессмертную теорию 230 пространственных групп симметрии, к настоящему вре.мени подтвержденную тысячами экспериментальных работ и не знающую ни одного исключения. [c.6]

В альтернативном объяснении действия солей на белки на первое место ставится прямое взаимодействие между солью и группами белка. Было показано, что ряд Гофмейстера применим и к растворимости низкомолекулярных соединений, таких, как Н-ацетилтетраглицинэтиловый эфир, моделирующий поли-пептидный остов [34]. В этом случае интерпретация была основана на прямом взаимодействии между солью и пептидными группами. При смешивании водных растворов бромида лития с М-метилацетамидом были получены кристаллы, связи в которых могут служить еще одной моделью пептидной связи [35]. Определение структуры кристаллов методом рентгеновской дифракции показало, что ионы действительно могут взаимодействовать с веществами, моделирующими пептиды, причем это взаимодействие по своему характеру соответствует взаимодействию между ионом и диполем. Влияние солей на устойчивость белков можно объяснить также исходя из теории полимерных растворов, предполагая, что имеет место прямое взаимодействие между белком и солью [36]. [c.274]

В этой модели центральный ион (примесный в кристалле) рассматривается с детальным учетом его электронной структуры, а ионы окружения - как источники внешнего поля, в простейшем случае — чисто электростатического. Несмотря на сравнительную простоту модели, она позволила выяснить основные закономерности в оптических спектрах примесных ртутеподобных ионов в ЩГК и рассчитать в хорошем согласии с экспериментом характеристики этих спектров. Были исследованы также свойства, связанные с вырождением электронных состояний (эффект Яна — Теллера) и неадиабзтичностью [4]. Для примесных ионов с иезаполнедной -оболочкой модель центрального иона применена в [1] рассчитаны энергетический спектр примесного иона, тонкая структура и зеемановское расщепление термов, интенсивность и ширина полос оптического поглощения. [c.259]

Примесный ион Т1+ в катионном узле кристалла КС1 является одним из наиболее полно исследованных активаторных центров. Подробный обзор работ по этому поводу можно найти в монографии [4]. Последовательная теория центра КС1 Т1 развивается в работах Н. Н. Кристофеля с сотр. [4] на основе модели центрального иона. Для оценки расположения локальных уровней в зонной схеме соверщенного кристалла привлекается метод функций Грина (ФГ) [3]. Этот метод является достаточно общим и теоретически последовательным методом расчета электронной структуры кристалла с примесным центром. К сожалению, практическая его реализация, как отмечалось в 5.2, достаточно сложна. [c.267]

Поскольку кристаллизация полного фермента проводилась в присутствии ионов Mg2 , то для изучения структуры р-субъединицы были выбраны кристаллы, формирующиеся в присутствии этого иона. Напомним, что параметры элементарной ячейки составляют а = 77А, h = 177А и у = 63° и они относятся к плоской группе симметрии р21. Элементарная ячейка кристалла образована двумя основными областями, недоступными для контрастирующего вещества, и еще одной дополнительной областью, проходящей в виде непрерывной полосы через всю ячейку (рис. 1.53, а,6 соответственно). Расчеты трехмерной структуры проводили для пространственной группы Р2, используя электронные микрофотографии кристаллов в диапазоне углов наклона 60°. Трехмерная модель структуры двух основных недоступных для контрастирующего вещества областей (а на рис. 1.53) представлена на [c.198]

Проблема взаимосвязи структуры и свойств вещества затрагивается в книге еще не раз так, для описания кристаллов используются соответственно их структурным особенностям зонная теория или теория вандер-ваальсовых сил, а для объяснения своеобразия координационных соединений последовательно применяются разные подходы электростатическая модель ионной связи, метод ВС (или локализованных МО), теория кристаллического поля и, наконец, теория поля лигандов (или делокализо-ванных МО). Таким образом, читатель получает возможность ознакомиться с проблемами химической связи на самых разных уровнях-от доквантового до современного. [c.7]

Мы видим, что аморфные вещества не являются разупорядо-ченными кристаллическими веществами. И, таким образом, кристаллическая модель не может отражать природу аморфных веществ, так же как кристаллическая решетка не может содержать никакой информации о структуре аморфных веществ. Кристаллическая модель твердого вещества не отражает существования направленной составляющей связи, соединяющей структурные единицы твердого вещества. Между тем давно известно, что природа кристаллов определяется в конечном счете именно этим фактором. В самом деле, тип кристаллической структуры определяется характером межатомной связи и кристаллические структуры издавна классифицируются по типу связи ковалентной, водородной или ионной, металлической, молекулярной — ван-дер-ваальсовской. При этом различают координационные, каркасные, слоистые, цепочные и островные структуры. [c.162]

Твердое тело можно рассматривать как совокупность большого числа атомов, молекул или ионов ( 10 моль" ), связанных друг с другом обычными силами межатомного взаимодействия (см. гл. 4). Свойства твердого тела являются коллективными свойсгвами всей совокупности составляюишх его частиц. Твердое тело является в некотором роде большой молекулой , и подходы к описанию его свойств принципиально не отличаются от рассмотренных )з предыдущих главах для молекул. Однако большое число атомов, образующих твердое тело, делает невозможным прямое перенесение на него методов количественного расчета электронных и пространственных характеристик молекул и требует учета упорядоченности структуры твердого тела. В данной главе проиллюстрируем основную схему описания электронного строения твердых тел на примере атомных и молекулярных кристаллов, включающих бесконечное число идентичных атомов или молекул, однородно упакованных в регулярные ряды и плоскости, заполняющие весь объем кристалла. В отличие от такого идеального кристалла реальные кристаллические тела содержат дефекты кристаллической решетки, нарушающие регулярность. Крайним случаем нарушения регулярности является совсем случайное, хаотическое расположение атомов или молекул в твердом теле, какое наблюдается в аморфных твердых телах, как и в жидкостях. В зависимости от степени регулярности расположения атомов или молекул в твердом теле используют и различные модели для описания их строения и свойств. [c.523]

Частным случаем пироэлектриков являются сегнетоэлектрики (от названия кристаллов сегнетовой соли МаКС4Н40в НгО у которой это явление впервые было обнаружено). В нпх также самопроизвольно возникает поляризация, но лишь в некотором интервале температур. Чтобы описать наиболее существенные особенности явления сегнетоэлектричества, введем [19] модель гипотетического двумерного сегнетоэлектрического кристалла с химической формулой АВ (рис. 118, а). Ионы А, заряд которых мы предполагаем отрицательным, расположены в узлах простой квадратной решетки. Ионы В, имеющие положительный заряд, расположены на горизонтальных линиях, соединяющих ионы А. Предположим теперь, что при данной температуре Т все ионы В расположены ближе к ионам А, находящимся слева. Мы можем рассматривать каждую группу АВ как диполь. При этом структура может быть схематически представлена ансамблем диполей, направленных в одну сторону (упорядоченное состояние), как показано в верхней части рис. 118, б. В этом случае говорят, что кристалл спонтанно поляризован. [c.275]