Метод отражения электронов

Рентгеновская дифракционная картина отражает состояние решетки в объеме образца, так как глубина проникновения рентгеновских лучей колеблется в зависимости от природы образца и излучения от сотых до десятых долей миллиметра, а размеры элементарной ячейки, как правило, порядка нескольких ангстрем или десятков ангстрем. Поэтому дифракционная картина поверхностного слоя практически полностью затемняется картиной от объема. В катализе, как известно, существенную роль играет как раз состояние поверхностного слоя катализаторов. Для изучения фазового состава поверхностного слоя катализаторов пользуются методом электронографии [13—14], так как глубина проникновения электронных лучей гораздо меньше рентгеновских и составляет величину порядка десятков и сотен ангстрем. Для изучения порошковых катализаторов удобнее пользоваться методом отраженных электронных лучей. [c.389]

МЕТОД ОТРАЖЕНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ [8, 49, 60, 111] [c.121]

Потенциально большими возможностями для исследования гетерогенных пятнистых поверхностей обладает также метод отражения электронов, в котором используется отражательный электронный микроскоп. Схема эксперимента показана на рис. 9. Потенциал изучаемой поверхности подбирается таким образом, [c.121]

Рис. 9. Метод отражения электронов.

Используя эту закономерность отраженного -излучения, оказалось возможным разработать метод анализа бинарных сплавов, который стал именоваться как метод отражения электронов. Этот метод заключается в сравнении интенсивностей отраженного р-излучения от анализируемых сплавов и эталонов. [c.241]

Так как анализ бинарных сплавов методом отражения электронов не является методом непосредственного определения, то имеет большое значение идентичность физических состояний анализируемых сплавов и эталонов. Хотя в принципе метод позволяет производить анализ сплавов любых физических состояний, нами была принята за основную форма пятиокисей. [c.242]

Результаты анализов синтетических смесей Nb—Та методом отражения электронов [c.246]

Найдено по методу отражения электронов, % [c.246]

Например, защитную окисную пленку на железе мы изолировали электрохимическим путем и изучали диффракцию электронов в ней методом прохождения окисная пленка на алюминии изучалась нами методом прохождения после окисления тонкой пленки металлического алюминия. Таким образом, метод изоляции поверхностных пленок служил важным подспорьем при замене метода отражения электронов методом прохождения. [c.8]

Таннинный метод Хроматографический метод Гипофосфитный метод Метод изотопного разбавления Метод отражения электронов [c.247]

Из табл. 38 видно, что в пределах ошибок опыта для постоянной решетки MgO получается величина, совпадающая с общеизвестной величиной а = 4,20А. При разделении линий на электронограмме на линии металлического магния к -чкпии его окиси, конечно, учитывалось, что характер линий для обоих веществ различен (у MgO линии более размытые), что указанные здесь линии и в том и в другом случае являются наиболее интенсивными. Таким образом, и при изучении электронограмм, снятых методом отражения электронов, видно, что на поверхности магния при взаимодействии с воздухом происходит быстрое образование пленки нормальной окиси MgO. [c.128]

Типичная электронограмма ржавчины приведена на фото 61. В табл. 44 сопоставлены 1) средние результаты измерений межплоскостных расстояний по 14 электронограммам, полученным методом отражения электронов от шлифованной поверхности массивного куска железа, выдержанного в воде 1—2 часа 2) средние результаты таких же измерений по пяти электронограммам, полученным при просвечивании тончайших целлулоидных покрытых ржавчиной пленок, натянутых в воде на железную петельку. На целлулоиде обычно накапливалась та ржавчина, которая отставала от петельки и по высыхании капли воды (иногда содержащей добавку Na l) приставала к пленке. Рядом с этими данными приведены значения межплоскостных расстояний, которые были вычислены по известным постоянным решетки рубиновой слюдки у-РеООН. [c.136]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология