Комплексы галогенсиланов

КОМПЛЕКСЫ ГАЛОГЕНСИЛАНОВ И ДРУГИХ КРЕМНЕОРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ С ГАЛОГЕНИДАМИ ЭЛЕМЕНТОВ И ГРУППЫ [c.162]

Комплексы галогенсиланов с галогенидами элементов II группы [8 [c.163]

КОМПЛЕКСЫ ГАЛОГЕНСИЛАНОВ С ГАЛОГЕНИДАМИ АЛЮМИНИЙ [c.286]

Для реакции термоконденсации ферроцена с галогенсиланами в жидкой фазе предлагается механизм электрофильного замещения, характерного для ферроцена. Процесс начинается атакой на несвязанные электроны Зс -орбит атома железа, с дальнейшим преобразованием б-комплекса в сг-комплекс (объясняющим индукционный период) и протонизацией водорода циклопентадиенильного [c.465]

Стойкость к растворителям обычно не представляет проблемы при использовании минеральных носителей. Исключением является возможность образования растворимых комплексов переходных металлов, которые получаются при взаимодействии оксида переходного металла с комплексообразующим растворителем. Кроме того, следует учитывать возможность растворения поверхностного слоя оксидных носителей в галогеноводородных кислотах, образующихся при взаимодействии носителя с галогенсиланами или другими галогенсодержащими модификаторами. [c.26]

Комплексы галогенсиланов (1 1) можно рассматривать как четвертичные аммониевые соединения, например [H3SiN( H3)3]+I . В подходящих растворителях они проводят электрический ток. Соединения же типа SIH3I 2Ы(СНз)з тока не проводят. [c.573]

ПО упругости насыщенных паров комплексов бора при комнатной температуре говорит о значительно большей стабильности последних. Сам по себе факт полной или почти полной диссоциации в газовой фазе комплексов, образованных галогенидами кремния, является важным и заслуживает дальнейшего обсуждения. По-видимому, здесь мы имеем дальнейшие доказательства того, что, несмотря на меньший ковалентный радиус бора (0,79 Д) по сравнению с радиусом кремния (1,18 А), а также на возможное существенное влияние стерических факторов на рассматриваемые равновесия (о чем сообщили Браун с сотрудниками [34] на примере аддуктов типа (СНз)зМ-ВКз с Р-напряжением), акцепторная способность формально трехвалентного бора превышает акцепторную способность формально четырехвалентного кремния даже в наиболее благоприятном для последнего случае 51р4. Такое сравнение справедливо, конечно, при условии, что в комплексах триметиламина с галогенсиланами действительно имеется о-связы-вание с расширением октета у кремния. В пользу последней точки зрения свидетельствует чрезвычайно низкая удельная электропроводность аддукта (СНз)зЫ-5 р4 в расплавленном состоянии, равная 1,4-10 шГ - см [32]. Это означает, что аддукт не может иметь ионной структуры [(СНд)зМ — 51Рз1Т. [c.28]

Реакции органоксисиланов с галогенводородами могут быть интерпретированы следующим образом. На первом этапе взаимодействия во всех случаях образуются соответствующие галогенсилан и спирт (или фенол) по схеме (351а). При этой реакции, очевидно, происходит атака протоном галогенводорода кислородного атома алкоксисилана с образованием более или менее (в зависимости от природы и строения реагентов) ионизированного переходного состояния или комплекса, распад которого ведет получению конечных продуктов [см., например, схему (356) ]. Далее, однако, возможно взаимодействие образовавшегося спирта с галогенводородом, приводящее к получению галогеналкила и воды. Известные закономерности этой реакции соответствуют выходам галогеналкилов в реакциях алкоксисиланов с галогенводородами способность спиртов превращаться в соответствующие алкилгалогениды возрастает при переходе от НС1 к Н1 и при увеличении разветвленности спирта. Фенолы с галогенводородами не реагируют [2081]. Полисилоксаны, образующиеся при взаимодействии алкоксисиланов с галогенводородами, являются продуктами гидролиза исходного алкоксисилана и хлорсилана [c.211]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология