Энергия взаимодействия с носителем

Тефлон — неполярный неспецифический адсорбент, более неспецифический, чем графитированная сажа. С помощью специальной обработки его превращают в гранулы. Без этого он слеживается и обладает плохой сыпучестью. Энергия взаимодействия адсорбент — адсорбат определяется дисперсионными силами. Применяется как адсорбент и как носитель в ГЖХ для разделения высококипящих веществ. Размер зерен 0,5—1 мм, плотность 2,2 г см . [c.87]

Слабое возбуждение частиц, как показывает теория, можно разложить на отдельные почти независимые элементарные возбуждения. Полная энергия системы вблизи ее основного состояния складывается, таким образом, из энергии основного состояния и суммы энергий отдельных элементарных возбуждений. Но так как средняя энергия элементарных возбуждений оказывается меньше энергии взаимодействия между частицами, представляющими собой строительный материал конденсата, то последние не могут явиться элементарными носителями движения. Такими носителями становятся сами элементарные возбуждения, которые поэтому и называют квазичастицами. [c.72]

Методом хроматографии разделяют вещества благодаря различиям их скоростей миграции по колонке. В относительных единицах эти различия характеризуют степень разделения, обеспечиваемую колонкой. Они зависят полностью от свободных энергий взаимодействия разделяемых веществ с неподвижной фазой. Скорость потока газа-носителя вносит вклад только в регулирование абсолютных значений скоростей миграции различных компонентов пробы, т. е. в продолжительность анализа. [c.72]

На начальных стадиях формирования напыленных металлических пленок индивидуальные трехмерные частицы металла образуются из очень небольших зародышей, содержащих лишь несколько атомов. Будут ли эти зародыши, или атомные агрегаты, двумерными или трехмерными, зависит от количества атомов металла в первичном зародыше и их взаимодействия с носителем. Если энергия взаимодействия атома металла с носителем мала по сравнению с энергией взаимодействия металл— металл, геометрическое строение зародыша определяется максимальным числом взаимодействий металл—металл между соседними атомами. Предположим, что энергия взаимодействия между двумя ближайшими соседями х постоянна и аддитивна. Следовательно, для зародыша Мг энергия диссоциации равна X, для зародыша Мз линейного строения — 2х, для такого же зародыша, имеющего форму равностороннего треугольника,— Зл , для зародыша М4 линейного строения — Зх, для М4 в виде квадрата —4л и для М4 в виде тетраэдра — 6х. Следовательно, наиболее стабильными структурами для Мз и М4 должны быть равносторонний треугольник и тетраэдр соответственно. Тем не менее влияние носителя на геометрию зародыша не всегда можно не учитывать. Например, известно, что некоторые металлы с г. ц. к. структурой, напыленные в виде эпитаксиальных пленок на ионные носители типа поваренной соли, образуют металлические грани (100), параллельные грани(ЮО) подложки. Из этого следует, что квадратное строение для М4 также может быть устойчивым, если взаимодействие с носителем достаточно сильное. Менее четко кристаллографически выраженные носители, по-видимому, оказывают меньшее влияние. Однако к результатам предсказания вероятной геометрии небольших зародышей нужно подходить очень осторожно, так как используемые для этого теоретические модели еще только [c.251]

Концентрация диффундирующих атомов определяется разностью между теплотой атомизации металла АЯм и энергией взаимодействия атом—носитель АЯц. Если ДЯн соответствует энергии физической адсорбции, концентрация атомов при обычных температурах спекания незначительна. Она становится существенной, только если АЯд составляет хотя бы половину АЯм. В условиях восстановительной среды это маловероятно, по крайней мере для чистых окисных носителей. В условиях окислительной среды АЯн увеличивается, и для благородных металлов преобладающими становятся подвижные молекулы окислов. Процесс переноса между частицами по поверхности или через газовую фазу при этом можно описать количественно. В последнем случае также справедливо уравнение (5), но с г = 2. [c.287]

ДЯ —энергия взаимодействия атома с носителем 5 Н — коэффициент теплоотдачи [c.13]

Отрыв атома металла от кристаллита. Возможность миграции атомов до публикации работ [4.28, 4.29] не учитывалась из-за того, что процесс отрыва атома металла от кристаллита и перехода на поверхность носителя считался энергетически невыгодным. Поскольку теплота сублимации, например, платины равна 564 кДж/моль, а атом металла на поверхности оксидного носителя обычно считается адсорбированным физически (т. е. связанным силами Ван-дер-Ваальса) с теплотой меньшей, чем 83 кДж/моль, то энергия активации отрыва атома должна была быть не ниже 480 кДж/моль. Между тем спекание кристаллитов металлов, таких как платина, протекает обычно при температурах между 500 и 700 °С. Для того чтобы в этих условиях скорость спекания была заметна, необходимо, чтобы энергия активации была ниже 250—310 кДж/моль. Последнее, в свою очередь требует более сильного взаимодействия атома металла с поверхностью носителя. В работе [4.34] обнаружено, что наличие поверхностных дефектов или продуктов крекинга углеводородов увеличивает энергию взаимодействия металла с носителем. Эти данные послужили обоснованием для того, чтобы постулировать механизм, который включает более сильное, чем физическая адсорбция, взаимодействие атома металла с поверхностью носителя, что н понижает наблюдаемую энергию активации по крайней мере до 310 кДж/моль. [c.77]

Вариант в можно использовать только в том случае, если учитывается, что смешиваемость или, точнее, энергия взаимодействия соответствующих фаз влияет на хроматографическое поведение системы [174], и при ограниченной смешиваемости (соответственно при значительном взаимодействии между жидкими фазами) в отличие от вышеприведенного уравнения найдены нелинейные соотношения [175]. Кроме того, в зависимости от молекулярной массы использованных жидкостей в варианте в на носителе легко происходит разделение фаз, что приводит к изменениям параметров удерживания [176]. [c.235]

Индексы Ковача можно рассматривать как шкалу абсолютных значений свободных энергий взаимодействия веществ с данной жидкой фазой. В этой шкале за единицу принимается одна сотая часть разности энергии взаимодействия данной фазой двух соседних н-алканов, а за нуль — энергия взаимодействия с газом-носителем. Следовательно, величина А/—АР пропорциональна изменению свободной энергии смешения. Поскольку изменение свободной энергии взаимодействия с изменением обратной температуры пропорционально энталь- [c.25]

Если же число свободных носителей в чистом кристалле невелико, то при взаимодействии носителей, введенных примесью с точечными дефектами, выделяется энергия, которая может скомпенсировать энергию, затрачиваемую на образование точечных дефектов. Иными словами, если энергия образования дефектов, мала по сравнению с их энергией ионизации, то все свободные носители, создаваемые примесью, будут компенсироваться в результате образования ионизированных дефектов, и кристалл при всех равновесных условиях будет изолятором. Поэтому эффект компенсации электрически активных примесей ионизированными точечными дефектами должен проявляться в полупроводниках с большой шириной запрещенной зоны, в которых число свободных носителей мало, даже при высоких температурах, при которых примесь вводится в кристалл. [c.217]

Все это было представлено в математическом, но простом виде Лондоном. Он указал, что расположения, изображенные на рис. 8.3, бив, если их рассматривать с достаточного расстояния, можно считать простыми электрическими диполями. Поэтому при относительно больших межъядерных расстояниях, наблюдаемых в жидком гелии, энергии конфигураций гид могут быть приближенно приравнены легко вычисляемой энергии взаимодействия диполей. Рис. 8.4 демонстрирует характер приближения для рассмотрения двух конфигураций рис. 8.3, гид. Остается только определить отношение вероятностей благоприятной (рис. 8.4, а) и неблагоприятной конфигурации (рис. 8.4, б). При вычислении этого отношения предполагается, что один из атомов может рассматриваться как подвижный носитель заряда, который может быть поляризован в диполь под влиянием мгновенного дипольного момента своего соседа. Подобный наведенный диполь всегда возникает в энергетически более благоприятной системе, т. е. расположен так, что способствует конфигурации, соответствующей притяжению. [c.250]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология