Галогениды элементов III

Координационные числа атомов металлов в галогенидах элементов III группы [c.297]

Двухатомные галогениды элементов III группы Тригалогениды редкоземельных элементов. . . [c.4]

Спектральные параметры ЯКР галогенидов элементов III группы [c.149]

Двухатомные галогениды элементов III группы. Наличие инертной пары электронов 5 у элементов П1 группы приводит к существованию в газовой фазе моногалогенидов алюминия, галлия, индия и таллия. [c.197]

В табл. 1 приведены полученные нами, а также известные из литературы данные о типах взаимодействия и координатах особых точек в системах ЭГ4 — галогенид примесного элемента. Легко видеть, что для тетрагалогенидов кремния и германия совершенно нетипично ассоциативное взаимодействие с галогенидами элементов III—V групп. За исключением систем, где второй компонент — тетрагалогенид кремния (германий), титана и олова, характерным является эвтектический тип с весьма малой растворимостью примесного компонента в твердом ЭГ4. Эвтектический тип превращения в исследованных нами системах с вырожденной эвтектикой подтвержден с привлечением метода нормальной направленной кристаллизации. [c.117]

Частоты (см 1) активных в ИК-спектре колебаний мостиковой и концевой связей МХ в некоторых димерных галогенидах элементов III группы [c.148]

Комплексы галогенидов элементов III группы являются одними из наиболее полярных химических соединений. Высокое значение дипольного момента связано прежде всего с большой степенью переноса заряда. Кроме того, некоторый вклад в ДМ комплекса [c.126]

V.4. КОМПЛЕКСЫ С ГАЛОГЕНИДАМИ ЭЛЕМЕНТОВ III ГРУППЫ [c.323]

Таблица IV.3. Дипольные моменты галогенидов элементов III группы в неполярных растворителях

Силовые константы галогенидов элементов III и IV групп, [Данные для InJ], [c.128]

Учитывая целевую направленность этих веществ, наибольшее внимание уделено их отношению к галогенидам элементов III и V групп периодической системы — источникам акцепторных и донорных примесей в конечных полупроводнико- [c.116]

В работе изучали ряд систем ЭГ< с примесными компонентами, в основном, галогенидами элементов III—V групп. Наиболее подробно исследовали области с концентрацией 90— 100% мол. ЭГ4 с последующим расчетом по этим данным ka примесных компонентов. Получение такой информации потребовало разработки специальной методики высокочувствительного дифференциально-термического анализа с учетом особенностей изучаемых обьектов [1]. [c.117]

В кристаллическом состоянии ЛЮ , пС и Т1С18 имеют несколько искаженную слоистую решетку типа хлорида хрома (см. гл. 29.В.3) с октаэдрически координированным атомом ккталла. Бромиды, иодиды, а также 03 01 [51 образуют решетки с димерными молекулами (рис. 18.1), и, поскольку межмолекулярные силы в этих решетках не особенно велики, эти соединения имеют низкие точки плавления. В парообразном состоянии хлорид алюминия также димерен, т. е. при парообразовании происходит существенное изменение координационного числа. Эти структуры с ковалентными связями существуют в парообразной фазе при температурах, не слишком превышающих точку кипения. При достаточно же высокой температуре наблюдается диссоциация с образованием плоских треугольных мономеров, аналогичных галогенидам бора. Весьма вероятно, что д-1я нодида галлия эта диссоциация заметна даже в точке кипения. Галогениды элементов III группы легко растворимы во многих неполярных растворителях, таких, как бензол, в которых они существуют в виде димеров. Энтальпия диссоциации А18Хв(г) = [c.288]

Еще одна специфическая область приложения кристаллизационных методов — это глубокая очистка агрессивных, зачастую склонных к гидролизу жидких галогенидов элементов III—V групп и других аналогичных соединений, находящих применение при эпитаксиальном наращивании и легировании полупроводниковых пленок, широко используемых в современной радиоэлектронике. В данном случае кристаллизационная очистка оказывается предпочтительнее распространенных химических и физико-химических процессов очистки, при проведении которых не исключена возможность перехода примесей из экстрагента, комплексообразователя, ионообменника в очищаемый объект, с чем нельзя не считаться ввиду его высокой агрессивности и исключительно высоким требованиям к конечной чистоте продукта. Кроме того, применение кристаллизационных методов к подобного рода соединениям хорошо согласуется с общей тенденцией получения особо чистых веществ — понизить температуру процесса ультраочистки, чтобы свести к минимуму возможную диффузию примесей из материала аппаратуры, а также взаимодействие последнего с очищаемым веществом. [c.81]

В зависимости от условий эксперимента и от выбранного соче" тания донор — акцептор галогениды элементов III группы могут образовывать комплексы разного типа яст-, ли- или 0-комплексы. Работ, посвященных исследованию этой группы соединений, довольно много подавляющее большинство из них относится к системе А1Вгд— бензол, которую мы и рассмотрим в первую очередь. [c.323]

Спектроскопически было показано, что сопряжение в ароматическом амине при образовании комплексов с этими кислотами нарушается и дипольные моменты межмолекулярных связей в комплексах кислот с алифатическими и ароматическими аминами близки между собой. Разность между теплотами образования комплексов кислоты с алифатическим и ароматическим аминами характеризует энергию ря-сопряжения в молекуле амина. Так, для диметиланили-на она равна 10,5 и 9,9 ккал/моль при комплексообразовании с трифтор- и трихлоруксусными кислотами [239]. Найденные значения оказались близки к значениям, приведенным для диметилани-лина в табл. V.10, которые были получены при исследовании комплексообразования с галогенидами элементов III группы. [c.391]

Одной из важнейших задач исследований в области химии й химической технологии является разработка эффективных методов разделения смесей и глубокой очистки веш,еств. Это обусловлено прежде всего постоянно растущими потребностями разнообразных отраслей народного хозяйства в увеличении ассортимента индивидуальных веществ — особочистых металлов, полупроводниковых соединений, мопометров и т. д. С этой точки зрения значительный интерес представляет проблема очистки низкоплавких галогенидов элементов III—V групп, которые находят все большее применение в качестве полупроводниковых материалов и материалов для жидкостных лазеров. Поскольку эти вещества имеют молекулярную кристаллическую решетку, им свойственны низкие температуры кипения и плавления и, следовательно, для их очистки могут быть использованы как днстилляционные, так и кристаллизационные методы, а также их сочетание. [c.47]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология