ЭПИТАКСИЯ ПРИ ХИМИЧЕСКОМ РОСТЕ СЛОЕВ

ЭПИТАКСИЯ ПРИ ХИМИЧЕСКОМ РОСТЕ СЛОЕВ [c.169]

Эпитаксия металлов в результате протекания поверхностных химических реакций изучалась в работах [11— 15]. Горбунова [11] наблюдала ориентированную кристаллизацию нескольких металлов при химическом замещении путем погружения цинковых монокристаллов в раствор соли более благородного металла. Наиболее интересные результаты получены при кристаллизации таллия на плоскости базиса монокристалла цинка. Микроскопическое изучение осадка показало, что на первой стадии роста слой таллия представлял собой плотное сплошное образование. Затем, вследствие быстрого роста благоприятно ориентированных зародышей, над первичным слоем образовывались отдельные хорошо различимые и строго ориентированные кристаллы. [c.107]

Ориентированная кристаллизация продуктов химических реакций на исходном веществе представляет собой весьма распространенный процесс. В настоящее время подробно изучена эпитаксия при окислении металлов и некоторых других веществ, а также ориентированный рост при образовании и распаде солей. Однако получение монокристальных слоев и изучение эпитаксических соотношений при химическом взаимодействии возможно [c.22]

Пленочные материалы. Для получения пленок на поверхности материалов применяют различные методы. Один из них — эпитаксия. Напомним, что эпитаксией называют ориентированный рост слоев материала на поверхности монокристалла, кристаллическая решетка которых повторяет структуру подложки. Методы эпитаксиального наращивания обычно подразделяют на две группы прямые и косвенные. При прямых методах частицы полупроводника переносятся от источника на подлонску без промежуточных химических реакции путем испарения из жидкой фазы, сублимацией и т. п. При косвенных л етодах атомы полупроводника полу- [c.160]

Особенностью химического роста, в том числе и прп окислении, по сравнению с другими случаями эпитаксии является то, что после образования первого слоя химического соединения последующий процесс усложняется объемной диффузией. Для непрерывного роста необходимо, чтобы вещества подложк 1 ли второго реагента, либо и то и другое, продиффупдировали через слой уже образовавшегося химического соединения. Часто объемные изменения при образовании химических соединений настолько велики, что ориентированный рост наблюдается лишь в тончайших слоях, уступая затем произвольной ориентации кристаллов. [c.192]

Как правило, при химическом взаимодействии ориентированное нарастание имеет место лишь при некоторых оптимальных экспериментальных условиях. По-видимому, совершенство ориентировки связано со скоростью реакции степень совершенства ориентировки увеличивается с уменьшением скоросги роста слоя. В частности, при взаимодействии галогенов с металлами слой соли ориентировано нарастает при малом содержании галогена в реакционной среде (так, при эпитаксии Ag l на серебре содержание I в воздухе должно быть < 5%). Прп больших концентрациях реагента и при экзотермической реакции выделяется много тепла, скорость реакции увеличивается и в осадке наблюдаются кристаллы с произвольной ориентировкой. [c.192]

Эпитаксия — это полное воспроизведение кристаллографической ориентации подложки в выращенном на ней слое вещества. Различают автоэпитак-сию — рост на одноименной подложке — и гетероэпитаксию — рост н 1 химически отличающейся подложке. [c.147]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология