Эпитаксия металлов

Эпитаксия металлических пленок. Изучение эпитаксии металлов было сильно стимулировано в последние годы тем обстоятельством, что посредством этого процесса получают тонкие моно-кристаллические пленки металлов, необходимые для электронно- [c.99]

Как мы увидим далее, необходимость нагрева подложки для увеличения степени ориентировки наиболее отчетливо проявляется при эпитаксии металлов и солей. Это не означает, что в других случаях эпитаксии структура конденсата не зависит от температуры подложки. Соответствующие температуры могут лежать ниже 0° С, т. е. в той области, которая мало исследована экспериментально. Увеличение температуры конденсации,, т. е. уменьшение пересыщения, приводит к улучшению степени ориентировки и одновременному увеличению размеров изолированных кристаллитов, растущих из зародышей. [c.40]

Эпитаксия металлов и окислов рассмотрена в гл. 5. [c.100]

Взаимная эпитаксия металлов [c.106]

Эпитаксия металлов в результате протекания поверхностных химических реакций изучалась в работах [11— 15]. Горбунова [11] наблюдала ориентированную кристаллизацию нескольких металлов при химическом замещении путем погружения цинковых монокристаллов в раствор соли более благородного металла. Наиболее интересные результаты получены при кристаллизации таллия на плоскости базиса монокристалла цинка. Микроскопическое изучение осадка показало, что на первой стадии роста слой таллия представлял собой плотное сплошное образование. Затем, вследствие быстрого роста благоприятно ориентированных зародышей, над первичным слоем образовывались отдельные хорошо различимые и строго ориентированные кристаллы. [c.107]

Основными объектами при изучении взаимной эпитаксии металлов долгое время были электролитические осадки. С помощью дифракционных методов ориентированный рост при электролитическом осаждении впервые исследовали Вуд [21] и Томсон [22]. Вуд рентгенографически изучал пленки меди и никеля, осажденные на текстурированном медном катоде, и определил экспериментальные условия, при которых наблюдается ориентированная кристаллизация. Томсон для определения ориентировок исполь-108 [c.108]

Большой интерес представляют результаты электронографического изучения конденсированных на монокристальных подложках тонких слоев металлов. Ниже (гл. 6, п. 1) мы рассмотрим процессы зародышеобразования у металлов на первой стадии конденсации, а в настоящем разделе приведем лишь количественные результаты многочисленных исследований эпитаксии металлов при конденсации из паровой фазы [39—61]. Результаты этих работ представлены в табл. 20—25. [c.109]

Параллельные ориентации при взаимной эпитаксии металлов с кубической гранецентрированной решеткой [c.110]

Взаимная эпитаксия металлов с объемноцентрированной и гранецентрированной кубическими решетками [c.111]

Некоторые случаи эпитаксии металлов [c.112]

Некоторые случаи отсутствия эпитаксии металлов [c.112]

Эпитаксия металлов на слюде, кальците и на других кристаллах [c.128]

Эпитаксия металлов на слюде (мусковите) изучалась в работах [88, 90, 127—129, 131 — 135] (табл. 29), на кальците — в работах [90, 127] (табл. 30). Во многих случаях наблюдаемая дифракционная картина интерпретировалась за счет нескольких ориентаций, зависящих от температуры. В табл. 30 А относится к направлению [001] кальцита, так как никакие другие плотно-упакованные ряды атомов двух решеток не параллельны. При эпитаксии металлов на слюде значения А очень высоки, если рассматривать сопряжение единичных элементарных ячеек. Однако сопряжение кратного числа ячеек серебра с одной ячейкой в плоскости скола слюды приводит к небольшим значениям Д (табл. 29). Данков с сотрудниками [129], изучая кристаллизацию серебра на слюде, сообщили о существовании наряду с ориентированным слоем кубического гранецентрированного серебра новой гексагональной модификации. металла. Этот результат в работах других авторов не подтвердился. [c.128]

Ре зультаты изучения эпитаксии металлов на других кристаллических подложках приведены в табл. 31. В подавляющем боль-128 [c.128]

Эпитаксия металлов на слюде [c.129]

Эпитаксия металлов на кальците [J27] [c.129]

Эпитаксия металлов на некоторых кристаллах [c.130]

Электролитическое осаждение является довольно распространенным методом при изучении взаимной эпитаксии металлов. Методика электроосаждения ориентированных слоев по существу не отличается от технологии любого процесса электрокристаллизации. Условия электроосаждения металлов и теория протекающих при этом процессов описаны в монографиях [36—40] и в большом количестве оригинальных работ. Специально ориентированной электрокристаллизации посвящены обзоры Финча с сотрудниками [41] и Хозерселла [42]. Полезные сведения об экспериментальных особенностях этого метода ориентированной кристаллизации имеются в работах [43—48]. [c.21]

Примечание. А — монокристальная пленка с ориентацией (001), получена при эпитаксии металл/Na l Б--монокристальная пленка с - Ориентацией (111), получена при эпитаксии металл/слюда В — травленая поверхность монокристалла Г--плоскость скола монокристалла g Д—-поликристаллическая поверхность Р — способ роста из раствора П —способ роста из пара. При наличин окисной пленки Д не рассчитывалось. [c.103]

Представляют интерес систематические исследования взаимной эпитаксии металлов, выполненные Шираи, Фукуда и Номура [61]. В работе этих авторов электронографическим методом изучались конденсаты N1, Си, Рё, А1, Аи, А и РЬ (толщина [c.109]

Впервые эпитаксия металла (Ag) на ионном кристалле (Na l) при конденсации из паровой фазы в вакууме наблюдалась Лассеном [71]. Он обнаружил, что тонкие пленки металла обладают преимущественной ориентировкой, а иногда оказываются монокристаллическими. Воспроизводимых результатов, однако, получить не удалось. Условие образования монокристал-лических пленок серебра было найдено позже [72]. Оказалось, что при увеличении температуры конденсации совершенство ориентации увеличивается и при Г,,-> 100° С образуется монокри-сталлический слой. Была определена взаимная ориентация металла и соли (100) [001] Ag Ц (100) [001] Na l и установлено, что зародыши серебра образуются непосредственно на поверхности соли. Авторы обнаружили, что нагрев подложки необходим только на первой стадии конденсации и что ориентированное нарастание серебра на собственном монокристалле происходит при комнатной температуре. Наблюдаемой экспериментально параллельной ориентации Ag/Na l соответствовало значите Л = -27,5%. [c.116]

Почти во всех последующих работах по изучению эпитаксии металлов и солей использовалась методика Лассена и Брюка [39, 72]. Металлические пленки конденсировались в вакууме на плоскость скола или протравленную поверхность кристалла 116 [c.116]

Последующее изучение эпитаксии металлов с решеткой К12 [76—81, 83—97, 113] в основном подтвердило результаты Брюка. [c.119]

Эпитаксия металлов с кубической объемноцентрированной решеткой на солях со структурой типа Na l также подробно исследована [88, 94, 95, 101 —105, 108]. Шираи наряду с 45-градусной ориентацией [39] обнаружил в конденсате Fe несколько ориентировок [101, 102] [c.119]

Наряду с изучением ориентированной кристаллизации металлов с кубической решеткой исследовалась эпитаксия металлов с гексагональной плотноупакованной решеткой на кристаллах со структурой Na l. Несмотря на значительное отличие этих структур, было показано [109, ПО], что эпитаксия гексагональных металлов в общих чертах аналогична рассмотренным выше случаям. Электронографически изучался ориентированный рост Ti, Be, Со и Zr на поверхности скола Na l, K l и КВг. Параметры решеток и температуры фазовых переходов указанных металлов приведены в табл. 28 [111]. [c.123]

Допустим, в частности, что при эпитаксии металлов с решеткой К12 на плоскости (001) солей типа Na l пересыщение таково, что стабилен зародыш с двумя связями. Критический зародыш состоит тогда из трех атомов, конфигурация которых на плоскости типа (001) должна соответствовать прямому углу (рис. 57). Добавление еще одного атома приводит к образованию конфигурации в виде квадрата. Ориентация осадка определяется ориентацией критического зародыша на подложке, и вся задача сводится к нахождению конфигурации зародыша, соответствующей минимуму энергии. [c.206]

Другой критерий для определения эпитаксических соотношений металлов и солей, сформулированный нами [1], позволяет предсказать ориентации металлов на произвольных кристаллографических плоскостях ионных кристаллов. Согласно критерию, ориентации металлов на солях таковы, что параллельно двум направлениям с максимальной плотностью упаковки частиц одинакового знака в решетке типа Na l располагаются соответственно два направления с плотной упаковкой атомов в решетке металлов. В частном случае для металлов с гексагональной решеткой аналогичное заключение на основании своих экспериментальных данных сделал Конжо [25]. Важность направлений с плотнейшей упаковкой атомов при эпитаксии металлов от.ме-чалась в ряде работ [26—28]. Указанное выше правило иллюстрируется рис. 77—81. На рис. 77, а и 79, о — 81, а схематически показаны положения ионов одинакового знака в плоскости подложки, все остальные индексы соответствуют ориентациям металлов. Ориентации, предсказываемые правилами, показаны в табл. 49 все они наблюдались экспериментально. [c.270]

Как уже отмечалось, природа сил связи при эпитаксии металлов и солей впервые была рассмотрена Слоатом и Мензисом [39]. Они предположили, что металлические атомы при прибли- [c.275]

Возможность количественного применения ионизационной теории при эпитаксии металлов и солей для определения температур эпитаксии ограничена. Это связано с тем, что температуры эпитаксии в различных случаях отличаются лишь на десятки градусов. Такому различию соответствуют значения тепловой энергии, равные нескольким тысячным электроно-вольта. Ясно, что такая точность в расчетах АЕт недостижима. Энгел, однако, обращает внимание на- следующее обстоятельство. Если построить зависимость эпитаксической температуры различных металлов от их ионизационного потенциала в наиболее часто встречающемся ионизационном состоянии (в соответствии с валентностью), то полученные таким образом точки удовлетворительно укладываются на прямую (рис. 85). Вследствие эмпирического характера этой зависимости трудно сделать заключение, может ли она использоваться для предсказания эпитаксических температур. [c.276]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология