Слой роста

В процессе анодного окисления металлы могут переходить в пассивное состояние. Оно может быть вызвано появлением солевых пленок, например, за счет выпадения соли из пересыщенного прианодного слоя, рост концентрации в котором был вызван замедленным отводом продуктов ионизации анода, или за счет образования труднорастворимых солей, которые не переходят в растворенные комплексные ионы в связи с отсутствием достаточного количества лиганда. Очень распространенной является пассивность, вызванная появлением кислородных образований (пленки оксидов, гидроксидов, адсорбированных слоев кислорода). Возникновение их связано с достижением соответствующих значений потенциалов в результате смещения потенциала анода в электроположительную сторону. При переходе в пассивное состояние скорость растворения анода падает практически до нуля. [c.142]

В отличие от сплошных слоев рост пористых слоев может происходить за счет растворения металла в порах слоя. Если обозначить через [c.369]

В отличие от сплощных слоев рост пористых слоев может происходить за счет растворения металла в порах слоя. Если обозначить через 0 долю поверхности электрода, покрытую окисным слоем, то истинная плотность тока а растворения металла в порах равна [c.384]

МИК роста. Однако морфологические наблюдения показывают, что активные акцессории порождаются лишь небольшим числом винтовых дислокаций. Причина такого несоответствия остается пока невыясненной. Возможно, здесь сказывается отравляющая роль примесей, а также то, что дислокации, локализованные между акцессориями, теряют способность быть активными источниками слоев роста. [c.95]

Капиллярные жидкие включения в слоях роста, расположенных непосредственно над затравкой, образуются в кристаллах, выращенных из растворов с добавками олеата натрия. По аналогии с данными исследований условий захвата маточного раствора водорастворимыми кристаллами можно предположить, что такие включения возникают в результате отталкивания эмульгированных частиц олеата (или продуктов, образующихся при взаимодействии добавки с раствором при высоких параметрах), осевших на поверхность затравки в начале цикла выращивания. Длина некоторых капилляров достигает 1—2 мм, в то время как размер диаметра не превышает 0,005 мм. [c.130]

На рис. 57 представлен препарат из с-кристалла, в котором у-облучение выявляет две генерации паразитных пирамид. К первой относятся быстро выклинивающиеся пирамиды, образовавшиеся в процессе регенерации поверхностных дефектов затравки. Вторая генерация развита в наружных слоях роста. Ее появление обусловлено перестройкой (преимущественно укрупнением) акцессорий грани с, а также разрастанием на границах секторов <с>/<—х> и < >/ + S> граней дипирамид. [c.168]

Представим, что в кристалле есть винтовая дислокация, превращающая атомные плоскости в единую винтообразную поверхность, а выход которой на поверхность грани кристалла образует на ней своеобразную ступеньку. Роль этой ступеньки в процессе роста кристалла чрезвычайно велика, поскольку именно она становится зародышем нового атомного слоя. Рост кристалла при этом можно представить следующим образом (рис. 24). Атомы из раствора или расплава адсорбируются на грани кристалла, диффундируют по ней по направлению к ступеньке и располагаются вдоль нее, за счет чего последняя достраивается и начинает перемещаться вдоль по- [c.100]

На ухудшение однородности по высоте слоя (рост размера газовых пузырей) указывают и другие исследователи [58, 402, 562, 673], причем по некоторым данным [562] вертикальный размер газовых пузырей увеличивается прямо пропорционально расстоянию от распределительной решетки Ло [c.128]

При возрастании степени переохлаждения (т. е. при проведении кристаллизации в области низких температур) происходит агрегация мелких ромбовидных монокристаллов в дендритные кристаллы. Кроме того, обычно в большинстве случаев вместо отдельных монослоев единичных кристаллов типа показанных на рис. III.7 образуются кристаллы, состоящие из спирально закрученных тонких слоев. Рост таких кристаллов протекает по механизму так называемых винтовых (спиральных) дислокаций. [c.175]

По Фишеру при образовании слоев роста нужно раз- [c.715]

В обш,ем случае, если при катодном осаждении металла не принято специальных мер- предосторожности, осадок получается поликристаллическим. Из каждого образовавшегося зародыша кристалла развивается зерно, которое но существу является одиночным кристаллом и построено из большого числа слоев роста. Если образуется только один зародыш, рост которого не сопровождается дальнейшим образованием новых зародышей, можно получить одиночные кристаллы большего размера. [c.718]

Кристаллохимическая теория предусматривает возможность образования пакетов слоев роста (состоящих из нескольких этажей двухмерных зародыщей) как результата наложения эффектов пассивации поверхности и изменения ионной концентрации раствора вблизи фронта роста. Предполагается, что часть поверхности, длительное время находившаяся в контакте с раствором, становится отравленной, и образование на ней нового двухмерного зародыша требует добавочной энергии. Напротив, поверхность только что возникшего двухмерного зародын.а остается свободной от адсорбированных посторонних частиц и на ней может с меньшими энергетическими затратами возникнуть новый двухмерный зародыш. Толщина такого пакета ограничивается падением концентрации в зоне наслоения двухмерных зародышей, который может поэтому продвигаться лишь по поверхности грани, а не в направлении, перпендикулярной к ней. Существование пакетов двухмерных зародышей наблюдалось многими авторами. [c.338]

Массообмен осуществляется путем молекулярной, турбулентной и конвективной диффузии, из которых наиболее медленной является первая. Основное сопротивление массообмена происходит в пограничных слоях у границы раздела фаз. Увеличение массообмена может быть достигнуто повышением относительных скоростей фаз, что ведет к уменьшению толщины пограничного слоя, росту турбулентной и конвективной составляющих переноса вещества, увеличению поверхности контакта взаимодействующих фаз и движущей силы процесса, например, путем повышения коэффициента про-тивоточности или изменения рабочих условий — температуры, давления. Различают два варианта массообмена односторонний (например, при абсорбции компоненты из газовой фазы переходят в жидкую) и двухсторонний (при ректификации). [c.108]

Выше отмечалось наличие сравнительно грубой зональности, порождающей в растущих кристаллах свили, обусловленные часовыми, суточными и другими колебаниями режима или состояния окружающей среды. Однако с помощью более информативного способа выявления зональных неоднородностей — гидротермального травления — обнаруживается значительно более тонкая ритмическая свилеватость, отражающая колебания условий кристаллизации и захвата примеси с периодом порядка 15—20 мин. В пределах этого периода наблюдается, как правило, убывание концентрации примеси. Следует также указать на существование еще одной разновидности микрозональности, которая обусловлена поверхностной тангенциальной миграцией уступов, образуемых эшелонами слоев роста. Эта разновидность, которая в сущности является псевдозональностью, также образует иногда чередующиеся свили, однако это явление требует более детального изучения. [c.47]

Изучение ориентации, формы и состав нитевидных включений и диагональных прослоев в большом количестве (до 5000) кристаллов показало, что эти включения располагаются по следам нарастания только октаэдрических и комбинационных вершин и соответствующих ребер кристаллов. При этом точка пересечения трасс нитевидных включений и диагональных прослоев является центром роста данного кристалла, который редко совпадает с центром объема (т. е. имеет место искажение облика). Характерно, что включения присутствуют только в части объема алмаза, росшей в сторону графита, и всегда связаны с направлением удлинения, т. е. с направлением наибольшей нормальной скорости роста граней кристалла. Указанные особенности морфологии включений третьего типа позволяют предположить, что частицы жидкого металла захватываются растущим кристаллом по механизму внутренней адсорбции на дефектах, образующихся при взаимодействии слоев роста смежных граней, т. е. вблизи ребер и вершин (эффект адлинеации), на фоне сравнительно большой, порядка 8- 10 м/с, скорости роста алмаза. При этом, как и в случае образования включений подтипа 1а, при затвердевании жидкого металла происходит образование границы раздела фаз без заметного напряжения кристаллической решетки алмаза. [c.403]

Источником слоев роста, помимо отдельных дислокаций и их групп, могут служить и двумерные дефекты — сетки дислокаций вдоль границ макроблоков и залеченных трещин (рис. 1-19), а также двойниковые швы. Последние заслуживают несколько более подробного рассмотрения. Давно известно, что двойники, у которых между индивидами имеется входящий угол, растут значительно быстрее монокристаллов. Объясняют это явление более легким присоединением частиц во входящем углу двойника. В этом случае двойниковый шов должен служить линейным источником слоев роста. Однако при росте двойников винной кислоты из водного раствора мы наблюдали распространение слоев роста из двух-трех точечных источников, расположенных на двойниковом шве. Об аналогичном расположении центров роста на двойниках природного флюорита сообщал Ф. К. Франк [1950]. Таким образом, по крайней мере в некоторых случаях слои генерируются дислокациями, лежащими в плоскости двойниковой границы (по-види-мому, это имеет место для некогерентных границ). [c.34]

К выступающим частям кристалла — вершинам и реб(зам — вещество поступает в большем, чем к серединам граней, количестве, поэтому градиенты концентрации (пересыщения) возникают и вдоль поверхности. Пока размеры кристалла невелики, малы и градиенты пересыщений, кристалл обычно растет плоскогранным. Причина этого заключается в том. что слои роста имеют повышенные скорости продвижения по поверхности по сравнению со скоростью возникновения новых слоев ( 1.5). Однако с увеличением кристалла градиенты пересыщений вдоль грани нарастают. Теперь уже могут возникнуть условия, при которых вновь возникший слой не успеет распространиться по всей грани, приреберные участки обгонят в своем росте центральные участки грани, в ней возникнет углубление (рис. 1-21). При росте кристалла до некоторых размеров оно периодически перекрывается слоем вновь нарастающего вещества, так что в кристалле образуется серия уплощенных включений раствора, расположенных друг под другом. Может образоваться и одиночное включение раствора. Такие включения, занимающие сравнительно большую площадь, будем называть площадными . [c.43]

Наконец, примесь входит неравномерно по площади грани. Разноориентированные вицинальные поверхности, образующие холмики роста, поглощают примесь в разных количествах. При этом возникает субсекториальность в распределении примеси в кристаллах. Характерно также повышенное содержание примеси на стыках слоев роста от соседних центров роста. [c.58]

Частным случаем этого типа дефектов является перламутровость медленно растущих граней некоторых кристаллов (010) бифталата калия, (001) бихромата калия. Включения на перламутровых гранях более крупные, чем в случае РЬ(ЫОз)2, плоские по форме и перекрыты очень тонкими прослойками кристаллического материала. Прогибание и отслаивание этих прослоек приводит к сильному расщеплению граней даже при самых малых пересыщениях. Возникновение перламутровости также связано с торможением слоев роста примесями и их сильной изрезан-ностью. Но в этих случаях отравляющее действие примесей резко падает с возрастанием пересыщения, и при средних переохлаждениях (порядка 1,5—2° С для бифталата калия) удается получить кристаллы, свободные от этого дефекта. [c.124]

На наличие активных примесей указывают (гл. 1 и 3.10) фарфоровидность кристалла, расщепление, антискелетный рост, выросты, многоглавый рост, дендриты, скручивание, блочность, сферолитообразование. На влияние примеси указывает также извилистый характер слоев роста на гранях. Масштабы развития дефектности, в общем, пропорциональны содержанию примеси в среде. Поэтому во многих случаях можно характеризовать влияние примеси численно (скажем, по количеству блоков субиндивидов на единицу площади грани). [c.133]

Бромат натрия NaBrOa. Кубический. Комбинация двух тетраэдров, куба и ромбододекаэдра. Отмечается зависимость формы от пересыщения и температуры. Наблюдается богатая скульптура (центры роста, концентрические слои роста — см. 1.5) на грани большого тетраэдра, в отличие от скульптуры на грани малого тетраэдра. Видны зональность и секториальность по аномальному двупреломлению. Под микроскопом обнаруживаются также оригинальные включения раствора в виде пространственной решетки, спиралей и нитей. Травление граней тетраэдров выявляет дислокации, идущие от границ пирамид роста. [c.188]

Электролитический рост металлического кристалла происходит не непрерывно, а осуш,ествляется за счет периодического-нарастания слоев роста микроскопической толш,ины. Этот свое- [c.715]

Рис. 304. Слои роста (толщина слоя около 2 мк) электролитического осадка меди, полученного методом Гесса из кислого раствора Си804 увеличение в 250 раз (по Фишеру

Систематические данные о зависимости толщины к слоев роста от плотности тока, концентрации ионов и концентрации ингибиторов практически отсутствуют, так что механизм образования слоев роста еще не установлен. Кольшюттер и Торричелли установили различие в толщине кристаллографически различно ориентированных граней. По данным Эрдей-Груза и сотрудников рост силы тока, по-видимому, сопровождается [c.716]

Между линейной скоростью расширения и (см-секГ ) одной ступеньки в тангенциальном направлении и высотой слоя роста к существует соотношение [c.717]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология