Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Интегральная микросхема

Рис. 75. Полевой транзистор в полупроводниковой интегральной микросхеме Рис. 75. <a href="/info/134256">Полевой транзистор</a> в <a href="/info/1764585">полупроводниковой интегральной</a> микросхеме

    Схемы малой и средней интеграции. Триггеры, мультивибраторы, таймер, счетчик, дешифратор (например, для ЖКИ). Наряду с дискретными элементами, широкое применение получили цифровые интегральные микросхемы (ИМС) малой и средней степени интегра- [c.140]

    В этом примере прибор 1 генерирует байт данных из восьми бит для передачи прибору 2 через последовательный интерфейс. Но прежде данные проходят через специальный преобразователь параллельного кода в последовательный. На приемной стороне интерфейса установлен преобразователь последовательного кода в параллельный, требуемый прибором 2. Эти преобразования выполняются на соответствующих интегральных микросхемах. Рис. 6.10 поясняет механизм параллельно-последовательного преобразования. [c.256]

    Интегральные микросхемы операционного усилителя. С точки зрения электротехники электрохимические переменные — ток, потенциал, заряды и т. п.— имеют непрерывный (или аналоговый) характер. Экспериментаторов интересуют способы поддержания их на определенном уровне, а также их измерения в аналоговой форме. Наиболее подходящими для этих целей являются специальные интегральные микросхемы, так называемые операционные усилители (ОУ). Эти схемы представляют собой наборы электрических компонентов (транзисторов, емкостей, сопротивлений, диодов и других элементов), сформированных на поверхности и в теле полупроводникового материала (обычно это кремний) и соединенных определенным образом для выполнения предназначенных функций. Изготовленная интегральная микросхема снабжается рядом выводов и запечатывается в специальный корпус. [c.38]

    Кроме литых изделий, листов и трубок из стекла делают нити (стекловолокно). Нити изготовляют, вытягивая расплавленное стекло через фильеры. Из стекловолокна получают прочные химически стойкие ткани, обладающие хорошими электро-, тепло- и звукоизолирующими свойствами. В последнее время научились получать закристаллизованные стекла (ситаллы), щироко используемые, в частности, в авиации, в интегральных микросхемах и ир. [c.368]

    ОСТ 4 ГО.012.032. Аппаратура радиоэлектронная. Блоки на интегральных микросхемах и дискретных элементах. Расчет тепловых режимов. [c.306]

    Сигнал от датчика АЭ, представляющего собой таблетку пьезокерамики ЦТС, поступает на преобразователь импеданса, согласующий высокое выходное сопротивление датчика АЭ с низким входным сопротивлением широкополосного усилителя. Усиленный сигнал детектируется и подается на аналоге -цифровой преобразователь (АЦП) на основе полупроводниковой интегральной микросхемы. АЦП обеспечивает преобразование нормированного напряжения в цифровой код и имеет цикл автоматической коррекции нуля. [c.282]


    Телевизионный сигнал горизонтальной развертки для диагностики может быть использован для внешнего телевизионного монитора Земля для цифровых сигналов Земля для цифровых сигналов Стандартный вход интегральной микросхемы 6522 VIA [c.276]

    Элементная база..............Интегральные микросхемы [c.14]

    Гибридные интегральные схемы представляют собой функцио-на.пьные узлы, состоящие из интегральных микросхем и отдельных микроэлементов, либо узлы, состоящие только из интегральных микросхем. Гибридные интегральные схемы дают возможность создавать различные устройства, выполняющие более разнообразные функции по сравнению с интегральными микросхемами. [c.35]

Рис. 72. Диффузионный резистивный компонент полупроводниковой интегральной микросхемы Рис. 72. Диффузионный резистивный <a href="/info/1764592">компонент полупроводниковой</a> интегральной микросхемы
    Запоминающее устройство полярографа ПУ-1 включается при работе в режим стробирования. Это операционный усилитель на интегральной микросхеме с конденсатором на входе, который служит для удержания сигнала между интервалами прихода очередной информации. Для уменьшения сетевых наводок в полярографе ПУ-1 синхронизируются переменные поляризующие напряжения и импульсы сброса капель с напряжением сети. [c.81]

    Устройство выполнено на серийно выпускаемых интегральных микросхемах конструктивно объединяет датчики и электронную часть и рассчитано на совместную работу с дистанционным расцепителем или автоматом. Снабжено защитой от ложных срабатываний и от пусковых токов при включении и выключении потребителей. [c.91]

    Прогресс в области микроэлектроники в начале 70-х годов привел к появлению микропроцессоров, представляющих собой функционально законченные устройства обработки цифровой информации, управляемые хранимой в памяти программой и конструктивно выполненные в виде одной или нескольких больших интегральных схем [28]. Достижения микроэлектроники позволили создавать интегральные микросхемы, обладающие приемлемыми экономическими показателями и содержащие от тысяч до десятков тысяч элементов типа транзисторов на одном кристалле площадью несколько квадратных миллиметров. Такие микросхемы получили название больших интегральных схем (БИС). Уже созданы БИС, содержащие на одном кристалле более 30 ООО элементов. На основе БИС и создаются микропроцессоры. Свое название микропроцессоры получили в связи с тем, что по выполняемым функциям и структуре они похожи на упрощенный процессор обычных ЭВМ. Микропроцессор производит обработку информации малыми порциями (словами) от 2 до 16 двоичных разрядов в зависимости от [c.137]

    В настоящее время электронные схемы все в большей степени базируются на интегральных микросхемах (ИМС). Каждая ИМС заменяет большое число индивидуальных транзисторов и диодов, которые связаны в единое целое и расположены на небольшом кристалле ( подложке ) кремния. ИМС смонтированы в одном корпусе и имеют до 40 соединительных выводов. [c.551]

    Рис. 73. р—л-переход в качестве емкостного компонента полупроводниковой интегральной микросхемы [c.186]

    Рис. 74. триодная структура полупроводниковой интегральной микросхемы, образованная двойной диффузией  [c.187]

    Основные недостатки описанных в предыдущем разделе ламповых усилителей хорошо известны, это — большие габариты, высокое напряжение питания и низкая надежность. Для устранения указанных недостатков целесообразно использовать усилители на полупроводниковых приборах. Много подобных схем описано в литературе [8]. Еще больщие преимущества дает использование при разработке конструкций высокочастотных кондуктометров полупроводниковых интегральных микросхем. Интегральные микросхемы позволяют значительно упростить конструкцию автогенераторных кондуктометров, что особенно важно, например, при самостоятельном изготовлении таких кондуктометров в лабораторных условиях. [c.194]

    В настоящее время функции демпфирующих цепей несколько изменились, поскольку эти цепи помогают в значительной степени сгладить действие случайных наведенных помех и шумов. Поэтому демпферы практически вводятся во все полярографы. Но увлекаться демпфированием сигнала не следует, так как система теряет при этом быстродействие если при использовании РКЭ происходит случайный срыв капли или при применении стационарного электрода на сигнал воздействует случайный импульс, то при больших степенях демпфирования выходной сигнал медленно возвращается к своему исходному состоянию. В этих условиях рекомендуется демпфер, вьшолненный с использованием операционного усилителя на интегральной микросхеме, в цепь обратной связи которой введены / С-цепи. Их можно выполнить в виде набора / С-цепей с различной постоянной времени для регулировки степени демпфирования. [c.99]

    Основа такого успеха — переход от сборных электронных схем к интегральным микросхемам. Вместо десятков тысяч радиодеталей — одна плоская крошечная коробочка с ножками-выводами вместо длительного и трудоемкого ручного монтажа — полностью автоматизированное производство вместо несметного множества паяных соединений и контактов — электрическая схема, созданная прямо на кристалле полупроводника. Отсюда и малые габариты, и надежность и низкая стоимость. [c.20]


    Самодиагностика и самотестирование цифровых управляющих устройств. Возможность проверки исправности механических узлов привода, силовых преобразователей, датчиков и другого оборудования во время технологических пауз, т.е. автоматическая диагностика состояния оборудования и раннее предупреждение аварий. Эти возможности дополняются развитыми средствами борьбы с помехами. Главное здесь — замена аналоговых линий передачи информации цифровыми, содержащими гальванические развязки, волоконно-оптические каналы, помехоустойчивые интегральные микросхемы в качестве усилителей и коммутаторов. [c.187]

    Новой модификацией этого прибора является ГИВ-М на интегральных микросхемах с полуавтоматическим обнулением и улучшенными характеристиками. [c.93]

    Электрические цепи, из которых состоит то или иное функциональное электронное устройство (усилители, генераторы, аналоговые и цифровые преобразователи электрических сигналов), в свою очередь состоят из соответствующих элементов (резисторов, конденсаторов, индуктивных катушек, диодов, транзисторов, источников электрической энергии и т.п.). Цепи и устройства могут изготавливаться в едином технологическом цикле и представлять собой отдельную неделимую конструкцию - аналоговую или цифровую интегральную микросхему. Следует заметить, что термин схема , изначально означавший графическое изображение электрической цепи или устройства, часто отождествляют с самой цепью или устройством, особенно в микроэлектронике. В современной электронике под элементами электроннсЗй схемы подразумевают и интегральные микросхемы, состоящие из определенного количества относительно простых элементов, а также большие и сверхбольшие интегральные микросхемы - БИС и СБИС, которые могут содержать до 10 и более элементов. [c.22]

    Полупроводниковые приборы интегральные микросхемы пе сатные платы [c.6]

    Макетирование. После того как интерфейсная схема разработана, важно ее проверить и оценить ее работу, прежде чем она будет окончательно смонтирована и запаяна. Другими словами, должен быть построен макет. Существуют различные методы создания макетов электронных схем. Один из них состоит в использовании монтажных плат с матрицами из соединительных гнезд, в которые вставляются отдельные компоненты (резисторы, конденсаторы, транзисторы и т. п.), соединенные проводами для быстрого монтажа. Существуют различные типы гнезд и плат. Наиболее полезными являются монтажные платы с гнездами, в которые можно вставлять интегральные микросхемы, например платы В1тЬоагс1 [39]. Они выпускаются различных размеров, но совместимы друг с другом и при сборке дают необходимую конфигурацию интегральных схем. Некоторые из них выпускаются с встроенными источниками питания, которые могут обеспечивать работу большого набора интегральных схем. [c.284]

    Интегральные схемы. Блочные, модульные и микромодульные конструкции разрабатываются на основе использования дискретных э.пементов, причем плотность запо.чнения объема аппаратуры не превышает 20 элементов в 1 см . Интегральные схемы, представляющие собой группу (сумму) элементов, выполненных неотделимо друг от друга на одной подложке (на ее поверхности или в ее объеме), называют микросхемами. Микрсс емы позволяют резко увеличить плотность заполнения объема шаратуры (до 1000 элементов в 1 см ). Интегральные микросхемы имеют три разновидности тонкопленочные, полупроводниковые и гибридные. [c.34]

    Тонкопленочные интегральные микросхемы получают осаждением п.ченок различных материалов на изоляционную подложку, в качестве которой наиболее часто используют боросиликатное стекло и и ситалл. Функциональные узлы получают в результате последовательного осаждения на подложку тонких пленок проводниковых, диэлектрических, полупроводниковых, магнитных и магнптодиэлектрических материалов из газопаровой фазы в вакууме. Для получения рисунка схемы используются специальные металлические маски. Ведется непрерывный контроль параметров образующихся элементов. Испарение осаждаемых материалов получается при нагревании их с помощью подогревателей, электронной бомбардировки или лазерного излучения. [c.34]

    Полупроводниковые интегральные микросхемы получают с помощью различных технологических приемов обработки полупроводниковых материалов. Обрабатывая методами диффузии, осаждения, травления, маскировки и др., получают отдельные области малых размеров, не имеющие резких границ и выполняющие роль отлель- [c.34]

    Агрегатная система средств телемеханики (АССТ) представляет собой набор типовых функциональных блоков с унифицированными связями, выполненных на интегральных микросхемах, и ряд комплексов, построенных из этих блоков. Блоки и комплексы устройств АССТ предназначены для телемеханической передачи оперативно-технологической и производственно-статистической информации в системах диспетчерского управления и контроля за разобщенными объектами предприятий различных отраслей промышленности. АССТ входит в Государственную систему промышленных приборов и средств автоматизации (ГСП). [c.218]

    Автоматический газоанализатор, работающий по этому принципу, не требует частотно-импульсного сигнала и сложного электронного оборудования. Подобно анализатору Кулома-тик , он собран на интегральных микросхемах и позволяет непрерывно контролировать содержание 1-10 — 5-10- % (объемн.) СО2 в газовой смеси. В качестве рабочего электрода использованы платиновый или графитовый электрод, индикаторного— стеклянный электрод, поглотительным раствором является 1,0 М раствор Ва(0104)2 с pH = 9,5. На рис. 6.3 приведен ПИП диоксида углерода. [c.97]

    На рис. 62 приведена конструкция тонкослойной ячейки с прозрачным дном и вмонтированным над ним дисковым золотым электродом, к тыльной стороне которого подводится прижимной токопровод. в ячейке фиксируется также хлорсеребряный электрод сравнения, который контактирует с суспензией хлоропластов, помещенной в зазор между прозрачным дном ячейки и плоской поверхностью золотого электрода. Вызываемое одиночным световым импульсом или серией вспышек, наносимых с интервалом в 5 с, изменение тока в системе в результате восстановления выделяющегося кислорода на поверхности электрода, как правило, невелико. Поэтому для усиления сигнала следует использовать быстродействующий усилитель тока с высоким входным сопротивлением. Можно также использовать самодельный прибор — инвертирующий усилитель с масштабным коэффициентом передачи, собранный на базе интегральной микросхемы К284УД1А и описанный В. М. Головиновым и В. С. Даниловым (1974). Блок-схема усилителя, рекомендуемого для использования в данной работе, приведена на рис. 63. В усилителе предусмотрена [c.197]

    Современные технические устройства представляют собой совокупность большого числа так называемых комплектующих изделий , объединенных электрическими, электронными, оптоэлек-тропными, механическими связями в узлы, блоки, системы, комплексы для решения тех или иных задач. Электронные автоматизированные системы управления, ЭВМ и другие устройства могут включать в себя тысячи, десятки и даже сотни тысяч комплектующих изделий. Многие из них, например большие интегральные микросхемы (БИС), представляют собой композиционную совокупность десятков и даже сотен тысяч транзисторов. Подобные изделия сами по себе являются достаточно сложными техническими устройствами, поэтому сложной оказывается и система, в ко- [c.5]

    В настоящее время в эксплуатации находятся средства измерений четырех поколений. Приборы первого и второго поколений построены соответственно на электровакуумных и полупроводниковых (транзисторы, диоды) элементах в них применена аналоговая обработка сигналов. В приборах третьего поколения наряду с полупроводниковыми элементами используются интегральные микросхемы малой и средней степени интеграции. При этом имеет место как аналоговая, так и цифровая обработка сигналов на основе жесткой логики. Средства измерений четвертого поколения характеризуются использованием микропроцессорных систем (МПС) и больших интегральных схем с программно-управляемой цифровой обработкой измерительной информации. Применение больших интегральных схем приводит к резкому соращению числа используемых в приборе элементов. Однако эта тенденция существенно нивелируется и даже перекрывается ростом функциональной сложности измерительной техники. Объективными причинами ее усложнения являются увеличение объема измерительных задач, решаемых одним средством измерений, повышение уровня автоматизации, введение интерфейсных функций и др. Усложнение измерительной техники, повышение ее точности, высокий уровень [c.151]

    В настояитее время обнаружено более 50 химических соединений, на основе которых могут быть построены процессоры. Каждая частица белка на подложке процессора имеет очень маленький диаметр и занимает илошадь, в тысячу раз меньшую, чем транзистор на подлож-ке интегральной микросхемы. [c.22]

    Чтобы обеспечить усиление и регистрацию сигнала на выходе фотоумножителя в широком частотном диапазоне от О до 10 Гц без искажения формы импульса, в качестве предусилителя используют усилитель постоянного тока с измерительным сопротивлением в цепи отрицательной обратной связи. Предусилитель выполнен на базе дифференциального операционного усилителя типа 140УД8. Принципиальная схема показана на рис. 8.5. Коэффициент усиления по току и напряжению регулируется в интервале 10 —Ю . К выходу предварительного усилителя подключен самописец и одновременно блок цифровой регистрации, включающий пороговое устройство, формирователь импульсов и цифровой счетчик на базе интегральной микросхемы серии 155. Для увеличения максимально измеряемой концентрации частиц без ухудшения статистической точности перспективно сканирование счетного поля с помощью щелевого оптического модулятора. При сканировании движущаяся с постоянной скоростью щель вырезает из чувствительного объема изображение, ширина которого соизмерима с размерами частиц. Скорость сканирования значительно превышает (по крайней мере в 10 раз) скорость перемещения частиц. Таким образом, число зарегистрированных частиц N определяется формулой [c.272]

    Микроминиатюрный функхщональный электронный блок, совокупность рабочих элементов которого изготовлена в едином комплексе групповых технологических процессов, называют интегральной микросхемой (ИМС). Показателем слож- [c.5]

    Для формирования СИФУ в настоящее время широко используются серийно выпускаемые интегральные микросхемы общего применения (например, операционные усилители серии К553УД2, логические интегральные микросхемы серии К511, гибридные интегральные микросхемы и др.). Ведутся работы по созданию специальных микросхем, реализующих в одном корпусе отдельные узлы или полный канал системы управления, а также по применению микропроцессорной техники для управления преобразователями. [c.171]

    Промышленностью выпускаются различные типы операционных усилителей на интегральных микросхемах (ИМС) — как круглой, так и прямоугольной формы. Наибольшее распространение для построения регуляторов получили ОУ типов К140УД7, К553УД2, К157УД2 и др. [c.186]

    Отличительные особенности устройств комплекса типа ТМ-120 универсальная типовая конструкция, использование объектов и узлов АССТ, построенных на интегральных микросхемах, осуществление связи между устройствами по унифицированным интерфейсам, встроенные контрольная и сервисная аппаратуры, высокая скорость передачи информации, универсальность структуры используемых каналов связи, использование ЭВМ для выполнения операций обработки и создания программ вызова информации с КП. [c.221]


Смотреть страницы где упоминается термин Интегральная микросхема: [c.170]    [c.138]    [c.270]    [c.169]    [c.78]    [c.171]    [c.17]    [c.20]   
Основы современного электрохимического анализа (2003) -- [ c.0 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Интегральная микросхема аналоговая

Интегральная микросхема цифровая

Интегральные

Общая характеристика интегральных пленочных микросхем

Общая характеристика полупроводниковых интегральных микросхем

Основные показатели эффективности интегральных микросхем

Пример исследования интегральных микросхем

Принципы получения полупроводниковых монокристаллов для подложек интегральных микросхем

Топология интегральных пленочных микросхем

Физико-химические основы технологии интегральных микросхем



© 2025 chem21.info Реклама на сайте