Компоненты полупроводниковых микросхем

Исследование факторов, влияющих на надежность транзисторного компонента полупроводниковой микросхемы, изготовленного методом сплавления, показало, что наиболее значительные изменения пробивного напряжения, обратного тока и коэффициента усиления обусловлены влиянием паров воды и кислорода. [c.180]

Рассмотрим возможные варианты изготовления каждого схемного компонента полупроводниковой микросхемы. [c.186]

Если в полупроводниковой микросхеме активные и пассивные компоненты формируются путем диффузии в монокристаллическую подложку, то возникает проблема электрической развязки компонентов друг от друга. Изоляция выполняется при помощи диффузионных р—п-переходов, которые образуют встречно включенные диоды. Однако в таких структурах наблюдаются паразитные явления, которые полностью могут нарушить нормальную работу схемы [78]. [c.171]

Рис. 72. Диффузионный резистивный компонент полупроводниковой интегральной микросхемы

Рис. 73. р—л-переход в качестве емкостного компонента полупроводниковой интегральной микросхемы [c.186]

Интегральные микросхемы операционного усилителя. С точки зрения электротехники электрохимические переменные — ток, потенциал, заряды и т. п.— имеют непрерывный (или аналоговый) характер. Экспериментаторов интересуют способы поддержания их на определенном уровне, а также их измерения в аналоговой форме. Наиболее подходящими для этих целей являются специальные интегральные микросхемы, так называемые операционные усилители (ОУ). Эти схемы представляют собой наборы электрических компонентов (транзисторов, емкостей, сопротивлений, диодов и других элементов), сформированных на поверхности и в теле полупроводникового материала (обычно это кремний) и соединенных определенным образом для выполнения предназначенных функций. Изготовленная интегральная микросхема снабжается рядом выводов и запечатывается в специальный корпус. [c.38]

Применение широкого ассортимента материалов для конструктивного воплощения схемных элементов в пленочной микросхеме позволяет перекрыть более широкий диапазон номиналов компонентов при обеспечении лучших допусков, чем это возможно в настоящее время при создании полупроводниковых микросхем на основе одного полупроводникового материала. [c.149]

При проектировании полупроводниковых микросхем следует широко применять рациональное сочетание полезных функций активной подложки с пассивными пленками. Осаждение пленочных пассивных компонентов производят на изолирующий слой из двуокиси кремния, образованный на полупроводниковой подложке, содержащей активные компоненты. 0)единение активных и пассивных компонентов производят с помощью осажденных пленочных проводников. Иногда такую комплексную модификацию называют гибридными микросхемами. [c.171]

Существенной характеристикой полупроводникового материала является также время жизни носителей т. Это время восстановления термодинамического равновесия путем рекомбинации избыточных (инжектированных) электронов зоны проводимости с дырками валентной зоны. Для нормальной работы активных компонентов микросхемы необходимо иметь время жизни неравновесных носителей порядка 10 мксек и выше. [c.173]

Для нормальной работы прибора на высоких частотах необходимо, чтобы дрейф (или диффузия) носителей заряда от одного электрода к другому происходил возможно бьютрее. Следовательно, необходимо высокое значение подвижности.В частности, работу транзисторного компонента полупроводниковой микросхемы на высоких [c.173]