Неравновесные носители заряда в полупроводниках

Время жизни носителей заряда. При рассмотрении процесса генерации — рекомбинации носители заряда в полупроводнике подразделяются обычно на равновесные и неравновесные. Физи- [c.145]

Так как при рассмотрении полупроводников группы алмаза мы приводили характеристики, определяющие выбор материалов для полупроводниковой электроники, то, отсылая читателей к специальной литературе, мы считаем все же необходимым упомянуть и о времени жизни носителей заряда, представляющем собой постоянную времени, характеризующую процесс рекомбинации неравновесных носителей заряда. Как известно, [c.61]

ЭЛЕКТРОХИМИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, изучает строение границы раздела полупроводник электролит и ( жз.-хнм. процессы на этой границе. Особенности этих процессов обусловлены наличием двух видов подвижных носителей заряда — электронов зоны проводимости и положительно заряж. дырок валентной зоны. Электроны и дырки участвуют в электродных процессах независимо друг от друга. Объемная конц. носителей заряда в полупроводниках мала по сравнению с металлами (менее 10 см ), поэтому полупроводниковая обкладка двойного электрич. слоя диффузна, значит, часть межфазного скачка потенциала локализована в полупроводнике. Токи обмена в электродных процессах малы, электродные р-ции обычно необратимы в р-циях возможно участие связанных состояний электронов н дырок (экситонов). Для электрохим. кинетики существенны диффуз. ограничения, связанные с доставкой электронов или дырок к границе раздела электрод электро-лит. Для полупроводниковых электродов характерна высокая фоточувствительность, причем поглощенный свет ускоряет преим. анодную р-цию на электронном полупроводнике и катодную — на дырочном. Генерация неравновесных электронов и дырок, возможная при электрохим. р-циях, может привести к хемилюминесценции. [c.706]

Внутренний фотоэффект. Фотопроводимость. Внутренний фотоэффект — это процесс ионизации атомов полупроводника под действием света, приводящий к образованию добавочных неравновесных носителей заряда. Добавочную проводимость, обусловленную внутренним фотоэффектом, называют фотопроводимостью. [c.425]

В цепи, изображенной на чертеже, слева проходит усиливаемый ток в пропускном направлении. При подаче импульса напряжения в левой цепи в о-полупроводник впрыскиваются дырки. В монокристаллах чистого германия время рекомбинации таких неравновесных носителей зарядов достаточно велико, чтобы они успели продиффундировать к правой границе о-Ое. На этой границе отсутствие дырок создавало запорный слой. Сопротивление этого контакта из-за прихода дырок уменьшится и возрастет ток. Так осуществляется усиление тока сигнала [c.522]

Фотопроводимость полупроводников. Под фотопроводимостью подразумевается та избыточная проводимость Да, которая определяется неравновесными носителями заряда, образовавшимися за счет освещения полупроводника [c.151]

Широкое распространение получили также полупроводниковые детекторы для регистрации альфа- и гамма-излучения [15]. Принцип их работы заключается в следующем. При попадании гамма-кванта или частицы в полупроводник в нём в результате ионизации образуются неравновесные носители заряда — электроны и дырки, которые под воздействием внешнего электрического поля перемещаются к электродам. В результате в электрической цепи, соединённой с полупроводником, возникает импульс тока, который затем преобразуется в импульс напряжения. Амплитуда его пропорциональна энерговыделению частицы в кристалле. [c.106]

Эффективное время жизни носителей заряда. Скорость процессов генерации-рекомбинации на поверхности полупроводника всегда много больше, чем в его объеме. Рассмотрим процесс рекомбинации в тонком кристалле, толщина которого (1 меньше диффузионной длины I. В этом случае можно пренебречь скоростью объемной рекомбинации и считать, что гибель неравновесных пар происходит практически только на поверхности. Если кристалл [c.147]

В основе действия фотоэлектрохимических солнечных батарей лежат процессы, происходящие с неравновесными носителями тока-электронами и дырками-в освещаемом полупроводнике генерация, разделение зарядов и их переход из полупроводника через межфазные границы (с электролитом, с одной стороны, и с металлом омического контакта, с другой). Наиболее эффективным оказывается свет с длиной волны короче порога собственного поглощения полупроводника он вызывает (см. разд. 1.2) генерацию пар электрон-дырка. Скорость генерации д(л ) (т. е. число неравновесных носителей, возникающих в единице объема в единицу времени) максимальна вблизи поверхности полупроводника и затухает по мере движения в глубь полупроводника по закону [ср. [c.40]

В цепи, изображенной на чертеже, слева проходит усиливаемый ток в пропускном направлении. При подаче импульса напряжения в левой цепи в р-полупроводник впрыскиваются дырки. В монокристаллах чистого германия время рекомбинации таких неравновесных носителей зарядов достаточно велико, чтобы они успели продиффун-дировать к правой границе р-Ое. На этой границе отсутствие дырок создавало запорный слой. Сопротивление этого контакта из-за прихода дырок уменьшится и возрастет ток. Так осуществляется усиление тока сигнала. Изображенное справа на рисунке нагрузочное сопротивление й позволяет увеличивать сигнал и по напряжению. [c.660]

В определенных условиях энергии, накопленной в адсорбционном комплексе, оказывается достаточно для диссоциации молекулы. При этом исчезает само МПС. Поскольку сечения захвата с , Ср аномально малы, заметные эффекты диссоциации могут наблюдаться при весьма высоких уровнях инжекции неравновесных носителей заряда. Мы наблюдали фотодиссоциацию адсорбированных на поверхностях монокристаллов молекул Н2О, НСООН и СС14 при импульсном освещении поверхности. На рис. 2 представлена зависимость квантового выхода водорода при фотодиссоциации НдО на 51 от энергии падающих квантов света. Видно, что величина т] растет с ростом энергии квантов (кривая 1). Указанный рост 1] при постоянстве квантового выхода электрон-дырочных пар, генерируемых светом в полупроводнике (пунктирная кривая на рис. 2), и постоянстве потенциала поверхности не может быть объяснен в рамках электронной теории адсорбции. [c.59]

В первом приближении скорость дрейфового пролета неравновесных носителей через слой пространственного заряда много меньше их времени жизни, поэтому рекомбинацией в этой области можно пренебречь. Это означает, что все дырки, генерированные в пределах обедненного слоя, достигают поверхности электрода и могут внести вклад в фототок. Но в объеме полупроводника рекомбинацией пренебречь нельзя мерой ее интенсивности служит диффузионная длина Lp. Дырки, генерированные светом глубже от поверхности, чем Ь с + Lp, уже не смогут дойти до поверхности они рекомбишфуют раньше, не участвуя в переносе тока через границу полупроводник/электролит. [c.42]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология