Давление паров и явление термодиффузии

Кроме того, при измерении давления пара Вг2 были сделаны попытки отделить агрессивный газ от ртутного манометра, используя явление термодиффузии. Но более детальное исследование показало [108], что этот прием в особо благоприятных случаях требует значительных затрат. Другая возможность, которую иногда используют для агрессивных веществ (таких, как I2 или ВГ2), заключается в том, что агрессивные газы или пары при том же давлении заполняют присоединенную колбу точно известного объема, которую затем отпаивают, а содержащееся в ней количество вещества определяют чисто аналитически. [c.417]

Нарушение термодинамич. равновесия между жидкостью и ее паром, приводящее к И., связано, согласно кинетич. теории, с образованием на границе раздела скачка давления и темп-ры. Кроме того, при неравномерном распределении в газовой фазе темп-ры и парциальных давлений компонентов возникают, помимо обычных явлений теплопроводности и диффузии, вторичные явления термодиффузия и диффузионная теплопроводность. Однако при практич. расчетах И. этими дополнительными эффектами можно пренебрегать вследствие их незначительности и принимать (если кривизна поверхности не слишком мала), что парциальное давление пара у поверхности раздела равно давлению насыщения при темп-ре поверхности жидкости. При очень малых радиусах кривизны поверхности И. (напр., И. очень малых капелек жидкости) нужно еще учитывать влияние поверхностного натяжения жидкости, благодаря к-рому равновесное давление пара над поверхностью раздела выше давления насыщенного пара той же жидкости над плоской поверхностью. [c.167]

Давление паров и явление термодиффузии [c.171]

Если МОС имеет сравнительно высокую термическую устойчивость при повышенных температурах, то в условиях осаждения покрытий из паровой фазы этого МОС могут возникнуть явления термодиффузии вблизи подложки, нагретой до более высоких температур, чем окружающая среда. При этом вследствие различия в температурных зависимостях давления пара и коэффициентов диффузии МОС и продуктов распада будет наблюдаться обеднение высокотемпературной зоны, прилегающей к подложке, исходным МОС и обогащение этой зоны продуктами распада. В участках реакционного сосуда, расположенных вдали от подложки и имеющих более низкую температуру, наоборот, паровая фаза будет обогащена парами МОС по сравнению с концентрацией его вблизи подложки. [c.171]