О влиянии сил неупругого сопротивления

О влиянии сил неупругого сопротивления [c.77]

Влияние сил неупругого сопротивления на характер колебательных процессов проиллюстрируем на примере колебаний с вязким сопротивлением (подробно эти вопросы для различных зависимостей / =/ ( х) рассмотрены, например, в /33,34/). [c.78]

Причина высокого теплового сопротивления аморфных тел состоит в рассеянии и поглощении фононов самой нерегулярной структурой. Как и в монокристаллах, тесное межатомное взаимодействие приводит к образованию широкого спектра колебаний, которые, однако, из-за неупругого рассеяния, характерного для аморфных структур, сравнительно быстро затухают. В большей мере это относится к коротковолновым фононам, длины волн которых соизмеримы с размерами элементарной ячейки структуры. На распространение длинноволновых фононов среда оказывает гораздо меньшее влияние, так как в этом случае отдельные участки решетки колеблются как целое, и дискретная в действительности решетка может рассматриваться как сплошная среда (континуум). [c.30]

В полученном выше уравнении движения (выр. 3.53) не учитываются . рисутствующие в любой системе неупругие сопротивления (трение), в резуль-ате чего колебания получились незатухающими. Ниже этот вопрос будет час- чно рассмотрен, однако, следует иметь в виду, что влияние этих сопротивле-1йй на собственную частоту системы, как правило, весьма мало. [c.69]

При высоких температурах (/ в, 0 —температура Дебая) основной причиной рассеяния, как правило, являются столкновения с фононами. В этой области температур р Г (с точностью до членов Q/T 1), и, как ясно из соотношений (24.20), добавка к сопротивлению, обусловленная рассеянием на примесях (описываемом оператором W ), вовсе не зависит от температуры (в первом приближении по параметру В/Т). При низких температурах (для очень чистых образцов — при сверхнизких температурах) основной механизм сопротивления — рассеяние на примесях и прочих статических неоднородностях. Теперь оператор Wo описывает примесное рассеяние. Роль малой добавки играет взаимодействие с фононами (оператор i). Температурная добавка к сопротивлению пропорциональна Р, а коэффи-uVieHT при Р не зависит от общего числа примесных атомов (см. формулу (24.14)). Однако этот коэффициент зависит от характера рассеяния электронов на примесях и поэтому может меняться от образца к образцу. Даже в такой облегченной формулировке правило Матиссена выполняется отнюдь не всегда, причем наиболее существенные отклонения связаны, как показали работы последних лет, с рассеянием электронов.на квази-локальных и локальных колебаниях кристалла, т. е., другими словами, с учетом неупругости столкновений с примесями, а также с перестройкой фононного спектра под влиянием примесей. Детально проведенное рассмотрение [16] объяснило основные экспериментальные факты, относящиеся к зависимости сопротивления от массы примеси, ее концентрации и т. д. [c.209]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология