Локальные колебания

Для измерения толщины используют эхометод и методы локальных колебаний (резонансные). В редких случаях используют метод прохождения. При контроле методами отражения и прохождения измеряют время пробега импульса в ОК. Иногда измеряют амплитуду прошедшего сигнала или его фазу. При контроле методом колебаний измеряют резонансные частоты. Различают три вида задач при измерении толщины, которым соответствуют три группы приборов А, Б, В. [c.234]

В общем состояние поверхности влияет на процесс кипения путем изменения условий зарождения и роста паровых пузырей, частоты отрыва, плотности центров парообразования и т. д. При этом интенсивность процесса и необходимый для возникновения кипения перегрев ДГ зависят от материала поверхности, формы и размера впадин, теплофизических свойств жидкости, плотности распределения впадин по поверхности, наличия в порах пара или газа и т. д. Кроме того, существенное влияние на динамику процесса кипения могут оказать наличие в нагревателе градиента температур и локальное колебание его при росте и отрыве пузырей, которое сказывается на условии активности впадин. [c.16]

Полосы локальных колебаний (тип А) [11] [c.228]

Полосы цепочечных колебаний (полосы блочности или полосы типа В), которые, в отличие от полос локальных колебаний, расширяются и расщепляются при увеличении длин регулярных участков цепи при этом расщепленные компоненты сужаются. Эти полосы очень чувствительны к фазовым сдвигам, а соответствующие им колебания отличаются высокими значениями параметров взаимодействия между соседними звеньями. [c.229]

Полоса поглощения при 1345 см находится за пределами области разрешенных частот колебаний алмазной решетки. Ее положение и форма позволяют отнести ее к поглощению, обусловленному локальными колебаниями примесного атома азота относительно кристаллической решетки алмаза. [c.418]

Полоса 1350 см относится к так называемым истинно локальным колебаниям, т. е. к частотам нормальных колебаний кристалла, изменившимся при внедрении примесного атома (для алмаза рамановская частота и ь= 1332 см ). Из структурных примесей, попадающих в искусственные алмазы (в природных алмазах наблюдается полоса 1365 см ), кроме азота, обычно присутствуют никель и алюминий. Что касается полосы 1100 см , то в алмазах с изотопом она представлена как полосой 1100 СМ , так и полосой, сдвинутой в область 1065 см . Следовательно, в обычных алмазах имеет место наложение полос двух различных типов, одна из которых относится также к резонансным колебаниям. Большой сдвиг свидетельствует о необходимости учета в этом случае ангармоничности колебаний. [c.425]

Еще одним источником ошибок может быть изменение температуры газовой фазы или твердого адсорбента. Если комнатная температура медленно изменяется во время адсорбционных измерений, это можно учесть путем приведения объемов газов к нормальным температуре и давлению при условии, что температура мертвого пространства остается постоянной и точно измеряется. Но чаще происходят локальные колебания температуры, и тогда необходим какой-то контроль температуры окружающей среды. Часто достаточно заключить газовую бюретку в водяную ру- [c.352]

Различают интефальные и локальные методы. В интефальных методах анализируют собственные частоты изделия, колеблющегося как единое целое, в локальных - колебания отдельных его участков. [c.212]

Теория локальных колебаний в ряде случаев используется для объяснения некоторых вторичных релаксационных процессов и правильно предсказывает величину дисперсии при диэлектрической релаксации. Тем не менее эта теория, как и другие теории, связывает время релаксации с некоторым коэффициентом вязкости, предсказание которого связано с очень большими трудностями. [c.197]

Для того чтобы механизм передачи энергии был бы существенен в процессах десорбции, необходимо, чтобы время жизни локальных колебаний было бы больше времени передачи. Время жизни локальных колебаний обусловлено ангармоничными членами в уравнениях движения, которые здесь не учитывались. По оценке [I] оно может достигать значений.больших 10 сек. Оценка по фор-куле (20) времени передачи энергии между молекулами СО, адсорбированными на платине (ш З.Ю сек , 10 сек [c.235]

Более подробный анализ полученных решений, условия захвата атома поверхностью, доля энергии падающей частицы, идущая на возбуждение локальных колебаний и колебаний из области собственных частот кристалла, составят предмет следующей статьи. [c.235]

Следовательно, существующая теория диэлектрической проницаемости растворов [2, 3] не объясняет больших отрицательных отклонений от аддитивности, наблюдаемых в растворах, состоящих из полярного и неполярного компонентов. С другой стороны, известно, что в таких растворах, как правило, сильно развиты флюктуации концентрации [5, 6]. На рис. 1 сопоставлены также отклонения от аддитивности, т. е. значения е — г для растворов СеНе — СНзОН, и соответствующие им значения интенсивности рассеяния света [5]. Естественно предположить, что расхождения между Е и е вызваны локальными колебаниями е вследствие флюктуаций концентрации. [c.226]

Изучение спектров с помощью изотопного замещения показывает, что более или менее локальные колебания радика-ла-заместителя оказываются активными в поглощении, обязанном возбуждению я-электронного облака углеродного кольца. Определение величин этих колебаний для различных алкильных радикалов [c.258]

Рис. 73. Графический метод нахождения частоты локальных колебаний.

Следовательно, в зависимости от знака параметра дискретные частоты могут возникать либо левее полосы сплошного спектра ((Ол < С01 при Wo > 0), либо правее этой полосы (сол > г при И о < 0). Колебания кристалла с описанными частотами носят название локальных колебаний, а сами частоты со , — локальных частот. [c.205]

Для оправдания названия локальные колебания покажем, что амплитуда соответствующего колебания действительно отлична от нуля лишь в некоторой окрестности вблизи точечного дефекта. Проанализируем последний из рассмотренных случаев и примем 1 0 > О, предполагая локальную частоту Шд расположенной левее [c.205]

Таким образом, амплитуда локального колебания действительно быстро убывает с ростом расстояния г, и длина I, на которой происходит это убывание, имеет следующий порядок величины [c.206]

В заключение отметим, что наличие локальных колебаний сказывается на многих наблюдаемых в кристаллах физических эффектах. Но мы ограничимся лишь кратким указанием на две стороны этого влияния, не входя в конкретное обсуждение самих физических явлений. [c.207]

С одной стороны, сам факт существования дискретной частоты, отделенной конечным интервалом частот от полосы непрерывного спектра, приводит к особенностям в частотных зависимостях различных характеристик процессов рассеяния и поглощения. Соответствующие резонансные особенности появляются у амплитуд рассеяния различных частиц (например, нейтронов) на локальных дефектах. Инфракрасное поглощение в ионных кристаллах обнаруживает пики, также соответствующие локальным колебаниям различных специфических для этих кристаллов центров. [c.207]

Перейдем к рассмотрению локальных колебаний у точечного дефекта, который создается примесью замещения, когда место атома основного элемента занято чужим атомом. Такого же типа дефект создает вакансия в узле. При наличии этого дефекта меняются как масса соответствующего узла, так и постоянные упругой связи этого узла с соседними. Поэтому уравнение (12.8) должно быть заменено более общим (дефект расположен в узле п = 0) [c.207]

Анализ локальных колебаний, вытекающих из (12.21), производится по программе, изложенной в предыдущем пункте. Но, к сожалению, реализация этой программы теперь технически более сложна. Чтобы увидеть, насколько уравнение (12.21) сложнее уравнения (12.8), рассмотрим пример простой кубической решетки с взаимодействием только ближайших соседей. Обозначим через п единичный вектор, направленный от избранного узла в сторону любого из шести его ближайших соседей. В простейшей модели матрица и (п, п ) имеет следующие отличные от нуля элементы [c.208]

Полагая в (12.26) п == О и п = По, мы получим систему семи однородных уравнений для семи смещений ы (0) и (по). Равенство нулю определителя этой системы дает некоторое трансцендентное уравнение, определяющее возможные частоты локальных колебаний. Так как зависимость правой части (12.26) от квадрата частоты 8 очень сложная, то возможен целый спектр дискретных частот локальных колебаний. [c.208]

Ранее ( 1, п. 8) было отмечено, что полюсы функции Грина как функции переменной е определяют квадраты собственных частот колебаний соответствующей системы. Согласно (12.50) функция Грина для кристалла с точечным дефектом может обладать дополнительным полюсом в точке, где имеет нуль функция D (е), т. е. при тех значениях 8, которые находятся из уравнения D (е) = = О, совпадающего с (12.11). Следовательно, дополнительные (по отношению к функции Грина идеального кристалла) полюсы функции Грина определяют рассмотренные в предыдущих пунктах частоты локальных колебаний кристалла с дефектом. [c.213]

НИИ их взаимодействия с остальными дефектами. Запись этой функции служит дополнительным подтверждением резонансного характера передачи возбуждения между дефектами. Но теперь в качестве знаменателя в формуле (12.64) выступает функция Д (е), поэтому резонансные частоты смещены относительно частоты локальных колебаний изолированного дефекта. [c.218]

Если Г мал, то выражение (12.77) приводит к острому пику в плотности колебаний. Тогда частота = носит название квазилокальной частоты, а отвечающее ей колебание — квази-локального колебания. [c.222]

Следует, конечно, иметь в виду, что в таких явлениях, как эффект Мессбауэра или рассеяние нейтронов, вклад истинных локальных колебаний более резко выделен и, вообще говоря, по величине больше, чем вклад квазилокальных колебаний (приведенный к одинаковой частоте). Однако в том случае, когда основной интерес представляет область низких частот (например, при изучении влияния относительно очень тяжелых примесей на свойства кристалла), квазилокальные колебания не имеют конкурентов , поскольку у низкочастотной границы акустического спектра невозможно появление локальных колебаний. [c.225]

Частоты (14.14) обладают характерной для двухмерных задач экспоненциальной зависимостью от интенсивности возмущения, т. е. от величины 1/ . В их определении отсутствует свойственное точечным дефектам критическое значение интенсивности возмущения, начиная с которого происходит отщепление частоты локальных колебаний. Существование локализованных вблизи дислокации колебаний требует определенного знака возмущения (1 о > 0), и при нужном знаке соответствующая частота всегда отделена некоторой конечной щелью бсо от начала спектра объемных колебаний кристалла [c.238]

Правильная система контроля потока нейтронов дает возможность заметно улучшить результаты, позволяя получить для различных образцов относительную квадратичную ошибку в пределах 2—7%. Эта ошибка в некоторых случаях много больше, чем статистическая ошибка счета активности, Величина ошибки в этих случаях определяется плохой воспроизводимостью положения образца при облучении и счете (ошибка положения), различием среднего потока нейтронов в образцах (объемная ошибка) и локальными колебаниями потока нейтронов. [c.159]

Ц е н т р ы В2, Фиксируются по полосе поглощения, расположенной в области проявления локальных колебаний (при v > > 1332 см ). Центры В2 представляют собой пластинчатые образования в плоскости куба [193], нх размеры определяют положение полосы 1350—1380 см . Содержание азота в этих дефектах не превышает 10 % общего его количества в кристаллах [289]. [c.116]

Пространственно-временные диссипативные структуры типа бегущей волны возникают в связи с образованием предельного цикла, когда концентрации компонентов системы не только колеблются во времени, но и одновременно изменяют свои координаты в пространстве. Такая система допускает волнообразное движение, при котором локальные колебания не организуются для образования стоячей волны, а принимают участие в общем продвижении волновых фронтов. Диссипативная структура в этом случае реализуется по типу бегущей волны во времени и пространстве. Система может обладать несколькими стационарными состояниями, которые соответствуют одному и тому же значению параметра. Типичный пример такой ситуации показан на рис. 7.1, на котором кривая зависимости / (X, а) =0 стационарных значений концентраций X (а) от параметра а имеет три стационарных точки при одном фиксированном значении параметра ц. Если, например, а = о, то а, с — устойчивы, а Ь — неустойчивое состояние. Тогда части кривой АВ и ОС представляют собой ветви устойчивых, а ВС — ветвь неустойчивых стационарных состояний. При достижении бифуркационных значений параметра (а, а") происходят скачкообразнью переходы С А и ВО в экстремальных точках В 11 С кривой f (X, а) = О так что неустойчивые состояния на участке ВС практически никогда не реализуются в действительности. Таким образом, реализуется замкнутый гис-терезисный цикл АВОСА, в котором в результате изменения параметра система проходит ряд стационарных состояний, отличающихся друг от друга при одних и тех же значениях а в зависимости от направления движения. Системы, обладающие способностью функционировать в одном из двух устойчивых стационарных состояний, принято называть триггерными. Последние работают по принципу все или ничего , переключаясь из одного устойчивого режима в другой в результате изменения управляющего параметра а. [c.282]

Из сказанного следует, что средством снижения потерь с химическим недожогом и подавления генерации ЗОз, НгЗ и N0 является организация горения с минимальными общими и локальными колебаниями а, что может быть достигнуто в комплексе общего управления процессом, либо организации равномерного беспульса-ционного режима горения. [c.144]

К числу осн. направлений развития К. х. относятся всестороннее изучение влияния электронной корреляции на св-ва молекул в разл. состояниях и на особенности взаимод. молекул между собой изучение связи разл. типов движений в молекулах и установление специфики состояний и св-в, в к-рых эта связь играет определяющую роль (напр., в случае неприменимости адиабатич. приближения) получение и накопление достоверных численных данных высокой точности по св-вам молекул, необходимых для решения прикладных вопросов развитие теории колебательных и колебательно-вращат. спектров молекул, анализ особенностей колебат. движения при сильном возбуждении многоатомных молекул, переход к локальным колебаниям и др. В исследовании межмолекулярных взаимодействий задачи К. х. заключаются в нахождении потенциалов взаимод. при разл. ориентациях молекул, установлении зависимости этих потенциалов от строения молекул, создании моделей, позволяющих учесть влияние среды на св-ва молекул и механизмы злементарнътх процессов. Это позволит решить ряд проблем адсорбции и гетерог. катализа, поведения примесных молекул в твердом теле и др. Разработка этих направлений оказывает заметное влияние на развитие К. х. твердого тела. [c.367]

Нарушении симметрии, как правило, бывают связаны с тем, что на ППЭ имеются эквивалентные области, переход между к-рыми затруднен. Это обстоятельство может проявляться по-разному. В качестве примера рассмотрим ППЭ, на к-рой имеются два эквивалентных минимума, разделен-шлх достаточно высоким и широким барьером и отвечающих двум оптич. изомерам. Каждый из изомеров представляет собой нестационарную систему с очень большим временем жнзни стационарному состоянию системы отвечает равная вероятность нахождения в обеих потенц. ямах. Др. пример-появление таких нестационарных состояний при возбуждении. Напр., при фотоионизации молекулы Оз возникает состояние иона О , к-рое формально отвечает удалению на бесконечность электрона не с мол. орбигалей 1ст или 1ст , а с атомной (л-орбитали такие 1л-ионнзованные состояния у обоих адер нестационарны (как и в случае оптич. изомеров), однако минимумы на ППЭ разделены очень высоким потенц. барьером, что и ведет к появлению при ионизации Оз несимметричного состояния - иона О . Наличие достаточно изолированных, но эквивалентных областей типа потенц. ям или ложбин приводит и к появлению локальных колебаний, также отвечаюнщх нестационарным состояниям с большими временами жизни, что позволяет объяснить несимметричную диссоциащпо, напр. Н,0-> [c.351]

Если в регулярной цепочке бесконечной длины имеются два идентичных дефекта отстоящих друг от друга на достаточно большом расстоянии, то каждый из них является источником локальных колебаний, частоты которых равны между собой. По мере уменьшения расстояния между дефектами частота расщепляется на две компоненты, симметрично расположенные относительно первоначальной частоты. Величина расщепления при дальнейшем сближении дефектов и укорачивании регулярного отрезка цепи возрастает. Отсюда следует, что полоса локального колебания при разупорядочивании образца симметрично расширяется и расщепляется на две составляющие. [c.229]

Все это может приводить к появлению релаксационного процесса. Саито и др. [17] подробно рассмотрели этот релаксационный процесс, вводя трение в диффузионное уравнение Крамерса — Чандрасекара. Время релаксации для процессов локальных колебаний составляет [c.196]

Условие сущестБовагшя незатухающих со временем решений существование корней (14).меньших -I есть, таким образом, условие существования локальных колебаний. Можно показать, что каадое из уравнений (14) имеет не больше одного такого корня. Дш уравнения (146) такой корень < -(1 + г]), то есть существует всегда (т1 / о). Для уравнения (14а) для существования х < -1 необходимо, чтобы + я > 4. Таким образом в рассматриваемой модели имеются либо одна,либо две [c.233]

Так как в действительности подобного распределения молекул в растворе нельзя ожидать, то фактические значения локальных колебаний 8 должны быть меньшими и опыт, следовательно, должен приводить к меньшим значениям г — е. Для раствора СвНд — СНзОН при ф = 7з из опыта следует, что е — е = 1,8. [c.228]

Примем теперь во внимание, что водородная связь является наиболее сильным видом межмолекулярной связи, вследствие чего частоты осцилляторов (АН В) заметно превышают типичные частоты межмолекулярных колебаний ординарных жидкостей, т. е. m, что обычно и наблюдается. Благодаря этому обстоятельству частотный спектр квазикристалла, включающего в себя водородосвязанный комплекс, состоит не только из плотной группы мод, сосредоточенных вокруг частоты но и из локальной моды с частотой, расположенной выше частот этой группы. Частота локальной моды юх, превышает также и частоту свободного комплекса Й благодаря упругому взаимодействию осциллятора Vo (АН В) с окружением. Будучи коллективной модой квазикристалла, локальная мода тем не менее соответствует в основном колебаниям фрагментов А и В один относительно другого, в то время как остальные молекулы вследствие несовпадения частот их колебаний с частотой соь лишь в малой степени вовлечены в локальное колебание. [c.97]

С другой стороны, в разложении вектора смещения примесного атома по нормальным колебаниям дефектной решетки локальное колебание входит с конечным весом в отличие от колебаний непрерывного спектра, каждое из которых входит с бесконечно малым весом (напомним, что вклад отдельного колебания квазине-прерывного спектра пропорционален lYМ, где N — число атомов в кристалле). Поэтому все эффекты, связанные со смещением примесных атомов или их ближайшего окружения (например, оптические переходы в примесных центрах, эффект Мессбауэра на примесных атомах и подобные), оказываются весьма чувствительными к появлению локальных колебаний. [c.207]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология