Поверхностное натяжение двойниковой границы

Во-первых, это сила, аналогичная в некоторой степени силе сухого трения , типа силы Пайерлса. Во-вторых, это сила поверхностного натяжения двойниковой прослойки. Очевидно, что последняя сила действует только на дислокации, расположенные у конца двойника. В самом деле, добавление одной дислокации в той части двойника, ширина которой имеет макроскопические размеры, практически не меняет площади поверхности раздела двойника и матрицы и не изменяет существенно поверхностную энергию. В то же время добавление одной дислокации у конца двойника, где границы раздела удалены друг от друга на несколько атомных расстояний, может значительно изменить соответствующую поверхностную энергию. Различие в характере искажений кристалла, порождаемых дислокациями у конца двойника (головными дислокациями скопления) и дислокациями на двойниковой границе, можно усмотреть при сравнении схем головной частичной дислокации (рис. 103) и двойникующей дислокации Владимирского (рис. 102). [c.305]

При анализе формы ступеньки, восстановленной по электронно-микроскопическим данным [221] (рис. 4.11), обращает на себя внимание разная степень искажения поверхности районе выхода двойниковых границ на поверхность кристалла. Поскольку с точки зрения теории упругости условия в точках выхода двойника на поверхность эквивалентны, экспериментально наблюдаемые различия в рельефе поверхности объясняются существенной ролью сил поверхностного натяжения соответствующих границ. Невозможность значительного перемещения участков поверхности вблизи контакта границ приводит к появлению больших упругих напряжений. Анализ условий равновесия в этом районе позволил определить отношение энергии двойниковой границы к энергаи свободной поверхности [219] - оно составляет примерно 1 10. Эти данные согласуются с известными значениями поверхностной энергии кальцита [222] и энергии двойниковой границы, определенной в 4.3. [c.105]

Однако следует указать на принципиальное различие между упругим Двойникованием и резиноподобным поведением. Если при упругом двойниковании движущей силой процесса является в первую очередь поверхностное натяжение двойниковой границы, то в случае резиноподобного поведения — это объемная сила, связанная с различием свободных энергий двойника и материнского кристалла (например, вследствие разупоря-дочения матрицы в ходе передвойникования). [c.171]

Сила поверхностного натяжения, действующая на головную дислокацию в двойнике /п.н может быть оценена с учетом (3,23) и того обстоятельства, что 2адв ( дв — поверхностная энергия двойниковой границы). Используя приведенные выше значения М, получаем для <Хдв, согласно соотношению [c.97]

НЫХ напряжений, обусловленных силой поверхностного натяжения ). Эти напряжения могут быть оценены следующим образом а адв/Ггр (Лдв - поверхностная энергия двойниковой границы, Лгр - физическая толщина границы согласно результрам гл. 2, Ггр 10" см). Как и в случае образования полных дислокаций вблизи ступенек на поверхности [239], суммарные напряжения могут приближаться к теоретической прочности. Такой источник обеспечит нужное для движения границы число дислокаций. Он будет работать почти безактивац онно. Небольшая термическая активация нужна потому, что новые дислокации будут появляться скорее в виде полупетелек с последующим разбеганием, чем в виде прямолинейных дислокаций. [c.116]

Сила неупругого происхождения включает в себя и силу поверхностного натяжения. Очевидно, что действие такой силы испытьшают лишь дислокации, расположенные только на конце двойника. В самом деле, добавление одной дислокации в той части двойника, ширина которой имеет макроскопические размеры, практически не меняет поверхности раздела материнского и сдвойникованного кристаллов и не изменяет сушественно поверхностную энергию. В то же время добавление одной дислокации у острия двойника, где границы раздела удалены одна от другой на несколько атомных слоев, может значительно изменить соответствующую поверхностную энергию. Это предположение подтверждается качественным рассмотрением [167]. В работе [1671 показано, что межфазная поверхностная энергия в двойнике существенно уменьшается с увеличением числа атомных слоев, перешедших в двойниковое положение. В частности, оказьшается, что уже трехслойный двойник практически можно рассматривать как таковой, обладающий двумя когерентными двойниковыми границами. К подобному же выводу приводят и результаты математического моделирования многослойных дефектов упаковки и двойниковых границ [128]. [c.56]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология