Халькогениды

Исследованиями ученых многих стран установлено, что к соединениям переменного состава относятся не только оксиды, но н субоксиды, халькогениды, силициды, бориды, фосфиды, нитриды, многие другие еорганические вещества, а также органические высокомолекулярные соединения. Во всех случаях, когда сложное вещество имеет молекулярную структуру, оно представляет собой соединение постоянного состава с целочисленными стехиометриче-скими индексами. Некоторые ионные кристаллы и даже атомные кристаллы и металлы могут также подчиняться законам стехиометрии. Но в случае немолекулярных кристаллов, как отмечает Б. Ф. Ормонт, уже не молекула, а фаза т. е. коллектив из Л/о (числа Авогадро) атомов, определяет свойства кристаллической решетки . Он предлагает для подобных веществ расширить формулировку закона постоянства состава Если... в твердом агрегатном состоянии соединение не имеет молекулярной структуры, то в зависимости от строения атомов и вытекающего отсюда строения фазы и характера химической связи в ней состав соединения и его свойства могут сильно зависеть от путей синтеза. Даже при одном и том же составе свойства могут сильно зависеть от условий образования . Б. Ф. Ормонт подчеркнул необходимость исследования зависимости условия образования—состав — строение — свойства,— направленного. на установление связи между условиями образования, химическим и фазовым составом системы, химическим составом и строением отдельных фаз и их свойствами. Нетрудно заметить, что добавление к обычной формуле, закона постоянства состава слов состав срединения зависит от условий его образования ,— лишает закон постоянства состава его смысла. В то же время указание на важность изучения в связи с проблемой стехиометрии не только состава, но и строения твердых веществ представляется очень существенным. [c.165]

Смешанный вид химической связи встречается в бинарных соединениях элементов, из которых один — металл, а другой — неметалл и электроотрицательности элементов отличаются недостаточно для того, чтобы связь считать ионной. Здесь имеется группа соединений, включающая отдельные халькогениды (например, AI2S3), пниктогениды ( a3N2), карбиды (ВегС), силициды (СагЗ ). Природа химической связи в этих соединениях — ковалентная сильно полярная или, как говорят, смешанная между ионной и ковалентной. Поэтому данные соединения проявляют свойства как ковалентных, так и ионных соединений, но не в полной мере. Большинство из них — солеобразны, как и ионные соединения. Однако в водных растворах они разлагаются, как многие ковалентные бинарные соединения, например [c.341]

Халькогениды. Сера, селен и теллур менее электроотрицательны, чем кислород. Кроме этого, теллур находится на границе между металлами и неметаллами. Поэтому среди халькогенидов выделяют ионные, ковалентные и металлоподобные соединения. Степень окисления элемента неметалла в халько-генидах —2. [c.342]

Для изомеризации алканов эффективны катализаторы, обладающие одновременно гидрирующе-дегидрирующей и изомеризующей способностью. Подобные катализаторы получают сочетанием металлов (чаще всего платины, палладия, родия) или окислов металлов (вольфрама, молибдена) с кислыми халькогенидами и цеолитами. Роль гидрирующе-дегидрирующего компонента играют перечисленные металлы и окислы, а кислотного—халькогениды (обычно окись алюминия или алюмосиликаты) и цеолиты. Используемая окись алюминия промотируется хлором или фтором в зависимости от условий ведения процесса. [c.81]

Остов металлов. В металлах остов образуют катионы, которые, так же как анионы в структуре гало генидов, оксидов, халькогенидов и многих других соединений, связаны друг с другом квантовомеханическим электронным обменным взаимодействием. Именно поэтому щелочные металлы имеют не плотнейшую упаковку с координационным числом 12, чего следовало бы ожидать при чисто электростатическом взаимодействии, а более рыхлую (рис. 19). [c.78]

Некоторые пространственно-разделенные аддукты были синтезированы в Ленинградском технологическом институте методом деструкционно-эпитаксиального осаждения (ДЭП, см. гл. XV), исходя из силикагеля, а также ряда других гидроксидов и халькогенидов металлов. В частности, были получены аддукты основной поликремниевой соли меди с гидросиликатом меди, состав которых выражается общей формулой [c.47]

Склонность халькогенид-ионов выступать в качестве лиганда при образовании анионных комплексов уменьшается при увеличении порядкового номера халькогена. Даже такое сильное основание, как ион S , представляет собой слабый лиганд. На образование соответствующих анионных комплексов сильное влияние оказывает pH раствора. [c.517]

Эпитаксиальным осаждением халькогенидов в вакууме на нагретой подложке, роль которой играли монокристаллы поваренной соли, германия, кремния и некоторых других веществ, мы получали двух-, трех- и четырехслойные пленки с заданным чередованием слоев разного состава и толщины. [c.45]

Одно- и многослойные монокристаллические пленки халькогенидов кадмия и свинца [c.46]

Наносят также токопроводящие слои халькогенидов — соединений серы и фосфора, обладающих полупроводниковыми свойствами. В последнее время получили применение токопроводящие слои (ТПС) на основе сульфидов металлов. [c.99]

Буквы в скобках (г), (к) обозначают гексагональную и кубическую структуры соответственно, направление стрелок указывает, какой халькогенид напыляется на ту или иную ориентирующую подложку. [c.46]

На подобные модифицированные снязи указывает факт раздвоения кривой зависимости частоты максимума полосы излучения и ширины запрещенной зоны халькогенидов цинка и окиси цинка от среднего ядерного заряда для этих соединений (рис. 43). [c.126]

Из халькогенидов путем проведения гетерогенной кислотноосновной реакции (присоединение протонов) можно получить халькогеноводороды. Они более летучи, чем кислоты, вступающие в реакцию, и поэтому выделяются в виде газов. Гидриды халькогенов имеют весьма характерный запах и чрезвычайно ядовиты. В табл. В.28 приведены некоторые свойства газаообраз-ных гидридов халькогенов — строение, характеристика связей Таблица В.28. Свойства халькогеноводородов [c.514]

Сульфид серебра для электродов с твердой мембраной представляет собой универсальное вещество. С одной стороны, он явился основой одного из первых гомогенных кристаллических электродов с высокой селективностью по отношению к ионам Ag+ и S , с другой — оказался превосходной матрицей для поликристаллических галогенидов серебра и многих сульфидов (халькогенидов) двузарядных металлов. В качестве приближенной меры коэффициента влияния твердых ИСЭ с мембраной из труднорастворимых солей принимают отношение произведений растворимости. Например, для иодидного электрода с мембраной, содержащей Agi, коэффициент влияния находящихся в растворе ионов А (С1 , Вг- и др.) равен [c.531]

МОЖНО выбрать подходящие окислители халькогенид-ионов. [c.517]

Некоторые характеристики халькогенидов Оа (III), 1п (III), Т1 (III) [c.174]

Соединения Оа (I) и 1п (I). В отличие от соединений Т1 (I) соединения Оа (I) и 1п (I) немногочисленны (синтезированы окислы, галогениды и халькогениды) и мало изучены. Обычно их получают в вакууме восстановлением при нагревании соединений Оа (П1) и 1п (III) металлическим галлием или индием соответственно. [c.181]

Согласно рентгенографическим исследованиям Е. А. Порай-Кошица, халькогениды мышьяка сохраняют такую же координацию и в аморф- [c.311]

Из халькогенидов индия типа 1п23 в кристаллическом состоянии устойчивы только селенид и теллурид. Получены также ОзгЗ и ОазТе, но они исследованы мало. [c.181]

Для всех трех халькогенидов средние значения координационного числа, вычисленные по формуле = <31/(5/С1Л 2), равны 2,4, что возможно только в том случае, если атомы Аз окружены тремя, а атомы 8(8е, Те) —двумя ближайшими соседями. [c.313]

Аморфные халькогениды мышьяка существенно изменяют электрические и оптические свойства при малых добавках металлических элементов. Обнаружено, что добавки Ag и Ое укрепляют химические связи между слоями. Изучение структуры системы Си (АзгЗез) привело к выводу, что атомы Си увеличивают среднее координационное число до 4 и ближний порядок, реализующийся в стеклообразном состоянии этого вещества, идентичен ближнему порядку крис- [c.313]

Аналогично образуются названия халькогенид ( hal ogeni-de) и галогенид (halogenide), в литературе часто встречается также термин галид (halide) вместо галогенид . [c.28]

Халькогениды титана(IV), образующиеся при прямом синтезе из простых веществ, взятых в стехиометрических количествах, малорастворимы в воде. Объясните, почему они ме выпадают из водного раствора солей титана (IV) при добавлении растворимых сульфидов. В учебниках есть указание на то, что данные халькогениды растворимы в концентрированных растворах кислот-окислителей (H2SO4, HNO3) и щелочей (NaOH, КОН). Составьте уравнения всех описанных реакций. [c.132]

Полная обратимость почти всегда связана с разрушением углеродной матрицы, особенно когда она находится в высокоупорядоченном состоянии. В связи с этим в перезаряжаемых литиевых химических источниках тока можно было применять только халькогениды вследствие их устойчивости при циклировании. В последнее время были найдены углеродные матрицы для анодов ХИТ, которые позволили по-новому решить вопросы их перезаряжения (циклируемости). [c.325]

Ковалентные бинарные соединения встречаются почти среди всех классов бинарных соединений галогенидов, оксидов, халькогенидов, нниктогенидов н карбидов. Только среди силицидов нет ковалентных соединений. Эхо связано с тем. что кремний находится на границе между металлами и неметаллами и. таким образом, все силициды образованы с участием металлов. [c.341]

Остов оксидов металлов. Обменное взаимодействие анионов играет структуроформирующую роль не только в строении гало-генидов, но и многих других неорганических веществ. Это относится, например, к таким важным классам вещества, как твердые оксиды, сульфиды, вообще халькогениды, а также силикаты, алюмосиликаты и др. Остов оксидов образуется благодаря обменному взаимодействию оксоионов. При этом он определяет тип их структуры, природу соединений. Это видно на примере довольно странных на первый взгляд соединений вроде СаТ10з —не то солей, не то оксидов. В составе соединений такого рода находится два (или больше) вида катионов, размещающихся в соответствии с их размерами в октаэдрических или тетраэдрических пустотах кислород- [c.75]

В процессе эпитаксиального осаждения молекулы халькогени-да, переходя из газовой фазы на поверхность подложки, прекращают свое существование, а их атомы вливаются в структуру твердого тела — в макромолекулы соответствующего контактного химического соединения. Так как этот процесс управляется законом равновесия, то регулировка толщины отдельных зон с точностью до монослоя, очевидно, исключается. Тем не менее,данный синтез позволяет получать твердое вещество, представляющее собой не твердый раствор, а сложный многозонный халькогенид с запрограммированным порядком чередования зон. [c.193]

Спины соседних атомов металлов способны спариваться. Резкое уменьшение магнитного момента при образовании некоторых соединений, содержащих несколько атомов металла (сравнительно с изолированными атомами), явилось одним из указаний на возможность образования соединений, в которых существует связь между двумя атомами металла. Такие соединения встречаются среди карбонилов [например, (СО)бМп---Ке(СО)б], галогенидов, солей карбоновых кислот (карбоксилаты меди), халькогенидов и т. п. Возможно возникновение связей в группах атомов металла, содержащих 3, 4 и 6 атомов (кластеры). Такие скопления атомов металла встречаются в карбонилах и низших галогенидах (например, в хлориде ниобия ЫЬзСЬ). [c.201]

Руманс К., Структурные исследования некоторых окислов и других халькогенидов при нормальных и высоких давлениях.— М. Мир, 1969. [c.248]

Пластичность и мягкость свинца позволяют использовать его в качестве оболочки для электрических кабелей. DJиpoкo используется свинец в виде сплавов, особенно легкоплавких (припои, баббиты, типографские и подшипниковые сплавы). Б виде металла и свинцового стекла ( — 80% РЬ) свинец применяется для защиты от гамма- и рентгеновских лучей. Важной областью применения свинца является использование тетраэтилсвинца в качестве антидетонатора в бензинах и азида свинца в качестве инициирующего взрывчатого вещества. Халькогениды свинца находят все большее применение в полупроводниковой технике. [c.207]

Все халькогениды галлия, индия и таллия обладают полупроводниковыми свойствами. Их устойчивость падает в ряду Ga- Tl (табл. 1.21). Из халькогенидов Т1 (III) получен только Т12Тез. Исследование системы Т1—Se показало, что TbSes может существовать лишь в узком температурном интервале (192—274° С). [c.176]

Монокристаллы халькогенидов свинца используются в качестае выпрямителей, транзисторов и фотосопротивлеиий, а также в термоэлектрических устройствах. [c.206]

Кристаллическая структура халькогенидов мышьяка AS2S3, AszSej и АзгТез состоит из гофрированных слоев, в которых атомы As связаны ковалентно с тремя атомами S(Se, Те), а атомы S(Se, Те) — с двумя атомами As. [c.311]

На рис. 12.4 показаны функции а 8)—1 для аморфных халькогенидов мышьяка. Дифракционные максимумы наблюдаются при 5, равных 1,2 2,3 3,7 6,0 7,7 9,2 11,7 14,6 для АзгЗз при 5, равных 1,15 2,2 3,6 5,7 8,6 11,0 13,8 16,7 для АзгЗез при 5, равных 1,3 2,1 3,4 5,2 7,6 9,8 12,4 14,7 для АзгТез. Используя значения 5 для дальних максимумов и корни уравнения igS R = [c.312]

Неорганическая химия (1989) -- [ c.49 , c.71 ]

Общая химия в формулах, определениях, схемах (1996) -- [ c.19 ]

Общая химия в формулах, определениях, схемах (0) -- [ c.19 ]

Химия твердого тела Теория и приложения Ч.2 (1988) -- [ c.2 , c.35 , c.91 , c.142 , c.278 , c.294 , c.296 , c.332 ]

Общая химия в формулах, определениях, схемах (1985) -- [ c.19 ]

Общая химия в формулах, определениях, схемах (0) -- [ c.19 ]

Физика и химия твердого состояния органических соединений (1967) -- [ c.238 ]

Курс неорганической химии (1963) -- [ c.350 , c.739 ]

Нестехиометрические соединения (1971) -- [ c.104 , c.160 , c.177 ]

Теоретическая неорганическая химия Издание 3 (1976) -- [ c.447 , c.461 ]

Современная неорганическая химия Часть 3 (1969) -- [ c.2 , c.385 ]

Общая и неорганическая химия (1981) -- [ c.513 ]

Основы номенклатуры неорганических веществ (1983) -- [ c.32 ]

Введение в химию полупроводников Издание 2 (1975) -- [ c.0 ]

Курс неорганической химии (1972) -- [ c.313 , c.661 ]

Эмиссионные и адсорбционные свойства веществ и материалов (1975) -- [ c.198 , c.204 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология