Арсенид галлия индия

Твердые растворы на основе соединений А В . В табл. VI.1 (стр. 145) приведены 6 типов твердых растворов на основе фосфидов алюминия, галлия п индия, а также арсенидов алюминия и галлия. В настоящее время достигнуты значительные успехи в разработке светодиодов на основе GaASj. Рх самого дешевого материала для светодиодов, так как он легко получается методом газофазной эпитаксии на подложках из арсенида галлия, который, в свою очередь, является наиболее качественным и доступным материалом. Промышленный выпуск светодиодов освоен в большом масштабе. [c.149]

Индий — блестящий серебристо-белый металл, очень мягкий (режется ножом). Имеет низкую температуру плавления. Применяют в качестве примеси для легирования полупроводников и для получения соединений А В с полупроводниковыми свойствами (см. выше, арсенид галлия). Гальванические покрытия свинца индием из расплава используются при изготовлении подшипников скольжения и авиационных моторах. [c.310]

В результате всех этих исследований разработаны методы определения в среднем 6—8 элементов-примесей в чистых веществах, используемых в реакторной и полупроводниковой технике (графит, уран, свинец, висмут, цирконий, бериллий, кремний, германий, галлий, мышьяк, арсенид галлия, индий, таллий, фосфор, сурьма, цинк и др.), а также в других чистых материалах (бор, молибден, ниобий, иттрий, европий, кадмий). Созданы методы активационного определения целого ряда примесей в 22 веществах высокой чистоты с чувствительностью 10 —10 °%. [c.5]

Фосфор, мышьяк, сурьма используются для получения примесных полупроводников (/1-типа) германия и кремния, для синтеза соединений А " В — арсенид галлия ОаАз, фосфид индия 1пР и др. [c.233]

Теллурид кадмия Арсенид галлия Фосфид индия Антимонид индия [c.210]

Кристаллы полупроводниковых соединений получают из особо чистых компонентов сплавлением и последующей кристаллизацией из расплава. Температурные условия получения диктуются диаграммами состояния систем. Во многих случаях приходится применять двухтемпературные печи. Чаще всего синтез производят в откачанных и запаянных кварцевых ампулах (см. рис. 76). При вибрационном перемешивании и медленном охлаждении можно получить монокристаллические образцы арсенидов галлия и индия. Фосфид индия можно получить выкристаллизацией его из расплавов, содержащих избыток In. [c.266]

В технике широко применяются арсенид, в меньшей степени фосфид и антимонид галлия, а также твердые растворы арсенида с фосфидом галлия или этих галлиевых соединений с аналогичными соединениями алюминия и индия. Они используются для изготовления разнообразных полупроводниковых устройств — выпрямителей, транзисторов, детекторов ядерного излучения, приборов, использующих эффект Холла, и т. п., а также лазеров [80], Сейчас широко начинают применяться люминесцентные источники света в виде полупроводниковых диодов. Отличаясь малой инерционностью, они легко сочетаются с другими элементами электронных схем. На этой основе развивается новое направление электроники — оптикоэлектроника. С помощью фосфида галлия получают источники зеленого и желто-зеленого светов твердые растворы фосфида с арсенидом дают свечение от желтого до красного. Арсенид и антимонид галлия дают инфракрасное излучение 0,85—0,90 и 1,6 мкм соответственно. На основе арсенида галлия и других материалов этой подгруппы работают лазеры как для видимой, так и для инфракрасной областей спектра. Из других полупроводниковых соединений галлия начинает входить в практику селенид GaSe [80]. [c.245]

Соединения галлия Ga и индия In с неметаллами V и VI групп служат основой многих современных полупроводниковых материалов (например, арсенид галлия GaAs, антимонид индия 1п8Ь). [c.152]

Применение. Эти свойства, наряду с возможностью получения сложных форм без механической обработки, позволяют применить СУ в качестве специальных сосудов для производства полупроводниковых материалов, больших оптических монокристаллов, фторцирконатных и фторгафнатных стекол, имеющих малые оптические потери, полупроводникового арсенида галлия, металлов, в частности индия, и сплавов, деталей аппаратуры для особо агрессивных сред. [c.464]

Арсенид галлия GaAs и антимонид индия InSb получают сплавлением элементарных веществ. Это полупроводники, имеющие важное практическое значение. [c.277]

Активационные методы с выделениед и радиохимической очисткой образовавшихся изотопов ЗЬ используются для ее определения в алюминии [639—641, 912, 1235, 1247, 1376, 848] и трехокиси алюминия [639], боре и нитриде бора [426], бериллии [523], ванадии и пятиокиси ванадия [145], висмуте [1204, 1659, 1660], вольфраме [144], галлии [1375] и арсениде галлия [640, 824, 825, 831, 1375], германии [610, 639, 640], горных породах [74, 449, 1276, 1554], железе, стали и чугуне [987, 1033, 1113, ИЗО, 1280, 1590, 1653], железных метеоритах [1539], золоте [1676], индии [828, 829] и арсениде индия [115], каменных метеоритах [1136, 1234, 1236, 1515], кремнии [38, 39,275,282,455,639, 640, 861, 1035, 1144, 1355, 1473, 1492, 1540, 1687], двуокиси кремния и кварце [282—285, 487, 639, 640], карбиде кремния [38, 276, 639, 6401, [c.75]

С использованием масс-спектрометра типа МЗ-7 определяют 10 ат. % Ве в образцах ниобия и тантала. Чувствительность обнаружения рения в различных материалах следующая для ЗЬ — 3-10 , для 1п —3-10 , для арсенида галлия — 2 10 , для антимонида галлия—3 10 для фосфида индия—3 -10 ат. % [131]. [c.172]

Масс-спектрометрическим методом с использованием искрового источника можно обнаружить в антимониде галлия, фосфиде индия, антимониде индия до 3-10 ат.% Re, в арсениде галлия — до 2-10 ат.% Re [131]. [c.263]

Галлий и его арсениды и антимониды. Для определения примесей в полупроводниковой системе Ga—Р—S лучшим растворителем является смесь (4 1) азотной и соляной кислот, насы-ш енная бромом [191]. Серу затем определяют турбидиметрически в виде BaS04 в присутствии этанола с диэтиленгликолем. Чувствительность определения серы 2,6 мкг/мл, ошибка 4—6% [191]. Фотометрирование золя сульфида свинца позволяет определить серу в галлии, арсениде галлия, мышьяке и индии [140]. [c.197]

Развитие новых отраслей промышленности — атомной энергетики, ракетостроения, полуироводниковой техники — связано с ирименением материалов особой чисто-т ы, К ним относятся, например, элементные полупроводники (германий, селен, теллур), полупроводниковые соединения (арсенид галлия, фосфид индия), высокочистые цирконий, ниобий и др. В отдельных случаях содержание примесей в этих материалах не должно превышать 10 — 10- %. Для определения различных содержаний элементов необходимы соответствующие методы анализа. В одних случаях для применяемых методов характерным является низкий предел обнаружения, в других — в ы с о- [c.6]

Метод отгонки мышьяка в виде трихлорида прост, надежен и позволяет выделять как макро-, так и микроколичества мышьяка из самых разнообразных материалов, в том числе из железа, чугуна и стали Г374, 552, 694, 986], сплавов на основе железа [380, 986], железных руд [373, 986], свинцово-цинковых концентратов [14, 375, 376], шлаков [986], горных пород и минералов [74, 781], платиновых металлов и продуктов их переработки [219], вольфрама и вольфрамового ангидрида [921], латуней [377], бронз [381], сурьмы J837], арсенида галлия [243] и арсенида индия [464]. [c.143]

Арсенид индия. Для определения нримесей в арсениде индия, подобно тому, как это имеет место в случае арсенида галлия, наибольшее практическое значение имеют спектральные методы [305, 462, 464, 966]. [c.200]

Четырехкомпонентные системы фосфид индия—арсенид галлия. Для анализа систем InP — GaAs разработаны экстракционно-фотометрические методы [68]. [c.204]

В спектре масс InP были обнаружены в относительно больших концентрациях Ра, Рз, Р4, Р5 и Тпа, но ни в одном из случаев, в пределах чувствительности метода, не наблюдались ионы, состоящие из индия и фосфора одновременно. В этом отношении фосфид индия отличается от арсенида галлия и антимонида индия. [c.34]

Арсениды и антимониды галлия и индия катализируют процессы дегидрирования спиртов [277, 279, 280] и муравьиной кислоты [277, 348]. Арсениды галлия катализируют разложение гидразина [278]. [c.466]