Шоттки формула для вычисления

Итак, приходится констатировать, что без знания физической природы частотной зависимости дифференциальной емкости полупроводникового электрода невозможно по емкостным данным достаточно обоснованно определить концентрацию доноров (акцепторов) в электроде по формуле (2), каков бы ни был способ представления графика Мотта— Ш оттки. Поэтому приведенные в разных работах величины концентрации акцепторов в атгмазе, вычисленные по теории Шоттки для произвольной частоты измерительного сигнала, следует считать приближенными. Но д и целей качественного сравнения электродов из одного и того же полупроводникового материала нам представляется более удобным использование графиков (Т -Е (особенно для случаев, когда показатель степени а не слишком сильно отклоняется от 1) или i -E. [c.45]

Указанные изменения толщины и плотности кристаллов вызваны, по мнению упомянутых авторов, образованием дефектов по Шоттки, концентрация которых достигает величины порядка 1,2- 10 Параллельные измерения среднего значения концентрации Р —центров в облученных образцах, проведенные при помощи известных оптических методов и вычисленные по формуле Смакулы, дали величину порядка 5.10 слг , которая меньше концентрации образованных под действием излучения дефектов по Шоттки. Такое расхождение, по-видимому, связано с одновременным обесцвечивающим действием рентгеновых лучей, вследствие чего полное заполнение вакантных уровней становится невозможным. [c.100]

Какие из рассмотренных дефектов являются доминирующими, зависит от энергий их образования. На основании формул (5.11) — (5.13) следует ожидать, что в плотноупакованных решетках ионных кристаллов образование дефектов Шоттки должно быть энергетически более выгодным по сравнению с образованием дефектов Френкеля и антифренкелевских, поскольку в случае дефектов Шоттки значительная часть энергии, затрачиваемой на образование вакансий, компенсируется отрицательным членом (—Wl) при достраивании решетки на поверхности кристалла. Это хорошо иллюстрирует табл. 5.1, в которой для галогенидов щелочных металлов и хлорида серебра приведены вычисленные значения энергий образования вакансий, необходимых для удаления иона из узла в вакуум, энергии решетки Wt, равной работе по разделению кристалла на изолированные ионы, и результирующие значения энергии дефектов Шоттки IFs, отнесенные к паре ионов. [c.134]

В случае собственной разупорядоченности типа Френкеля, Шоттки или антифренкелевских дефектов концентрации вакансий или междуузельных ионов того или другого знака определяются константами соответствующих реакций собственного разупорядочения Кр, К% или Кар. На основании результатов вычислений, проведенных в разделе 5.1, они могут быть представлены единой формулой [c.181]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология