Селен в цинковой обманке

Селен в небольших количествах содержится во многих сульфидах (пирит, халькопирит и цинковая обманка). При прокаливании этих минералов в процессе получения серной кислоты элементарный селен оседает в пылеуловительных камерах и в иле из свинцовых камер. [c.392]

В кристаллах (а также и в переохлажденных жидкостях, т. е. в стеклах) внешние электронные уровни атомов отчасти или полностью сливаются с образованием электронных полос, принадлежащих всему кристаллу. Это особенно относится к уровням валентных электронов и к еще более высокорасположенным незанятым уровням. Если электронная полоса занята электронами и между отдельными атомами нет различия в энергии, то электроны могут перемещаться (со скоростью света) без подвода значительных количеств энергии. Такого рода полосы пронодимости представляют собой предпосылку металлической проводимости. Если полосы не заняты электронами, необходим подвод внешней энергии, чтобы перевести туда электрон. Это может быть достигнуто при облучении, тогда тело должно превратиться в проводник (фотопроводимость). Очень значительное увеличение проводимости при облучении исследовалось на большом числе веществ качественно, а на алмазе также и количественно (Россел). Особенно высокую фотопроводимость обнаруживают серый селен, цинковая обманка, галогениды серебра. Каменная соль, кальцит, кварц, сера, твердый парафин и полимерные вещества также претерпевают при облучении сильное уменьшение удельного сопротивления, что можно понять, если использовать представление [c.214]

Фотоэлемент с запирающим слоем. При падении лучистой энергии на некоторые полупроводники или изоляторы наблюдается явление внутреннего фотоэффекта. Он проявляется в том, что сопротивление облучаемого тела уменьшается. К таким телам относятся изоляторы — алмаз, цинковая обманка полупроводники — селен, аргентит (AggS), окись меди (I) и др. Физическая сущность внутреннего фотоэффекта заключается в освобождении электронов под действием энергии световых квантов из кристаллической решетки изолятора или полупроводника, связанных с отдельными атомами решетки, и превращении их в электроны проводимости. [c.46]

При сплавлении индия с селеном или теллуром получаются соединения ХпгЗез я ХпгТез- Селенид индия имеет сложную структуру и обладает в отличие от сульфида и теллурида мягкостью графита. Теллурид, который, так же как и сульфид, тверд и хрупок, кристаллизуется подобно 03283, 082863 и GaaTea в решетке, которая ьшо-дится из решетки цинковой обманки таким образом, что в ней остается незаполнеивыми 1/з мест, принадлежащих атомам металла, причем распределение этих незанятых мест не упорядочено. . [c.417]

Галлий химически взаимодействует и с мышьяком и с селеном. При взаимодействии с мышьяком образуется арсенид галлия (ОаАз) —полупроводник типа А Ф со структурой цинковой обманки [140, 141]. С селеном галлий образует селенид галлия—.ОагЗ03, обладающий также структурой цинковой обманки. В отличие от ОаАз структура ОагЗез имеет постоянные дефекты в решетке [142]. Ширина запрещенной зоны ОагЗез по оптическим измерениям при"300°К равна 1,9 эв. Подвижность электронов при 300° С 10 сж /в сек [143, 144]. [c.102]

Редкие элементы (галлий, нндий, таллий, германий, селен н теллур), не обнаруживаемые в метаморфизованных породах, встречаются в ничтожных количествах в сульфидных рудах — цинковой обманке, медных и никелевых рудах, а такж.- [c.19]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология