Селена арсениде галлия

Получение важнейших соединений галлия. Из всех разнообразных соединений Оа самое наибольшее практическое значение имеют полупроводниковые соединения типа А В . Из них в промышленных масштабах производят арсенид, фосфид и в меньшей степени антимонид. Для получения полупроводниковых соединений в качестве исходных материалов используют галлий и другие компоненты высшей степени чистоты. Особенно тщательно очищают от тех примесей, которые с трудом удаляются при последующей кристаллофизической очистке соединений. В случае, например, арсенида галлия такими примесями являются сера и селен. Применяются также все меры для предотвращения загрязнения в процессе синтеза и очистки. [c.269]

Для получения полупроводниковых соединений в качестве исходных материалов используются галлий и другие компоненты высшей степени чистоты. Особенно тщательно очищают от тех примесей, которые с трудом удаляются при последующей кристаллофизической очистке соединений. В случае, например, арсенида галлия такими примесями являются сера и селен. [c.168]

Описаны спектральные методы определения хлора в оксидах урана [370, 790, 920], плутония [920] и тория [370], в металлическом бериллии [169] и его оксиде [41], селене [309], арсениде галлия и кремнии [187], фториде натрия [1008], рудах и минералам [c.123]

Диаминобензидин позволяет определять - микрограммовые количества селена в присутствии граммовых количеств мышьяка (без отделения). Реагент позволяет определять селен в арсениде галлия без его отделения . [c.334]

Большинство перечисленных методов очистки мышьяка связано с удалением серы и селена, являющихся донорами в арсенидах индия и галлия. Неблагоприятный коэффициент распределения не позволяет удалить серу и селен зонной очисткой непосредственно из этих соединений. Из перечисленных выше методов наиболее эффективны для удаления серы, селена и теллура три дистилляция мышьяка из его раствора в свинце, выращивание монокристаллов мышьяка по методу Бриджмена и термическое разложение чистого арсина. [c.278]

Развитие новых отраслей промышленности — атомной энергетики, ракетостроения, полуироводниковой техники — связано с ирименением материалов особой чисто-т ы, К ним относятся, например, элементные полупроводники (германий, селен, теллур), полупроводниковые соединения (арсенид галлия, фосфид индия), высокочистые цирконий, ниобий и др. В отдельных случаях содержание примесей в этих материалах не должно превышать 10 — 10- %. Для определения различных содержаний элементов необходимы соответствующие методы анализа. В одних случаях для применяемых методов характерным является низкий предел обнаружения, в других — в ы с о- [c.6]

Броматометрическое титрование рекомендовано для определения мышьяка в рудах, концентратах и минералах [356, 1047], в сплавах с висмутом и селеном 1342], в селеномышьякопых продуктах [266], в сталях, сплавах и рудах, содержащих сурьму [987], черновом свинце [182], полупроводниковых соединениях бора с мышьяком [340], арсениде галлия [1083], инсектицидах [1080], металлах, растворимых в кислотах [988], растворах солей железа [96], продуктах, содержащих платиновые металлы [219]. [c.43]

Зависимости коэффициентов распределения примесныг элементов в арсениде галлия от их порядкового номера характеризуются наличием двух и более максимумов. Так, коэффициенты распределения элементов третьего периода имеют два максимума, приходящихся на магний и фосфор. Для примесей больших периодов возможны три максимума они приходятся на железо, цинк, селен, серебро, индий и теллур. [c.25]

Примесями, которые ограничивают электрофизические свойства пленок ОаАз, являются в основном кремний и кислород [6]. Кроме того, в качестве некоторых примесей могут выступать медь, железо, хром, олово, селен, сера, углерод. Основными источниками загрязнения являются примеси исходных продуктов (соединения мышьяка и галлия), натечка воздуха в газовую систему при эпитаксии и кварцевые тигли. Кварц растворяется галлием и является поставщиком кремния, который может давать донорные и акцепторные уровни. Контролируемое введение кислорода в систему позволяет уменьшать содержание кремния в арсениде галлия и тем самым улучшать его электрофизические свойства (рисунок) [7]. Ниже приводится влияние кислорода на содержание кремния [c.156]

В настоящее время резко возрос интерес химиков к определению малых количеств примесей в чистых веществах. Это связано с организацией и развитием атомной промышленности, которой необходимы сверхчистые уран, торий, бериллий, цирконий, ниобий и др. металлы. Еще более чистые вещества потребовались в электронике и электротехнике (германий и кремний, селен и селени-ды, арсенид галлия, антимонид сурьмы, фосфиды индия и галлия). Для изготовления лазеров нужны чистый рубидий и редкоземельные элементы. Новая техника нуждается также в высокочистых хлориде и бромиде кадмия, фторидах лития и кальция, иодиде калия, бромиде и иодиде индия, цезии высокой чистоты, гидриде цезия и др. Стали существенно более чистыми материалы, с которыми работают в промышленности химических реактивов, в черной и цветной металлургии при производстве жаропрочных и химически стойких сплавов и т. д. [c.9]

Галлий химически взаимодействует и с мышьяком и с селеном. При взаимодействии с мышьяком образуется арсенид галлия (ОаАз) —полупроводник типа А Ф со структурой цинковой обманки [140, 141]. С селеном галлий образует селенид галлия—.ОагЗ03, обладающий также структурой цинковой обманки. В отличие от ОаАз структура ОагЗез имеет постоянные дефекты в решетке [142]. Ширина запрещенной зоны ОагЗез по оптическим измерениям при"300°К равна 1,9 эв. Подвижность электронов при 300° С 10 сж /в сек [143, 144]. [c.102]

Нелегированные монокристаллы GaAs имеют низкое удельное сопротивление и обладают электронной проводимостью. Для получения арсенида галлия р-типа проводимости легирование проводят цинком. Распространенной донорной примесью является селен. Эти примеси дают максимальную концентрацию носителей соответственно 10 и 10 см . Акцепторные уровни цинка расположены выше потолка валентной зоны на расстоянии 0,08 эв. [c.140]

Арсенид галлия, легированный цинком введением паров диэтилцинка в газовую смесь в токе водорода со скоростью 35 мл/мин, имел сопротивление 0,003 ом-см, концентрацию носителей 2,8-101 ) см"3 и подвижность при комнатной температуре 75 см2/в-сек. Подвижность эпитаксиальпых слоев ареенида галлия, легированного селеном, выращенных на окиси алюминия, ориентированной в плоскости (0001), зависела от толщины и составляла для [c.412]

Необходимым звеном для понимания механизма окислительно-восстановительных реакций являются исследования адсорбции отдельных газовых компонентов и их смесей на полупроводниках в условиях катализа или близких к нему. В настоящей работе изучена адсорбция водорода и окиси углерода раздельно и в смеси на арсениде галлия и селени-де цинка. [c.153]