Галлий селениды

В последнее время в катализе применяются арсениды, стибиды, селениды и теллуриды галлия и индия — веш,ества полупроводникового характера. Некоторые их свойства представлены в табл. IV. 3 [2, 3]. [c.292]

При образовании некоторых, сульфидов и их аналогов (например, щелочных и щелочноземельных металлов, магния, цинка) выделяется много теплоты, реакция протекает очень бурно, и ампула, особенно стеклянная, разрушается. Поэтому металл следует брать не в виде тонкого порошка, а в виде стружки, мелких гранул или крупки. Щелочные и щелочноземельные металлы и некоторые другие разрушают стекло и загрязняют продукты реакции соединениями кремния. Поэтому их сульфиды получать таким способом нельзя. Этим методом можно получать сульфиды, селениды элементов подгруппы железа, хрома, ванадия, титана, галлия, а также меди, серебра, марганца. В тех случаях, когда вещество пе плавится, обычно после 1—2-часового нагревания прп температуре, рекомендованной в прописях, оно будет неоднородно по составу. Рекомендуется ампулу разбить, вещество растереть в ступке, снова поместить в ампулу, запаять ее, а затем назревать в течение 2—3 ч (можно еще раз не нагревать, но тогда процесс должен длиться 10—15 ч). [c.47]

Халькогениды ЭгХ известны для галлия и индия. Энтальпии образования соединений закономерно уменьшаются в направлении от сульфидов к селенидам. Для таллия известен только сульфид Т Зз, который может быть получен сухим [c.342]

Полупроводниковые катализаторы с малой шириной запрещенной зоны — арсениды, стибиды, селениды, теллуриды галлия и индия — ускоряют процессы разложения спиртов [2, 3] и муравьиной кислоты (дегидрирование) [28], а также гидразина [2—4]. Имеются указания о гидрирующих свойствах арсенида и стибида индия (превращение этилена в этан) [28]. [c.294]

Окись галлия, галлаты арсениды, стибид, селениды, теллурид галлия [c.294]

Среди сравнительно новых объектов исследования электрохимии полупроводников можно назвать бинарные полупроводниковые материалы двуокись титана 477, 78], танталат калия [791, селенид и теллурид кадмия [80], окись никеля [81, 82]. Параллельно продолжалось дальнейшее исследование окиси цинка [83—86], сульфида кадмия [87, 88], арсенида и фосфида галлия [89, 90]. [c.19]

Книга состоит из шести глав. В первых пяти главах рассматриваются химические свойства двойных сульфидов, селенидов и теллуридов бора, алюминия, галлия, индия и таллия, методы их синтеза, выращивания монокристаллов и дается обзор физических свойств соединений. В главах, посвященных соединениям бора и алюминия, описаны тройные соединения на основе халькогенидов этих элементов в связи с возможностью получения веществ, более устойчивых на воздухе, чем двойные халькогениды бора и алюминия. Тройные соединения других элементов П1[Б подгруппы не рассматриваются. % t J [c.5]

В обзорных статьях [35, 36] о свойствах соединений тина А" В приведены резу.тьтаты экспериментальных исследовани физических свойств халькогенидов галлия, селенида индия и селенида таллия, которые связываются с кристаллической структурой этих веществ. Свойства TlSe отличаются от свойств соединений со структурой GaS низкими значениями электросопротивления и ширины запрещенной зоны, наличием эффекта фононного рассея ния. [c.160]

В технике широко применяются арсенид, в меньшей степени фосфид и антимонид галлия, а также твердые растворы арсенида с фосфидом галлия или этих галлиевых соединений с аналогичными соединениями алюминия и индия. Они используются для изготовления разнообразных полупроводниковых устройств — выпрямителей, транзисторов, детекторов ядерного излучения, приборов, использующих эффект Холла, и т. п., а также лазеров [80], Сейчас широко начинают применяться люминесцентные источники света в виде полупроводниковых диодов. Отличаясь малой инерционностью, они легко сочетаются с другими элементами электронных схем. На этой основе развивается новое направление электроники — оптикоэлектроника. С помощью фосфида галлия получают источники зеленого и желто-зеленого светов твердые растворы фосфида с арсенидом дают свечение от желтого до красного. Арсенид и антимонид галлия дают инфракрасное излучение 0,85—0,90 и 1,6 мкм соответственно. На основе арсенида галлия и других материалов этой подгруппы работают лазеры как для видимой, так и для инфракрасной областей спектра. Из других полупроводниковых соединений галлия начинает входить в практику селенид GaSe [80]. [c.245]

Добавление к селениду мышьяка галлия и бора, образующих донорно-акцепторные связи, приводит к тому, что в его каркасную структуру включаются тетраэдрические структурные единицы, сквозная проводимость при этом повышается. Примесь от 10 до 1 ат. % меди к сульфиду мышьяка повышает электропроводность от 10 5 до Ом- -см2. Но в ряде случаев примесь 1—3 ат.% элементов II—III групп не влияет на электропроводность халькогенидных стекол, чем они резко отличаются от полупроводников, свойства которьй резко изменяются примесями. По-видимому, это связано с тем, что атомы примесей оказываются захваченными молекулярными включениями, обособленными от проводящего каркаса халькогенидного стекла. [c.120]

Диселениды молибдена и вольфрама — твердые антифрикционные смазки н катализаторы. А моноселениды галлия и свинца наряду с селенидами цинка и кадмия — лазерные материалы. ТеОг используется как компонент оптического стекла и в лазерной технике. [c.334]

С е Л е н И д ы. Известно только три селенида галлия (рис. 44). Обычно их получают синтезом из элементов. Селениды галлия по сравнению с сульфидами характеризуются большей химической стойкостью и меньшими температурами плавления. Оз23ез образует темно-серые кристаллы, но в порошке он красный. Плотность 4,92 г/см . Для него известны три кристаллические модификации, из них а, существующая до 600", и V. образующаяся выше 800°, имеют дефектную неупорядоченную структуру сфалерита промежуточная (3-модификация с упорядоченной структурой кристаллизуется в тетрагональной решетке. [c.235]

Второй селенид ОаЗе — темно-красный или красно-бурый, плотность 5,03 г/см Для него известны две полиморфные модификации одна кристаллизуется в гексагональной слоистой решетке типа ОаЗ, другая — в ромбоэдрической решетке. Низший селенид Оз23е черный, плотность 5,02 г/см до настоящего времени исследован мало. Высший селенид галлия ОагЗез — родоначальник ряда селеногаллатов, аналогичных по составу тиогаллатам и обладают их подобными им свойствами. [c.235]

Халькогениды. Для систем индий—халькоген характерно образование соединений типа ПаХ, 1пХ и 1П2Х3, а также промежуточных соединений и соединений с большим содержанием халькогена. Полуторные халькогениды 1П2Х3 плавятся конгруэнтно. У моносульфида и моноселенида, как и у монохалькогенидов галлия, найдена слоистая структура типа ОаЗ, в которой существует связь металл — металл, с координационным числом индия 4. Монотеллурид индия имеет другое строение (см. далее). Из соединений ЫаХ в кристаллическом состоянии устойчивы только селенид и теллурид. Они плавятся инконгруэнтно [58], [c.292]

Алюминий, галлий п индий диффундируют медленно. При 1050 коэффициент диффузии алюминия в селениде цинка составляет 1,6-10-9 см /с, а индия в теллуриде кадмия при 1000° — 1,8-10" см /с. Галогены диффундируют медленно. При 1000° коэффициент диффузии пода в сульфиде кадмия составляет 10 см с. Диффузия марганца и других переходных элементов также является медленной. [c.36]

Следует обратить внимание на светодиоды из нитрида галлия и селенида цинка. Они имеют низкую энергетическую эффективность, так как работают при напряжении 10—20 В, что значительно выше величины кванта излучения ( 2 эВ), но при плотности тока 0,1—1 А см их яркость свечения в зеленожелтой части спектра не уступает зеленым светодиодам GaP, N. [c.153]

По данным [1], Ga2Se нельзя получить непосредственно синтезом из элементов. При нагревании стехиометрических количеств Ga и Se по методу, аналогичному синтезу GaS (см, выше), вначале образуются высшие селениды в смеси с металлическим галлием. При нагревании промежуточного продукта в высоком вакууме образуется возгон, состоящий из одной фазы — GaaSe. [c.931]

Несколько слов о других практически важных соединениях элемента М 64. Окись гадолиния GdzOs используют как один из компонентов железо-иттриевых ферритов. Люминофоры с оксисульфидом гадолиния позволяют получать наиболее контрастные рентгеновские снимки. Молибдат гадолиния — компонент галлий-гадолиниевых гранатов. Эти материалы представляют большой интерес для оптоэлектроники. А селенид гадолиния Gd2Ss обладает полупроводниковыми свойствами. [c.147]

Галлий—ОКИСЬ, галлаты арсениды, стнбид, селениды, теллурид [c.289]

С. серебра, меди и металлов подгруппы цинка, а также -переходных металлов трудно растворяются в к-тах (применяют кислоты-окислители, царскую водку , добавки перекиси водорода и комплексообразователей). На воздухе С. начинают окисляться при т-ре от 300 до 400° С. В вакууме и инертной среде стойкость С. возрастает, напр. NbS j стоек при т-ре 900° С, WSea - при т-ре 800° С. С. получают синтезом из элементов при нагревании в инертной среде или в вакууме взаимодействием паров селена с простыми веществами взаимодействием селеноводорода с металлами, их окислами или солями действием селеноводорода на водные растворы солей металлов восстановлением водородом или др. восстановителями соединений селена (селенатов, селенитов) термической диссоциацией высших селенидов взаимодействием компонентов в газовой фазе. Разработаны методы синтеза монокристаллов полупроводниковых С. С. применяют в основном в качестве полупроводниковых материалов (С. галлия, индия, таллия, олова, свинца, сурьмы, висмута и др.), для со,эдания фоторезисторов, фотоэлементов, фото-чувствительных слоев (С. металлов подгруппы цинка, таллия), термо-электр. устройств (С. сурьмы, висмута, лантаноидов), датчиков для измерения магн. нолей (С. ртути), [c.362]

Левина [314] опубликовала обзор работ по использованию масс-спектрометра для изучения термодинамики испарения и показала, что этот метод может быть применен для изучения состава паров в равновесных условиях и определения парциальных давлений компонентов, а также термодинамических констант. При повышенных температурах изучались галогенные производные цезия [9], были получены теплоты димеризации 5 хлоридов щелочных металлов [355] исследовались системы бор — сера [458], хлор- и фторпроизводных соединений i и z на графите [53], Н2О и НС1 с NazO и LizO [442], UF4 [10], системы селенидов свинца и теллуридов свинца [398], цианистый натрий [399], селенид висмута, теллурид висмута, теллурид сурьмы [400], окиси молибдена, вольфрама и урана [132], сульфид кальция и сера [105], сера [526], двуокись молибдена [76], цинк и кадмий [334], окись никеля [217], окись лития с парами воды [41], моносульфид урана [85, 86], неодим, празеодим, гадолиний, тербий, диспрозий, гольмий, эрбий и лютеций [511], хлорид бериллия [428], фториды щелочных металлов и гидроокиси из индивидуальных и сложных конденсированных фаз [441], борная кислота с парами воды (352), окись алюминия [152], хлорид двувалентного железа, фторид бериллия и эквимолекулярные смеси фторидов лития и бериллия и хлоридов лития и двува лентного железа [40], осмий и кислород 216], соединения индийфосфор, индий — сурьма, галлий — мышьяк, индий — фосфор — мышьяк, цинк — олово — мышьяк [221]. [c.666]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология