Индий селенид

С открытием и исследованием полупроводников, обладающих очень высокой подвижностью электронов, стало возможно реальное использование эффекта Холла в таких приборах, как полупроводниковые измерители напряженности магнитного поля. Для этих целей применяются сурьмянистый и мышьяковистый индий селенид и теллурид ртути. [c.84]

Прямое определение Sb в сочетании с рядом других элементов производится в самых разнообразных материалах, в том числе в алюминии [54, 55, 1134, бериллии и его соединениях [305, 1297], боре [778, 11171 и фосфиде бора [26], ванадии и его окислах [234, 491, 1117], висмуте [809, 909, 1134], вольфраме и его соединениях [195, 739, 795, 1265], вольфрамовых рудах [1480], германии и его соединениях [559, 634, 905], горных породах [386, 730, 1182, 1240, 1336, 1443, 1599], графите и углероде [235, 397, 612], жаропрочных и тугоплавких сплавах [176, 177, 379, 1278, 1593], железе [425, 1134, 14411, железных рудах и минералах [198, 386, 636, 971, 1336], сталях [176, 546, 1278, 1441, 1593] и чугуне [61, 274, 546, 1250], золоте [404, 754, 909, 1095] и его сплавах [196, 389,390, 1167], индии [1168, 1308] и сплавах на его основе [814, 815, 1267], иттрии и его окислах [234, 272], алюмоиттриевом гранате [82], кадмии [598, 599, 1134] и кадмиевых сплавах [819], кобальте [60, 153, 1134], кремнии [252, 1619], кварце [154], карбиде кремния 109, 110, 288, 789, 790, 1353], кремниево-медных сплавах 594], силикатах [1586], технических стеклах [612, 1579], меди 129, 482, 964, 997, 1176, 1599, 1609, 1645, 1654], медных сплавах 96, 482, 1048, 1188, 1457,1463, 1566], окиси меди [199], продуктах медеплавильного производства [3601 и медных электролитах [1298, 1600], молибдене и его соединениях [104, 237, 308, 795, 1325, 1347, 1443], мышьяке [472, 1134], никеле и никелевых сплавах [486], ниобии и его окислах [49, 972], олове [582, 744, 782, 812, 900, 1684] и его сплавах [1210, 1494, 1495], полупроводниковых материалах [668, 678, 806, 1298, 16841, припоях [210, 1101], свинце [481, 534, 908, 1154, 1155,1193, 1543,1655], свинцовых сплавах [126, 871], рудах [53, 667, 806, 1143] и пылях [811], РЗЭ и их окислах [234, 353], селене [154, 155, 499, 747, 818, 1134], селениде ртути [715], сере [189, 1134], серебре [388, 390, 391, 909, 1598], хло- иде серебра [1362], стеклоуглероде [397], сульфидных рудах 638], тантале [237], теллуре [156, 591, 592, 1134, 1613], теллуровом баббите [1656] и теллуриде свинца [342], типографских сплавах [323], титане и двуокиси титана [288, 306, 1262], тории и его окислах [272], уране [1447], окислах урана [878, 1182, 1240] и урановых рудах [1443], ферросплавах [792, 793], фосфоритах [879], хроме [555, 729, 792] и его окислах [54, 55, 571], цинке [976] и цинковых рудах и минералах [1142], цирконии [679] и двуокиси циркония [1368], производственных растворах [205, 882, 1290, 1323, 1324, 1483], сточных и природных водах [429], азотной, серной, соляной, уксусной, фтористоводородной и бромистоводородной кислотах [111, 121, 407, 552, 574, 10081, воздушной пыли [121. [c.81]

Селениды и теллуриды индия получают из стехиометрических количеств элементов по методике, описанной для GaS (см. выше). Реакции происходят уже при нагревании на горелке и сопровождаются свечением реакционной массы [1]. [c.943]

В отличие от сероводорода, НгЗе и НгТе образуют в растворах ацетата индия коричневые осадки [451]. Осажденные селенид и теллурид индия окисляются во влажном состоянии с выделением селена и теллура. [c.43]

Халькогениды ЭгХ известны для галлия и индия. Энтальпии образования соединений закономерно уменьшаются в направлении от сульфидов к селенидам. Для таллия известен только сульфид Т Зз, который может быть получен сухим [c.342]

В последнее время в катализе применяются арсениды, стибиды, селениды и теллуриды галлия и индия — веш,ества полупроводникового характера. Некоторые их свойства представлены в табл. IV. 3 [2, 3]. [c.292]

Полупроводниковые катализаторы с малой шириной запрещенной зоны — арсениды, стибиды, селениды, теллуриды галлия и индия — ускоряют процессы разложения спиртов [2, 3] и муравьиной кислоты (дегидрирование) [28], а также гидразина [2—4]. Имеются указания о гидрирующих свойствах арсенида и стибида индия (превращение этилена в этан) [28]. [c.294]

Книга состоит из шести глав. В первых пяти главах рассматриваются химические свойства двойных сульфидов, селенидов и теллуридов бора, алюминия, галлия, индия и таллия, методы их синтеза, выращивания монокристаллов и дается обзор физических свойств соединений. В главах, посвященных соединениям бора и алюминия, описаны тройные соединения на основе халькогенидов этих элементов в связи с возможностью получения веществ, более устойчивых на воздухе, чем двойные халькогениды бора и алюминия. Тройные соединения других элементов П1[Б подгруппы не рассматриваются. % t J [c.5]

Рассмотрение свойств селенидов индия (табл. 14) показывает, что эти соединения — очень интересные и перспективные полупроводники, для которых известны методы синтеза, кристаллизации, условия их существования и свойства. Однако полупроводниковые свойства селенидов индия изучены еще далеко не достаточно. [c.122]

Таблица 14 Некоторые свойства селенидов индия

Высокой детонационной стабильностью обладают некоторые внутрикомплексные соли меди. Их эффективность близка к эффективности железоорганических антидетонаторов. Однако эти соединения нестабильны при хранении и в их присутствии ускоряется окисление углеводородов бензина. Кроме того, внутрикомплексные соединения меди отлагаются на стенках впускного трубопровода и нарушают процесс смесеобразования, поэтому практического применения они не получили. Отмечены антидетонационные свойства таких соединений, как карбонилникель, 2-этилгексоат кобальта, диэтилди-селенид, тетрабутилолово, ацетилацетонаты кобальта и хрома, лаурат индия и др. [34, 95, 96, 102—105]. [c.39]

Из халькогенидов индия типа 1п23 в кристаллическом состоянии устойчивы только селенид и теллурид. Получены также ОзгЗ и ОазТе, но они исследованы мало. [c.181]

В технике широко применяются арсенид, в меньшей степени фосфид и антимонид галлия, а также твердые растворы арсенида с фосфидом галлия или этих галлиевых соединений с аналогичными соединениями алюминия и индия. Они используются для изготовления разнообразных полупроводниковых устройств — выпрямителей, транзисторов, детекторов ядерного излучения, приборов, использующих эффект Холла, и т. п., а также лазеров [80], Сейчас широко начинают применяться люминесцентные источники света в виде полупроводниковых диодов. Отличаясь малой инерционностью, они легко сочетаются с другими элементами электронных схем. На этой основе развивается новое направление электроники — оптикоэлектроника. С помощью фосфида галлия получают источники зеленого и желто-зеленого светов твердые растворы фосфида с арсенидом дают свечение от желтого до красного. Арсенид и антимонид галлия дают инфракрасное излучение 0,85—0,90 и 1,6 мкм соответственно. На основе арсенида галлия и других материалов этой подгруппы работают лазеры как для видимой, так и для инфракрасной областей спектра. Из других полупроводниковых соединений галлия начинает входить в практику селенид GaSe [80]. [c.245]

Халькогениды. Для систем индий—халькоген характерно образование соединений типа ПаХ, 1пХ и 1П2Х3, а также промежуточных соединений и соединений с большим содержанием халькогена. Полуторные халькогениды 1П2Х3 плавятся конгруэнтно. У моносульфида и моноселенида, как и у монохалькогенидов галлия, найдена слоистая структура типа ОаЗ, в которой существует связь металл — металл, с координационным числом индия 4. Монотеллурид индия имеет другое строение (см. далее). Из соединений ЫаХ в кристаллическом состоянии устойчивы только селенид и теллурид. Они плавятся инконгруэнтно [58], [c.292]

Селениды. Диаграмма состояния системы индий— селен приведена на рис. 63. Полуторный селенид 1п28ез образуется при сплавлении компонентов в запаянной ампуле. Это мягкое, черное, графитоподобное вещество. Устойчив на воздухе и по отношению к воде, но разлагается концентрированными минеральными кислотами. Образует четыре модификации. Низкотемпературная а-модификация (плотность 5,67 г/смЗ) обладает слоистой гексагональной структурой, близкой к структуре вюртцита с упорядоченным расположением вакансий. -Модификация (плотность 5,36 г/см ) — тоже гексагональная, кристаллизуется в структуре вюртцита. у -Модификация — кубическая типа сфалерита (плотность 5,48 г/см ). Наиболее плотная (5,78 г/см ) высокотемпературная б-модификация кристаллизуется в моноклинной сингонии. [c.293]

Алюминий, галлий п индий диффундируют медленно. При 1050 коэффициент диффузии алюминия в селениде цинка составляет 1,6-10-9 см /с, а индия в теллуриде кадмия при 1000° — 1,8-10" см /с. Галогены диффундируют медленно. При 1000° коэффициент диффузии пода в сульфиде кадмия составляет 10 см с. Диффузия марганца и других переходных элементов также является медленной. [c.36]

При анализе металлического индия кадмий отделяют экстракцией в виде пиридин-роданидного комплекса хлороформом [290]. Определение кадмия в таллии проводят после предварительного осаждения последнего роданидом и последующей экстракции кадмия в виде пиридин-роданидного комплекса [289], в металлическом хроме — после предварительного отделения мешающих элементов на анионите [390[. Определение окиси кадмия и свободного металла в его селениде проводят экстракцией дитизоната из 2,5 N раствора NaOH [422]. При анализе платино-родиевых сплавов мешающие элементы сорбируют на катионите Амберлит IR-120 [649]. Дитизон применен для определения кадмия в сульфиде цинка высокой чистоты [166], металлическом висмуте [124], едком нат- [c.89]

Сульфид свинца РЬ8 был первым практическим детектором, разработанным в Германии перед второй мировой войной. В 50-е г. появление новых фотопроводящих материалов, таких как селенид свинца РЬЗе, теллурид свинца РЬТе и антимонид индия 1п8Ь, позволило освоить спектральный диапазон ИК-излучения до 3. .. 5 мкм. Использование примесных уровней меди, цинка и золота в германии расширило диапазон до 30 мкм. [c.213]

С. серебра, меди и металлов подгруппы цинка, а также -переходных металлов трудно растворяются в к-тах (применяют кислоты-окислители, царскую водку , добавки перекиси водорода и комплексообразователей). На воздухе С. начинают окисляться при т-ре от 300 до 400° С. В вакууме и инертной среде стойкость С. возрастает, напр. NbS j стоек при т-ре 900° С, WSea - при т-ре 800° С. С. получают синтезом из элементов при нагревании в инертной среде или в вакууме взаимодействием паров селена с простыми веществами взаимодействием селеноводорода с металлами, их окислами или солями действием селеноводорода на водные растворы солей металлов восстановлением водородом или др. восстановителями соединений селена (селенатов, селенитов) термической диссоциацией высших селенидов взаимодействием компонентов в газовой фазе. Разработаны методы синтеза монокристаллов полупроводниковых С. С. применяют в основном в качестве полупроводниковых материалов (С. галлия, индия, таллия, олова, свинца, сурьмы, висмута и др.), для со,эдания фоторезисторов, фотоэлементов, фото-чувствительных слоев (С. металлов подгруппы цинка, таллия), термо-электр. устройств (С. сурьмы, висмута, лантаноидов), датчиков для измерения магн. нолей (С. ртути), [c.362]

Левина [314] опубликовала обзор работ по использованию масс-спектрометра для изучения термодинамики испарения и показала, что этот метод может быть применен для изучения состава паров в равновесных условиях и определения парциальных давлений компонентов, а также термодинамических констант. При повышенных температурах изучались галогенные производные цезия [9], были получены теплоты димеризации 5 хлоридов щелочных металлов [355] исследовались системы бор — сера [458], хлор- и фторпроизводных соединений i и z на графите [53], Н2О и НС1 с NazO и LizO [442], UF4 [10], системы селенидов свинца и теллуридов свинца [398], цианистый натрий [399], селенид висмута, теллурид висмута, теллурид сурьмы [400], окиси молибдена, вольфрама и урана [132], сульфид кальция и сера [105], сера [526], двуокись молибдена [76], цинк и кадмий [334], окись никеля [217], окись лития с парами воды [41], моносульфид урана [85, 86], неодим, празеодим, гадолиний, тербий, диспрозий, гольмий, эрбий и лютеций [511], хлорид бериллия [428], фториды щелочных металлов и гидроокиси из индивидуальных и сложных конденсированных фаз [441], борная кислота с парами воды (352), окись алюминия [152], хлорид двувалентного железа, фторид бериллия и эквимолекулярные смеси фторидов лития и бериллия и хлоридов лития и двува лентного железа [40], осмий и кислород 216], соединения индийфосфор, индий — сурьма, галлий — мышьяк, индий — фосфор — мышьяк, цинк — олово — мышьяк [221]. [c.666]

При сплавлении индия с селеном или теллуром получаются соединения ХпгЗез я ХпгТез- Селенид индия имеет сложную структуру и обладает в отличие от сульфида и теллурида мягкостью графита. Теллурид, который, так же как и сульфид, тверд и хрупок, кристаллизуется подобно 03283, 082863 и GaaTea в решетке, которая ьшо-дится из решетки цинковой обманки таким образом, что в ней остается незаполнеивыми 1/з мест, принадлежащих атомам металла, причем распределение этих незанятых мест не упорядочено. . [c.417]

По аналогичному закону протекает также затухание фосфоресценции фосфоров КВг—In, выращенных из расплава KBr+InBr-(рис. 126). Л. М. Шамовский и Ю. И. Жванко показали [333], что аналогичным образом протекает также затухание послесвечения бромистого натрия, активированного селенидом индия (NaBr + InSe). [c.238]

Однако имеющиеся в литературе данные о свойствах InSe в некоторых случаях сильно различаются, что связано, но-видимому,как с чистотой исследуемых образцов, так и со степенью совершенства монокристаллов селенида индия, свойства которого очень чувствительны к примесям и дислокациям. [c.108]

InSe исследовали как один из первых материалов при изучении фотоэффекта у халькогенидных фаз. Первые исследования проводились на поликристаллических образцах и тонких слоях. Селенид индия — фотопроводник, максимум фотопроводимости лежит в области 0,95—1,2 мк (рис. 34) [18, 59, 74, 75]. Нагревание образцов в вакууме или на воздухе, а также хранение на воздухе мало изменяет фотопроводимость InSe [18], но отжиг при 200° С приводит к смещению максимума фотопроводимости в инфракрасную область спектра (рис. 35) [76]. По данным работ [59, 60], энергия активации электропроводности тонких слоев InSe составляет [c.108]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология