Фоторезиста рисунки в слое проявление

Разновидности Ф. т. наз. взрывная (для получения рисунка на пленках металла) и инверсионная (для получения профиля изображения с отрицат. наклоном стенок). В первом случае рисунок получается путем напыления слоя металла на пластину с проявленным фоторезистом, а при снятии фоторезиста удаляют часть металлич. слоя, осевшего на маску во втором - на позитивном фоторезисте получают негативный рис ок. [c.171]

Проявление и окончательная сушка фоторезиста. Хотя проявление рисунка рельефа в слое фоторезиста и может быть выполнено окунанием, с последующим замачиванием при одновременном слабом встряхивании, однако более широко применяют и обычно рекомендуют разбрызгивание проявителя на покрытие подложки. Так как в этом случае происходит непрерывное обновление растворителя и умеренное механическое воздействие струи на покрытие, все это ведет к сокращению продолжительности проявления и, следовательно, к уменьшению набухания коллоидной системы, а значит, и лучшему поддержанию требуемых размеров деталей в рельефе и в покрытии [55]. При этом чаще всего применяют короткие выдержки (от 10 до 60 с), с многократным последующим опрыскиванием безводными составами. Остаточный растворитель сдувается с поверхности чистым сжатым воздухом или азотом. Эту операцию удобнее всего проводить в управляемых, автоматических установках для проявления. Такие установки выпускаются промышленностью. В этих установках можно обрабатывать одновременно несколько подложек с автоматическим циклированием проявления и промывания. Растворители наносятся через сопла, встроенные в распылитель, в тот момент, когда подложки удерживаются вакуумными держателями. [c.602]

Фоторельефной печатью называют образование рельефного рисунка на подложке путем нанесения сплошного слоя фотополимер-дой композиции ФПК или фоторезиста ФР и последующего избирательного экспонирования рисунка, его проявления и закрепления. Под действием экспонирующего ультрафиолетового излучения (>1=0,35—0,5 мкм) происходит фотолиз — фотонное инициирование химических реакций. Фотолиз протекает как свободнорадикальная цепная реакция, идущая с нарастающей скоростью. Диффузия свободных радикалов в вязкой среде слоя ФПК настолько незначительна, что фотолиз протекает строго в освещенных участках, обеспечивается высокая разрешающая способность. [c.186]

Фотолитография включает след, стадии нанесение слоя фоторезиста на пленку 8Ю2, покрывающую кремниевую пластину экспонирование слоя фоторезиста через фотошаблон-стеклянную пластину с множеством одинаковых рисунков областей прибора проявление слоя фоторезиста получение оксидной маски травлением пленки 810 через окна в проявленном фоторезисте удаление фоторезиста. Используют фотолитографто контактную (фотошаблон контактирует со слоем фоторезиста) и проекщюнную, осуществляемую либо однократным проецированием фотошаблона с множеством структур на всю пов-сть пластины, либо пошаговым экспонированием, при к-ром на пластину с определенным сдвигом (шагом) многократно проецируют фотошаблон с изображением одной структуры. Кроме фотолитографии используют также рентгеновскую и электронную литографию. [c.557]

Ф. обычно включает 1) нанесение фоторезиста на металл, диэлектрик или полупроводник методами центрифугирования, напыления или возгонки 2) сушку фоторезиста при 90-110 °С для улучшения его адгезии к подложке 3) экспонирование фоторезиста видимым или УФ излучением через фотошаблон (стжло, кварц и др.) с заданным рисунком для формирования скрытого изображения осуществляется с помощью ртутных ламп ( и контактном способе экспонирования) или лазеров (гл. обр. при проекц. способе) 4) проявление (визуализацию) скрытого изображения imeM удаления фоторезиста с облученного (позитивное изображение) или необлученного (негативное) участка слоя вымыванием водно-щелочными и орг. р-рителями либо возгонкой в плазме высокочастотного разряда 5) термич. обработку (дубление) полученного рельефного покрьп ия (маски) при 100-200 С для увеличения его стойкости при травлении 6) травление [c.171]

Процесс изготовления микроаналитических систем базируется на технологиях, использующихся при производстве интегральных схем (чипов). В их основе лежат хорошо изученные и отработанные на практике процессы фотолитографии и травления либо в растворах, либо в газовой фазе (например, реакционное ионное травление). На рис. 15.2-1 представлен типичный процесс изготовления устройства с системой микроканалов. Подложку, обычно из кремния, стекла или кварца (в принципе, возможно использование полимеров), покрьшают пленкой металла (обычно хром или золото с тонким слоем хрома для улучшения адгезии) и слоем фоторезиста. Затем с использованием фотошаблона, на котором нанесен рисунок будущего микроустройства, поверхность подвергают действию УФ-излучения. После соответствующей химической обработки (проявления) пленка фоторезиста удаляется с участков, подвергнутых экспозиции. Пленка металла, не защищенная фоторезистом, удаляется в травильных ваннах. Затем, на второй стадии травления травится и сама подложка (обычно в НГ/НКОз или КОН). В зависимости от выбранного травителя и типа подложки получающиеся микроканалы имеют различный профиль. Стеклянные и другие аморфные подложки обычно изотропны по свойствам и травятся с одинаковыми скоростями в любом выбранном направлении. Протравленные каналы, как правило, имеют скругленные кромки. На монокристаллических кремниевых или кварцевых подложках в присутствии подходя1цих травителей возможно анизотропное травление, приводящее к получению каналов со специфичными профилями, зависящими от расположения кристаллографических плоскостей, подвергнутых травлению. На заключительной стадии процесса по- [c.642]

В том случае, когда пленочный фоторезист наносится с целью защиты от вытравливания (негативный процесс) применяют фоторезист толщиной 20 мкм, для защиты от осаждения металла при гальванических операциях используются фоторезисты толщиной 40 и 60 мкм. После накатки СПФ заготовки плат выдерживают в течение 30 мин при комнатной температуре в темном месте для снятия внутренних напряжений, после чего платы подвергают экспонированию. Операция экспонирования заключается в следующем на слой фоторезиста в специальном приспособлении, обеспечивающем точное совмещение рисунка схемы с отверстиями на заготовке, накладывается фотошаблон печатной схемы приспособление помещается в светокопировальную раму, где под действием сильного источника света (ртутно-кварцевые лампы) происходит задубливание фоторезиста на освещенных участках. Продолжительность экспонирования подбирают опытным путем в пределах 0,5—2,0 мин. После экспонирования следует операция проявления, т. е. растворение и удаление фоторезиста с незадубленных светом 216 [c.216]

Так, в фоторезист OMR-83, содержащий циклокаучук и диазид I, вводят 1-ЭТ0КСП-4-(4-N,N-диэтилaминoфeнилaзo)бeнзoл. Эта композиция, нанесенная на кремниевую подложку толщиной слоя 1 мкм, выдерживает 20-минутный нагрев перед экспонированием (60 или 80 °С) без заметного снижения поглощения слоя. После проявления слой обеспечивает разрешение 2,5 мкм и точно воспроизводит рисунок элементов щаблона. [c.149]

Формирование рисунка фотолитографическими методами основано на использовании поли.мерной пленки заданной конфйгурации, нанесенной на поверхность металлических или изолирующих пленок, покрывающих всю поверхность подложки. Рисунок микросхемы наносится на маскирующее покрытие из полимерной пленки и повторяется в пленке металла или изолирующего слоя вытравливанием незащищенных участков. Маскирующее покрытие ) из полимерной пленки создается с помощью полимерных фото-чувстнительных материалов, называемых фоторезистами, молекулярная структура и растворимость которых изменяются при облучении фотонами. Для того, чтобы выделить те участки, на которых следует изменить растворимость фоторезиста, и чтобы оградить их от воздействия светового излучения, необходимо иметь диапозитив или фотошаблон с рисунком требуемой конфигурации. Этот процесс аналогичен процессу контактной печати, применяемому в фотографии, за исключением того, что вслед за проявлением рисунка в слое фоторезиста, следует травление рисунка в пленке, на которую нанесен фоторезист и удаление полимерного маскирующего покрытия. [c.570]

Нанесение фоторезистов. В том виде, в каком фоторезисты получают от поставщика, они содержат различные от партии к партии количества гелей к инородных частиц. Если эти примеси попадают в нанесенный слой фоторезиста, то они в значительной степени ухудшают качество проявленного рисунка. Поэтому в любом случае перед использованием рекомендуется фоторезисты подвергать фильтрации [84—86]. Обычно это осуществляется с помощью фильтров с очень мелкими порами, стойких к воздействию растворигелеи. Материалы такого типа имеются в промышленности. Это найлон, целлюлоза, а также тефлон с размерами пор от 14 до 0,25 мкм. Обычно во избежание засорения, операцию фильтрации проводят в две стадии. На первой стадии на установках сравнительно грубой очистки пол действием силы тяжести или рабочего давления фильтра удаляются 6o ib-шне частицы. После этого проводится тщательная фильтрация под давлением через фильтры тонкой очистки, с размерами пор или отверстий шириной около 1 мкм. Широко применяется метод, в котором фильтры тонкой очистки встраиваются в установки, с помощью которых фоторезисты наносятся на поверхность подложек. Видоизмененный метод очистки, в котором для удаления сферических частиц из фоторезистов типа KMER применен электрофорез, описан Тейлором [87]. Самый эффективный метод очистки был разработан одним из поставщиков интегральных микросхем [78]. Этот метод состоит из двух операций химической обработки — экст-ракции жидкости жидкостью с последующим центрифугированием, Тща- [c.596]

Тщательное регулирование установки для экспонирования должно выполняться посредством тестовых рисунков [32]. Чтобы обеспечить воспроизводимость, энергопитание источника света должно быть тщательно отрегулировано. Для получения хорошей четкости тонких линий интенсивность излучения при экспонировании не должна отклоняться от оптимального вначения больше чем на 5—10% [65]. Следовательно, интенсивность излучения по всей поверхности подложки должна либо регулироваться непрерывно, либо проверяться периодически. Несмотря на то, что фоторезисты позволяют изменять экспозицию в широких пределах, явления дифракции, влияющие на качество фотошаблонов, вызывают необходимость поддерживать упомянутую выше точность. Передержка, например, приводит к образованию в слое фоторезиста поперечных связей на некоторых участках под защитным рельефом фоторезиста, вне зоны максимальной плотности. Расширение экспонированных участков под слой рельефа производится также и за счет диффузии рассеянного света в слое фоторезиста из-зя отражения от поверхности пленки или подложки, находящейся под ней. В результате этих явлений линии расширяются, иногда на величину до 2,5 мкм. С другой стороны, недодержка приводит к образованию более опасных дефектов, чем те, к которым приводит образование поперечных связей При проявлении изображения может быть вытравлен весь рисунок. В случае позитивных фоторезистов, наоборот, недостаточно экспоин-роваиный pH ynoiK целиком остается под вуалью нерастворенного полимера. Эти выводы также указывают на то, что продолжительность оптимальной выдержки зависит от толщины. [c.601]

Такие сравнительно сложные многослойные образования, как туннельный контакт субмикронных размеров, получают методом электронной литографии. Процесс начинается с того, что на подложку, как правило, кремниевую, наносйтся слой специального органического вещества — фоторезиста, обладающего свойством либо разрушаться под действием излучения (позитивный резист), либо, наоборот, упрочняться путем полимеризации (негативный резист). Затем фоторезист экспонируется под электронным лучом, который движется по подложке в соответствии с программой, задаваемой ЭВМ, и вырисовывает нужную схему. Засвеченные участки вытравливаются (этап проявления ), после чего производят напыление. В проявленных местах металл ложится прямо на подложку, в остальных -на фоторезист и на следующем этапе удаляется (химически) вместе с резистом. В результате остается рисунок из металлической пленки в проявленных местах. Такая процедура может быть повторена многократно (до 14 слоев [1]) с напьшением попеременно слоев из сверхпроводящих и нормальных металлов, полупроводников или диэлектриков. Использование именно электронного пучка для экспозиции связано, прежде всего, с тем, что длина волны электронов определенной энергии меньше, чем у видимого света, поэтому дифракция сказывается меньше и можно вырисовывать более мелкие детали. Фотолитография, т.е. литография с применением видимого света, позволяет получать детали с минимальным размером до 2 мкм, а электронная литография — до 0,3 мкм и меньше. [c.14]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология