методы подтравливание

Способы травления. Селективным травлением тонких металлических листов или фольги можно изготовить маски с более высокой разрешающей способностью, чем маски, получаемые механически.ми способами. Для этих методов, которые будут описаны в разд. 3, используются фотошаблоны и фоточувствительные резисты (фоторезисты). Разрешающая способность (разрешение) масок, изготовленных методами травления, тем выше, чем тоньше фольга. Обычно используют фольгу толщиной от 0,1 до 0,005 мм. Определяющим фактором а процессе травления является подтравливание или подрезание , см. разд. ЗЕ, 2). Металлами, пригодными для изготовления таких масок, являются медь [6, 7], нержавеющая сталь [8], никель или молибден. Фольга из этих металлов наиболее легко травится [c.562]

В основе метода мокрого травления лежат чисто химические реакции, поэтому травление происходит не только в глубь подложки ), но и, как показано на рис. 3.96, в поперечном направлении (Д ), Такое поперечное травление называют боковым травлением или под-трав.чиванием. Численной характеристикой подтравливания является коэффициент травления ), определяемый по следующей формуле [c.246]

Процесс очистки подложки требует, чтобы были разорваны связи как между молекулами самой примеси, так и между молекулами этой примеси и подложки. Это может быть достигнуто как химическими средствами, например, очисткой в растворителе, так и приложением достаточной энергии для испарения примеси, например, нагревом или ионной бомбардировкой. Как правило, желательно ограничить процесс очистки удалением только слоя загрязнения, однако часто оказывается приемлемым также и слабое подтравливание материала самой подложки, что обеспечивает лучшее качество процесса очистки. Некоторые методы очистки требуют обработки подложки или использования растворителей и поэтому должны применяться вне вакуумной системы. Осуществление методов физической очистки обычно сопровождается установкой оборудования для нагрева подложки или бомбардировки ионами в напылительной системе. [c.538]

Подтравливание как результат плохой адгезии слоя фоторезиста следует отличать от перетравливания. Перетравливание происходит при продолжительном боковом растравливании, после того как экспонированные участки пленки были уже растворены. Это может произойти при травлении пленок металла, когда не установлены толщина пленки и скорость травления. Перетравливание проявляется в виде глубоко и неровно растравленных краев линий и в большинстве случаев происходит по-види.мо-му, при использовании очень быстрых травителей. В этом случае очень трудно точно установить продолжительность травления. Увеличение продолжительности бокового растравливания обусловлено тем, что молекулы травящего раствора сцепляются с поверхностью образца ограничить продолжительность растравливания можно быстрым исключением воздействия травителя помещением подложки в стоп-ванну. Раствор в этой ванне должен иметь такой состав, который немедленно бы остановил химическую реакцию, возбужденную травителем. Примером может служить прекращение действия кислотного травителя алюминия при погружении образца в ванну с разбавленным щелочным раствором. Одним из других методов является уменьшение скорости травления разбавлением травителя, лучше всего вязкими жидкостями, подобными полиспиртам. В этом случае следует резко уменьшить обмен свежего и отработанного раствора травителя на краях линий. Этот метод иногда целесообразно применять и при травлении распылением, потому что экспонированные участки пленки более эффективно обрабатываются травителем, и промывочным раствором, чем края линий. [c.620]

Важно отметить, что в этом случае легко применим групповой метод получения печатных оснований, когда на полном листе фольгированного гетинакса размещают большое число оттисков, тем самым значительно сокращая отходы при штамповке на припуск на закраины вокруг каждого основания. Такие припуски обычно необходимы для закрепления оснований и устранения подтравливания с торцов. В данном случае нарезку оснований из листа производят после травления. [c.134]

Вторым методом является травление прецизионных масок с применением фотоспособа, подобного тому, который применяют в технике печатных схем [62]. При травлении металлических пластин толщиной 75 мк обеспечивается допуск 5 мк. Необходимо учитывать, что химическому травлению сопутствует так называемое боковое травление (подтравливание фольги с торца), в результате чего щель на маске оказывается шире щели на защитном рисунке. [c.156]

В случае же хлорангидридов ароматических кислот образуются лишь соответствующие углеводороды. Однако добавки 5% хинолина с небольшим количеством серы, т. е. подтравливание катализатора [благоприятствующее отравление), позволяет останавливаться на промежуточной стадии восстановления до альдегидов. Таким путем по К. Розенмунду и Ф. Цейтше получают выходы ароматических альдегидов до 90—95%. Прекрасные результаты этот метод дает и для получения диальдегидов из полных хлорангидридов двухосновных кислот. [c.402]

Для определения количества водорода, продиффундировав-шего в сталь при нанесении гальванического покрытия, необходимо удалить покрытие при таких условиях, которые не привели бы к изменению содержания водорода в стали и подтравливанию основы. Для кадмированных деталей покрытие рекомендуют удалять в 40—50%-ном растворе азотнокислого аммония, в котором при 4—5°С осадок толщиной 10 мкм растворяется за 40 с. Для снятия цинковых покрытий можно использовать раствор следующего состава (в г/л) 100—150 NH4NO3, 550 NH4OH и 50 три-этаноламина. После удаления покрытия содержание водорода в основе определяют методом вакуум-нагрева. [c.449]

Моноокись кремния. В течение некоторого времени не было известно никаких приемлемых травителей для SiO. По-видимому, этот травитель должен содержать какое-то количество HF для того, чтобы обеспечивать растворение двуокиси кремния. Однако выяснилось, что одна только фтористоводородная кислота не обеспечивает однородности травления пленок SiO, и в этом случае остаются островки и образуются края линий совершенно неправильной формы. Наиболее подходящий травитель был разработан Хансом [108]. Он состоит из 10—12 молей водного раствора NH4F с NH4OH или какой-либо другой щелочью, добавляемой для того, чтобы получить pH, равную приблизительно 9. Если этот раствор использовать при температуре 80—90° С, то скорость травления составит примерно 5000 А мин-1. При использовании такого метода в сочетании с обычными негативными фоторезистами получают пленки с чистой поверхностью, края линий резкие и ровные, без следов подтравливания. [c.609]

Оценка скорости процесса по увеличению массы в рассмотренном варианте имеет тот недостаток, что она не учитывает испарения окислов [ 18], интенсивность которого возрастает с повышением температуры. Например, в случае образования окалины из окислов хрома при 1200°С результаты эксперимента могут оказаться заниженными. Этой ошибки можно в принципе избежать при опреде.аении уменьшения массы образцов в результате реакции. В этом случае окалина должна быть полностью Удалена либо механическим способом, либо подтравливанием границы металл - окалина в жидком реактиве. При естественном отслаивании окалинь на поверхности металла обычно остается какая-то часть окислов, которую приходится удалять дополнительно. В результате этого удаляется, как правило, некоторое количество неокислившегося металла. Таким образом, метод оценки по убыли массы, как при механическом Удалении, так и при подтравливании окалины, дает завышенные результаты. К этому следует добавить, что метод не пригоден в случае зубчатого Фронта окисления и развитого внутреннего окисления. [c.17]

Подтравливание становится серьезной проблемой, если минимальная ширина линии достигает нескольких микрометров По этой причине вместо прежних мокрых методов травления стали применять сухое травление с использованием плазмы, которое обеспечивает однопяправленность действия травильного состава Кислоты и шелочи травильных составов по соображениям охраны окружающей среды следует нейтрализовать желательно также выделять используемые в процессах травления соединения фтора [c.247]

С, является очень быстродействующим травителем. Подтравливание наблюдается в случае применения метода травления окунанием. Растворы NaOH изменяют адгезию защитного покрытия и приводят к образованию нечетких краев линии, особенно при более толстых покрытиях (около 1 мкм), Определенные затруднения также вызывают выделение газов и прилипание пузырьков к поверхности пленок. [c.606]

Травление йодом описано Зетцем и Деспресом [194]. Этот метод разработан для травления золота, но он может быть модифицирован и для травления меди также. Соответствующий раствор состоит из 200 г KJ, 100 г Лг и 400 мл воды. Раствор темный и непрозрачный и это затрудняет обнаружение окончания процесса. Травитель имеет быстрое действие, но подтравливание весьма эффективно ограничивается образованием нерастворимых соединений, а это происходит, главным образом, на краях линий. Метод заключается в окунании подложки в травитель на несколько секунд, промывании и удалении темных осадков соединений очистителем Нитра-Клин . Если при последующем осмотре будут обнаружены остатки пленки меди, необходимо повторить цикл травления для их удаления. [c.608]

Толщина пленок составляла около 1000 А. Поскольку поверхностное сопротивление можно контролировать с точностью 2%, а подтравливание осуществлялось методом катодного травления, то ошибка или отклонение геометрических размеров резисторов определялось косвенно, по полученному значению электрического сопротивления. Было установлено, что в стабилизировавшейся технологии г применением фоторезиста KTFR систематические отклонения составляют 0,75— [c.617]

Катодное травление в высокочастотном разряде. Возможность удаления тонких слоев изолирующих материалов методом катодного травления в ВЧ разряде была продемонстрирована в 1962 г. Андерсоном, Майером и Винером [136]. В 1965 г. Давидзе [137] установил, что фоторези-стивный защитный рельеф может подвергаться воздействию высокочастотного тлеющего разряда достаточно продолжительное время (необходимое для вытравливания тонких пленок любого состава). Простота высокочастотных систем, отсутствие подтравливания, обусловленного прямым столкновением ионов с поверхностью, очень хорошее формирование края линий, достаточно высокая скорость травления, которая может при этом достигаться, и возможность использования уже разработанных методов применения фоторезистов для создания защитных рельефов при вытравливании, — вот все те преимущества, которые позволили немедленно применить этот метод на практике. В про.чышленности появились установки для катодного травления, укомплектованные устройствами для настройки емкости электродов и подводимой мощности [138]. [c.627]

Использование галлийорганических соединений позволяет осуществлять процесс получения эпитаксиальных слоев галлия с элементом V группы в однозонной печи. В процессе отсутствуют агрессивные транспортирующие агенты и поэтому не наблюдается подтравливания. Этим методом возможно осаждение эпитаксиальных слоев не только на полупроводниковые подложки, но и на изолирующие и металлические. Применяемые галлийорганические соединения, такие, как триметил- и триэтилгаллий, являются легколетучими, что позволяет точно контролировать количество вводимого в реакцию галлийорганического соединения, барботируя газ-носитель (водород) через МОС галлия при комнатпой температуре. Эпитаксиалышй слой соединения галлия с элементом V группы образуется в результате реакции между органическим соединением галлия и гидридами V группы. В качестве гидридов V группы были использованы арсин, фосфин и стибип. [c.410]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология