Гистерезис дисперсионный

Параллельно возможны процессы возбуждения в триплетное состояние диамагнитных молекул (вплоть до их гомолиза), появляющиеся вторичные радикалы могут вносить свой вклад в пик поглощения. При охлаждении образца они рекомбинируют, при этом наблюдается гистерезис количества радикалов. Концентрация парамагнитных центров в образце при комнатной температуре составляла 1,2 10 снин/см , а вклад радикалов, дающих СТС при 408 К, — 1,1 10 спин/см . Практически одинаковые цифры позволяют предполагать, что сначала подавляющее число парамагнитных молекул было рассредоточено в вязкой дисперсионной среде, а образовавшиеся вторичные радикалы существовали в виде ассоциатов. [c.105]

Гистерезис смачивания играет существенную роль во всех капиллярных процессах, а также в процессах капиллярной конденсации при адсорбции паров пористыми телами. Явление гистерезиса и скорость установления равновесного краевого угла определяются молекулярной природой смачиваемой поверхности, ее составом и строением, а также вязкостью и поверхностным натяжением смачивающей жидкости. Увеличение гладкости твердой поверхности приводит к уменьшению гистерезиса. Напротив, очень высокие значения гистерезиса наблюдаются на поверхностях шероховатых или пористых тел (так называемый капиллярный [14, 151 или дисперсионный [16, 17] гистерезис). [c.13]

Из этой формулы следует пропорциональность между г и os 0 (по абсолютной величине), поэтому шероховатость улучшает смачивание хорошо смачивающими жидкостями (рнс. П1-25, б) и ухудшает смачивание несмачивающими. Это особенно важно для прокалочных пигментов (литопона, окиси хрома), имеющих сильно шероховатые поверхности. Наоборот, ребра и углы кристаллов замедляют и ухудшаю смачивание (дисперсионный гистерезис сма- [c.76]

Эффект гистерезиса объясняют также шероховатостью поверхности. Краевой угол смачивания на таких поверхностях и порошках 0i всегда несколько отличается по величине от 0 на гладкой поверхности тех же материалов фактор микроскопической шероховатости V = os Oj/ os 0 составляет 1,5—2 для шлифованной поверхности [65]. Задержку смачивания порошковых материалов называют дисперсионным гистерезисом [75]. При одновременном присутствии двух не смешивающихся друг с другом жидкостей смачивать твердое тело будет та из них, у которой разность полярностей с ним будет меньшей. Такая жидкость обладает большим избирательным смачиванием (П. А. Ребиндер). [c.114]

При растекании жидкости по твердой поверхности порошкообразных материалов часто наблюдается задержка, а иногда и полное прекращение растекания — дисперсионный гистерезис [3, с. 66]. Он обусловлен наличием на твердой поверхности прослоек адсорбированных газов и влаги, которые должны быть вытеснены при смачивании, а также присутствием адсорбированных примесей. Смачивающая жидкость, попадая на имеющуюся на поверхности прослойку влаги или газа, стремится их вытеснить. Разность косинусов краевых углов смачивания идеально чистой поверхности и реальной, на которой имеются перечисленные выше адсорбированные примеси, определяет задержку смачивания Н, названную Ребиндером порядковым гистерезисом [c.10]

В процессе вытеснения из пористой среды одной жидкости другой, а также при совместном их движении в трубах, каналах и т. д. происходят прилипание и отрыв дисперсной фазы от твердой поверхности. Эти явления сопровождаются гистерезисом смачивания. Процесс прилипания частиц дисперсной фазы (капля жидкости или пузырек газа) в дисперсионной среде к твердой поверхностн происходит следующим образом [56]. Вначале образуется небольшая посадочная площадка, после чего начинается расширение трехфазного периметра смачивания до некоторой" постоянной величины. Краевой угол смачивания, соответствующий конечному состоянию периметра смачивания, называется равновесным. Сам процесс постепенного перехода от текущего угла смачивания к равновесному называется гистерезисом смачивания. Явления эти подробно описаны в работах П. А. Ребиндера [82, 81]. [c.121]

Модификационный переход а-твердого раствора в -твердый раствор происходит при температуре 350—550 С. Увеличение HV и Не в области температур 200—450 С связано с дисперсионным твердением из-за выделения фазы ojP и возрастанием напряжений в осадках. Релаксация этих напряжений и рекристаллизация при температуре отжига выше 500 С вызывают уменьшение HV и Не- Аналогичные зависимости от температуры нагрева выявлены для остаточной и максимальной —Н магнитной индукции и прямоугольности петли гистерезиса В ЦВп — Я). [c.58]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология