Уравнения отложения вещества на гран

Наибольшее значение среди теории роста кристаллов имеют диффузионная и молекулярно-кинетическая. Согласно диффузионной теории Нернста процессы на поверхности раздела фаз протекают очень быстро, а скорость гетерогенных процессов лимитируется только диффузией. При кристаллизации поверхность кристалла покрыта тонким слоем малоподвижного раствора, в котором концентрация снижается от средней величины в растворе (с) до концентрации насыщения (со) на самой поверхности кристалла. Этот слой и создает основное сопротивление для диффузионного перехода кристаллизующегося вещества из пересыщенного раствора на поверхность растущего кристалла. Скорость отложения вещества на гранях кристалла описывается уравнением [c.364]

Если принять, что скорость кристаллохимического акта пропорциональна пересыщению раствора, то для установившегося процесса (когда количество вещества, подводимого к кристаллу диффузией, равно количеству, отлагающемуся на его гранях) скорость отложения вещества на гранях кристалла в общем случае можно выразить уравнением [c.85]

Результаты проведенных исследований говорят о решающем влиянии диффузии на кинетику отложения вещества на гранях кристалла. И. И. Андреев [123], используя большой экспериментальный материал, смог показать, что скорость роста отдельных граней кристалла хорошо описывается диффузионным уравнением (11). [c.97]

Выделение растворенного вешества на поверхности кристалла включает предварительный этап гранспорха кристаллизанта к поверхности, что определяется мас-сопереносом и описывается уравнением конвективной диффузии, описанной в (5.2). О решении задач на основе уравнения конвективной диффузии, связанных с проблемами роста частиц, можно получить представление в [2, 3, 12, 13]. Однако, как показывает практика, кинетика роста частиц не определяется только подводом кристаллизанта к поверхности кристалла. Важную роль играет кинетика образования кристаллической структуры из вещества, подведенного к поверхности, т. е. собственно кристаллизация. Расчеты этих явлений проводят на основе молекулярно-кинетических представлений о послойном отложении кристашшзанта на раступщх гранях кристалла [2, 7, 14]. Однако количест- [c.333]