Покрытие кристаллит

Покрытия пористые. Уменьшение пористости достигается оплавлением покрытия, что увеличивает его стойкость. При сочетании гальванического лужения с термической обработкой получается защитно-декоративное покрытие кристаллит , применяющееся для отделки предметов широкого потребления. [c.920]

Когда вся поверхность капель покрыта кристаллами, новые кристаллы могут образовываться лишь в случае, если ранее образовавшиеся кристаллы отклонятся от равновесного положения, что может происходить в результате флуктуации. При этом обнажается часть поверхности капли и на этом участке образуются новые кристаллы комплекса, мешающие отклонившемуся кристаллу занять свое первоначальное положение. Дальнейшее комплексообразование и нормальная ориентация кристаллов комплекса на границе раздела фаз происходят благодаря флуктуации. Достижению нормальной упаковки кристаллов комплекса на границе раздела фаз способствуют слияние и дробление капель нефтепродукта, вызываемые перемешиванием при слиянии капель уменьшается общая величина поверхности, что приводит к уплотнению кристаллической оболочки, а при дроблении капель величина поверхности возрастает — при этом она покрывается кристаллами в результате перехода части имеющихся кристаллов в тангенциальное положение и образования новых кристаллов. [c.29]

Концентрация носителей заряда и скорость рекомбинации на поверхности кристалла существенно зависят от химического состава окружающей атмосферы. Поэтому для получения стабильных параметров полупроводникового прибора необходимо в первую очередь обеспечить постоянство состава окружающей его атмосферы. Это требование выполняется путем запайки или заварки прибора в герметичный корпус, причем герметизация обычно производится в камерах с контролируемой средой. Покрытие кристалла полупроводника всевозможными лаками, пастами или пластмассами не в состоянии надежно изолировать его поверхность от воздействия внешней среды. Однако такие покрытия замедляют процессы молекулярного обмена и поэтому иногда применяются для предварительной защиты поверхности, необходимой до окончательной герметизации прибора. [c.212]

Альфа-частицы вызывают свечение флуоресцирующих экранов. Если движущиеся а-частицы направить на поверхность, покрытую кристаллами цинковой обманки (обманка Сидо) 2п8, то каждая а-частица, ударяющая в кристаллик, вызывает его свечение. Этим пользуются, с одной стороны, для открытия радиоактивных веществ, с другой — для счета а-частиц, выбрасываемых этими веществами. [c.55]

Получение покрытия Кристаллит 2—3 [c.144]

Для того чтобы при разрезании кристалла на столике микроскопа его кусочки не отскакивали, столик покрывают пленкой вазелина. Последний можно также использовать для покрытия кристаллов с целью предохранить их от окисления кислородом воздуха. Важно, чтобы на окончательно выбранный кристалл не налипли мелкие кристаллики, поскольку они также будут давать дифракцию, и это может привести к ошибкам в измерении интенсивностей. Дополнительные кристаллики можно удалить, протаскивая основной кристалл взад и вперед через каплю вазелина. Избыток вазелина удаляют, двигая кристалл по поверхности столика микроскопа. Все описанные процедуры проводят с помощью стеклянного волокна (можно использовать также кусочек нити из стеклоткани или оттянутый конец стеклянной палочки), удерживаемого пластилином. [c.44]

Технологический процесс получения покрытия Кристаллит состоит из нескольких операций. [c.118]

Размеры кристаллов металлического покрытия неодинаковы по толщине слоя. В нижних слоях покрытия выделяются мелкие кристаллы, одна часть которых по тем или иным причинам прекращает свой рост, а другая продолжает расти. В связи с этим обстоятельством по мере увеличения толщины покрытия кристаллы все более и более увеличиваются в размерах. [c.26]

Покрытие кристаллит . В практике декоративных покрытий широкое применение получил специальный вид декоративного лужения, называемый кристаллитом. По внешнему виду покрытие подобно кристалл-лаку, по своей узорчатости сходно с изморозью на стекле. Подобная отделка широко применяется при изготовлении настольных ламп, фурнитуры, пылесосов и т. п. Защитные свойства такого покрытия обеспечиваются слоем олова и лаковой пленкой. [c.102]

Другой способ улучшения физических свойств азотнокислого аммония основан на уменьшении скорости поглощения влаги путем поверхностного покрытия кристаллов соли водонепроницаемой защитной пленкой гидрофобного (предохраняющего от поглощения влаги) вещества. Кроме того, пленка уменьшает сцепление отдельных частиц между собой. [c.355]

Р и с. 14. Спектры НПВО бумаги с покрытием, кристалл KRS-5. а — 20 отражений 6—10 отражений. [c.318]

Детали, подлежащие оплавлению (под покрытие кристаллит ) П Олово 3 — 6 5-7 0.3 с оплавлением [c.180]

Покрытие кристаллит применяется для отделки электротехнической арматуры и бытовых приборов (пылесосов, настольных ламп, стоек сатураторов и т. п.). Лужению по способу кристаллит могут подвергаться изделия, изготовленные из железа, меди, алюминия, их сплавов и др. [c.274]

Декоративные покрытия. К их числу относят оловянные покрытия кристаллит на корпусах приборов, хромовые покрытия на ручках, на наружных головках винтов и т. д. Эти покрытия, как правило, не обладают высокой коррозионной стойкостью. Кроме того, блестящие декоративные покрытия не всегда целесообразны, так как блеск утомляет зрение оператора. [c.10]

В настоящее время наружные поверхности радиотехнических устройств покрывают глянцевыми полимерными пленками, а при желании получить рисунок или изморози применяют оловянное покрытие кристаллит с защитной прозрачной пленкой лака (см. 7 гл. I, стр. 69). [c.89]

В регенераторах с насадкой в виде дисков из гофрированной алюминиевой ленты возможны два случая перехода вещества 1) из газообразной в жидкую или твердую фазы на поверхности насадки, на которой нет кристаллов или отдельных капель вещества, изменяющего агрегатное состояние 2) из газообразной в твердую фазу на поверхности насадки, покрытой кристаллами вещества, изменяющего агрегатное состояние. [c.332]

Переходим к условиям образования рентгеновского муара. Здесь площади покрытия кристалла падающей рентгеновской волной определяются прежде всего размерами фокального пятна на антикатоде рентгеновской трубки и могут быть увеличены с помощью сканирования. Фактически эти площади имеют поперечный размер / 1—5 мм и более. На снимках муара могут быть получены периоды от немногих микрон до миллиметров, и подобные изображения могут рассматриваться либо непосредственно, либо при небольших фотографических увеличениях. [c.175]

Оловянное покрытие Кристаллит окрашивается в желтый, зеленый, малиновый н синий цвет в расгворе следующего сосгаза (г/л) [c.71]

Пьезоэлектрический метод использован также в анализаторе для определения отношения водород — углерод в углеводородах [157]. Смеси углеводородов (например, и-бутана, и-пентана, пен-тена-1) разделяют методом газовой хроматографии на колонке со скваленом и окисляют полученные компоненты кислородом в токе гелия при температуре пламени около 650 °С. После сжигания углеводородов поток окисленных продуктов разделяют на две части одну пропускают над кристаллом кварца, колеблюш,имся с частотой 9,000 МГц, который поглощает воду последовательно из бутана, пентана и пентена. Другую часть потока осушают хлористым кальцием и пропускают над вторым кристаллом кварца, колеблющимся с той же частотой и поглощающим диоксид углерода. Частота колебаний каждого кристалла кварца уменьшается пропорционально количеству поглощенных воды или диоксида углерода каждая из этих двух частот накладывается порознь на фиксированную частоту эталонного генератора — 9,001 МГц, в результате чего образуются три различных дифференциальных частоты. Полученные данные непрерывно регистрируются, и расчет соотношений водород — углерод производится автоматически. В качестве материалов для покрытия кристалла, сорбирующего воду, Сэнфорд и сотр. [157] использовали силикагель, оксид алюминия, природные и синтетические смолы для сорбции диоксида углерода эти авторы применяли полярные вещества, например полиэтиленгликоль. [c.587]

Процесс без растворителя. Насыщенным раствором о-нитробензойного альдегида так смачивают стенки колбы, чтобы после полного удаления растворителя они были равномерно покрыты кристаллами. Затем запаянную колбу подвергают действию света и наблюдают, как постепенно кристаллы теряют свой желтый цвет и наконец становятся белыми. Тогда колбу вновь ополаскивают бензолом на холоду, причем почти вся масса остается нерас-творенной, так как образовавщаяся о-нитрозобензойная кислота растворяется в бензоле очень незначительно. [c.262]

Покрытие Кристаллит . В практике декоративных покрытий широкое применение получил специальный вид декоративного лужения, называемый Кристаллит . По внешнему виду покрытие сходно с изморозью на стекле. Подобная отделка применяется при изготовлении настольных ламп, пылесосов и различной фурнитуры. Защитные евойства покрытия обеспечиваются слоем олова и лаковой пленкой. Сущность способа заключается в том, что детали, подвергнутые лужению, оплавляют в печах и охлаждают. После охлаждения производят повторное лужение при этом происходит выявление границ зерен [c.117]

Еще в 1909 г. было предложено окислять влажный сернистокислый аммоний воздухом при 30—70°. Предлагалось также окислять сухой сернистокислый аммоний воздухом при обычной температуре, а неокислившийся сернистокислый аммоний, пользуясь его летучестью, отгонять, конденсировать и возвращать в процесс. Окисление твердого (ЫН4)250з воздухом происходит медленно и не полностью вследствие покрытия кристаллов коркой сернокислого аммония. [c.81]

Опыты покрытия кристаллов MgNH4P04 6H20 пленкой церезина из бензольного раствора показали, что при нагревании до 80° пленка хорошо предохраняет соль от разложения. Церезиновая пленка, составлявшая 0.5 /о от веса соли, сохраняла 99.7 /о содержащегося в последней аммиака при температуре 80° С. [c.160]

На рис. XVII, 14 изображен сосуд для определения чисел переноса, предложенный Уошберном. Анодная часть (слева) содержит анод в виде серебряной спирали, покрытой кристаллами серебра, катодная — серебряный диск, покрытый гранулированным Ag l. Сосуд Уошберна можно использовать и для определения изменения концентрации недиссоциирующего компонента при измерении истинных чисел переноса. [c.429]

Р.сли температура плавления кристаллов выше -15, то капилляр для определения температуры плавления на 3—5 мин. помеп ,ают в стакан с хорошо измельченной смесью л1)Да и соли. После кристаллизации жидкости нижний конец капилляра обогревают непродолжительное время пальцами, пока часть кристаллов не расплавится. Капилляр опускают в баню со смесью льда и соли и кристаллы перемешивают с жидкостью капиллярной палочкой до начала застывания, после чего извлекают. Капилляр для определения температуры плавлепия в нижней части содержит кристаллическую массу, стенки капилляра на Q- 20 мм покрыты кристаллами в виде налета. При нагревании налет внезапно пропадает это является лучшим крите- )ием для определения температур плавления, чем изменение вида кристал-.10В на дне капи,/1ляра. [c.147]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология