Кристаллизация на поверхности

Величину АСа можно определить из равенства скорости диффузионного переноса и скорости процесса кристаллизации на поверхности [c.176]

Вторичное зародышеобразование - образование новых центров кристаллизации на поверхности растущего кристалла. [c.397]

КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА [c.151]

После того как образуется первое устойчивое твердое тело — кристалл размером Гх,— в сущности, начинается кристаллизация на поверхности твердого тела, которая идет с понижением уровня свободной энергии. Конечно, вовсе не обязательно, чтобы данное твердое тело вырастало в том же самом расплаве или паре. Довольно часто кристаллизация протекает на поверхности посторонних твердых тел, которые так или иначе попадают в отвердевающее вещество. Лишь бы они имели подходящий состав и строение. В ряде случаев в пересыщенный пар или расплав специально вносят затравку в виде готовых больших или малых кристаллов. Часто проводят кристаллизацию на подложке, т. е. на твердом теле, определенных размеров и формы, обладающем подходящими свойствами, например достаточной тугоплавкостью и смачиваемостью расплавом. [c.151]

Технический продукт, поступающий на рафинирование (перекристаллизация или ректификация) должен обладать высокой чистотой, так как превратить загрязненный и интенсивно окрашенный технический продукт в рафинированный при однократной кристаллизации или одной перегонке невозможно. Это обусловлено тем, что при кристаллизации на поверхности граней растущего кристалла адсорбируются посторонние вещества, содержащиеся в неочищенном растворе при перегонке вещества пары уносят с собой частицы перегоняемого вещества. Кроме того, с загрязняющими веществами могут образовываться азеотропные смеси, следовательно, чем ниже качество технического продукта, тем больше посторонних веществ поступит в готовый продукт. [c.5]

В пристенном слое поверхности нагрева происходит концентрирование растворенных веществ вследствие испарения жидкой фазы растворителя. Когда местная концентрация примесей превысит предел растворимости, начнется их кристаллизация на поверхности нагрева. [c.11]

В определенной мере к маскирующим агентам можно отнести и созданные на основе комплексонов ингибиторы солеотложений. Сорбируясь на гранях зародышей кристаллов неорганических солей, микродобавки некоторых комплексонатов препятствуют дальнейшему росту кристаллов и таким образом предотвращают выпадение солей жесткости или их кристаллизацию на поверхности технологического оборудования. [c.440]

Кристаллизация на поверхности взвешенных газом-теплоносителем инертных частиц (тип Иа) или гранул готового продукта (тип Пб) [c.316]

Рассмотренные выше данные касались специфических условий кристаллизации на поверхностях, где возможно образование транскристаллических слоев. Для наполненных систем эти условия, а следовательно, и результаты определения плотности упаковки в граничных слоях могут быть существенно иными. [c.80]

Рис. 4.16. Кристаллизация на поверхности хладоагента

Процесс кристаллизации на поверхности вращающихся барабанов наиболее детально исследован для однокомпонентных расплавов [60, 186—189]. Установлено [60, 186, 187], что с понижением температуры охлаждающего агента 6с средняя скорость кристаллизации и толщина образующегося кристаллического слоя б возрастают соответственно увеличению движущей силы процесса теплообмена (разности температур /кр—Ос). [c.154]

Рис. 5.3. Эффективность разделения при кристаллизации на поверхности -охлаждаемого барабана

Эффективность процесса фракционной кристаллизации на поверхности вращающегося барабана можно значительно увеличить путем отжатая захваченного маточника от кристаллической фазы прямо на поверхности барабана с помощью специальных прессующих валов [194, 195]. [c.159]

КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ ПРЕДВАРИТЕЛЬНО ОХЛАЖДЕННЫХ ТЕЛ [c.183]

Наибольшие трудности для анализа представляет смешанная кинетика роста, поскольку в этом случае пересыщение у поверхности кристалла (Прр) устанавливается в зависимости от соотношения между сопротивлениями внешнего диффузионного переноса и процесса собственно кристаллизации на поверхности. В общем случае значение Пгр определяется из условия равенства скорости диффузионного переноса и скорости процесса собственно кристаллизации подведенного к поверхности вещества [c.164]

Во-вторых, сравнение результатов работ по платине на алюмогеле [72, 73] с результатами по платине на силикагеле [44, 160, 163] показывает, что при прочих равных условиях кристаллизация на поверхности силикагеля протекает значительно легче, а алюмогель оказывается носителем относительно стабилизирующим атомно-дис-персную фазу. [c.131]

По центральной проекции можно рассчитать графически, применяя правило рычага, процесс изотермической кристаллизации по прямолинейным лучам кристаллизации (см. ниже). Путь кристаллизации на поверхности насыщения одной твердой фазы также прямолинеен и совпадает с ее лучом кристаллизации. Фигуративная точка состава твердой фазы, выпадающей при испарении, находится на одной прямой с точкой состава солей маточного раствора, что является достоинством этой проекции. Такое положение точки системы на этой проекции определяет состав выпадающей соли (когда раствор насыщен одной твердой фазой). Для определения, [c.158]

Путь кристаллизации на поверхности однократного насыщения на ортогональных проекциях четверных систем из-за кривизны этой поверхности изображается в общем случае кривой. Поэтому можно использовать вспомогательную секущую плоскость, проведенную через прямолинейный луч испарения перпендикулярно бесконечно удаленному. основанию перевернутой пирамиды. След этой секущей плоскости на горизонтальной проекции представлен прямой НЬ, совпадающей с лучом испарения. Полученные в результате сечения точки т и п на линиях ЕЭ и ЕгС сносятся на вертикальную проекцию в результате фиксируется след т п секущей плоскости на поверхности насыщения солью ВУ. Точка в которой этот след т п пересекается с лучом испарения, и есть точка пересечения луча испарения с поверхностью насыщения одной солью. [c.227]

Расположение кривых, показанных на рис. 1Х-16, без сомнения будет в значительной мере зависеть от таких факторов, как скорость перемещивания, температура, концентрация, размер и число кристаллов, присутствующих в растворе, наличие примесей и образование центров кристаллизации на поверхностях раздела. [c.591]

Рис. 111.31. Образование вторичных зародышей кристаллизации на поверхности роста монокристалла.

ЭПИТАКСИЯ ж. Явление ориентированной кристаллизации на поверхности кристалла-подложки. [c.513]

При наличии мельчайших частичек солей в воздухе в сильной степени облегчается процесс о(>разования капельно-жидкой атмосферной воды,, так как эти частички становятся центрами кристаллизации, на поверхности которых и происходит адсорбция молекул водяных паров. [c.156]

Из-за относительно высокой растворимости карбонатов ион магния вводили в значительно более высокой концентрации (10 3 М), чем другие испытуемые вещества. Только прн указанной концентрации ион магния оказывал ощутимое влияние на процесс образования кальцита, которое можно измерить. Другой испытанный катион, а именно ион стронция, вообще не проявлял ингибирующего действия. Таким образом, при pH среды в условиях проводимых экспериментов катионные частицы слабо взаимодействуют с центрами кристаллизации на поверхности кальцита. Вероятно, ингибирование ионом магния происходит из-за подобия структур кристалла кальцита и смешанных карбонатов магния и кальция, благодаря чему увеличивается удельная адсорбция ионов магния на центрах кристаллизации кальцита и нейтрализуется действие заряда. Между кальцитом и смешанными карбонатами кальция и стронция такого структурного подобия нет. Особое значение имеет тот факт, что два природных органических компонента сточной воды, фосфатированный инозит и альбумин, не ингибируют кристаллизацию кальцита. При концентрации 10 мг/л эти полярные соединения адсорбируются на поверхности раздела раствор — кальцит. Благодаря их полярности, а также недостаточному взаимодействию их с центрами кристаллизации на поверхности кальцита они не оказывают влияния на процесс кристаллизации карбоната кальция. При этом же значении pH раствора и более высоком не наблюдается ингибирования кристаллизации кальцита в присутствии желатины (до 25 мг/л) (Редди, неопубликованные результаты). Вместе с тем желатин является эффективным ингибитором кристаллизации, например, дигидрата сульфата кальция. Можно предположить, что желатин, так же как фосфатированный инозит и альбумин, не проявляет специфического взаимодействия с центрами кристаллизации кальцита. [c.37]

Горная порода состоит из компонентов и фаз различного физико-химического состава и агрегатного состояния. Такая неоднородная система в физической химии называется гетероген-но№ Твердую фазу породы слагают минеральные частицы скелета и цемента, жидкую — пластовые воды той или иной минерализации и жидкие углеводороды (нефть, сжиженные газы), газообразную — углеводородные и другие газы. Между отдельными фазами системы протекают разнообразные химические реакции, процессы растворения и кристаллизации. На поверхностях раздела объемных фаз могут возникать промежуточные фазы или поверхностные слои, которые характеризуются аномальными физико-химическими свойствами. Эти слои образуются в результате взаимодействия отдельных компонентов горной породы. [c.7]

На первоначальной стадии кристаллизации на поверхности стекла появляется очень тонкая кристаллическая пленка или отдельные участки такой пленки при более низких температурах [c.390]

КМУП с ТПС отличаются повышенной адгезией связующего к волокну в связи с его кристаллизацией на поверхности волокна. Это обеспечивает высокие значения трансверсально-го разрыва. С увеличением времени горячего прессования адгезия ТПС к углеродному волокну усиливается. Аппреты на его поверхности уменьшают силу адгезии связующего. В связи с этим их содержание необходимо доводить до возможного минимума. [c.557]

Как видно из результатов опытов, повышение температуры экранирующей поверхности и расположение ее ближе к монокристаллу не вызвало резкого улучшения качества. Одной из причин могло служить то обстоятельство, что выращиваемый монокристалл не был полностью экранирован, так как нагреватель в начальный момент располагался на расстоянии 20—25 мм от уровня расплава, по мере его убывания площадь свободной от экранирования поверхности непрерывно увеличивалась. Попытки закрыть всю поверхность кристалла экраном приводили к тому, что затравка во время затравления оплавлялась и вырастить монокристалл было невозмож-1Ю. Не менее важным фактором следует считать неустойчивость режима роста, наблюдавшуюся в процессе опытов. При работе с экраном приходилось значительно снижать мощность основного нагревателя, что приводило иногда к возникновению побочных центров кристаллизации на поверхности расплава. Кроме того, колебания электрического напряжения вызывали нарушение теплового режима экрана. Поэтому получение монокристаллов постоянного диаметра было затруднено. Слитки, выращенные в таких условиях экранирования, имели непостоянный диаметр по длине с разницей в 2,0—3,0 мм. [c.225]

Для ускорения кристаллизации, укрупнения кристаллов и формирования агрегатов-хлойьев рекомендуется добавлять к суспензии затравку , т.е. свежие полученные кристаллы СаСОз и Mg(OH)i, играющие роль цент ров кристаллизации, на поверхности которых откладываются кристаллизующиеся соли. На практике роль затравки может выполнять оседающий в отстойнике шлам. Для этого поступающую в отстойник суспензию вводят несколько ниже границы между прозрачным рассолом и оседающим шламом. Количество вводимой суспензии должно быть таким, чтобы скорость вертикального потока жидкости в отстойнике была равна скорости оседания вновь формирующихся хлопьев в верхней зоне оседающего шлама. При этом граница осветленного рассола будет поддерживаться на определенной высоте. В целом шлам будет оседать на дно отстойника, а осветленный рассол — вытекать из отстойника сверху. Таким образом, вводимая суспензия проходит через слой осадка (фильтрующий слой), играющего роль затравки . За время прохождения через этот слой протекают и кристаллизация, и агрегация осадка в хлопья. [c.82]

В крупных промышленных установках, вырабатывающих аммиачную селитру для нужд сельского хозяйства, в настоящее время применяют непрерывные способы кристаллизации в грануляционных бащнях или на охлаждающих вальцах. При кристаллизации на поверхности охлаждающих вальцов тепло кристаллизации используется неполностью. Пленка плава закристаллизовавшейся соли разделяется на отдельные агрегаты кристаллов в виде чешуек, плохо поддающихся сушке. По гранулометрическому составу чешуйки очень неоднородны и потому менее удобны для рассева при внесении в почву, чем гранулированная соль. [c.403]

Некоторые патогенные поражающие листья бактерии типа Pseudomonas syringae синтезируют при низких температурах специфические белки, служащие центрами образования кристаллов льда на поверхности листа при температурах ниже нуля. По мере своего роста кристаллы прокалывают растительные клетки и необратимо повреждают растение, а бактерии получают в свое распоряжение питательные вещества, высвободившиеся из разрушенных растительных клеток. Если белки - центры кристаллизации на поверхности листа - отсутствуют, то непродолжительные ночные заморозки могут и не прине- [c.325]

Обратимся к различным видам первой группы относительного движения раствор — кристалл. Следует отметить одну общую особенность видов перемешивания, основанных на вращении, — недостаточно интенсивное перемешивание раствора в вертикальном направлении. В растворах с крутой зависимостью растворимости от температуры это может привести к образованию центров кристаллизации на поверхности раствора и в итоге к его запаразичиванию. [c.171]

Таким образом, результаты исследования композиций на основе термодинамически несовместимых кристаллизующихся полимеров согласуются с представлением о том, что при определенном режиме термообработки в системе возможно образование размытых межфазных областей, в которых наряду с явлением пластификации полимерного наполнителя (полиэтилен) полимерным связующим (олигоэфир) наблюдается ограничение подвижности макромолекул связующего при его кристаллизации на поверхности раздела с полимерным наполнителем. Крижевский [396 проследил, как происходит диффузия на границе раздела ПЭ—ПП при разных температурах, и в качественной форме установил влияние компонентов на их кристаллизацию. Он предположил, что, когда оба компонента кристаллизуются, диффузия на границе раздела зависит от надмолекулярной структуры компонентов. При этом допускается существование критической концентрации каждого компонента в другом, при которой возможно образование гомогенной смеси в расплаве выше этих концентраций промежуточный слой существует и в расплаве. Охлаждение расплава и кристаллизация компонентов ведет к расслоению и возникновению независимых надмолекулярных структур. При этом концентрация компонентов в промежу- [c.239]

Максимум распределения частиц почвенного происхоадения по размерам, как правило, находится в субмикронной области разме- ров, но весьма вероятны также максимумы в области размеров I 4 г 4 5 мкм. Частицы почвенного происхоадения с радиусом меньше 0,1 мкм могут образовываться, в частности, при кристаллизации на поверхности почвы солей, растворенных в грунтовых водах. По С.Тумею мощность генерации таких частиц составляет 10 - 10 част/(см .с) [233]. [c.50]

Рис. 111.32. Контурная карта значений свободной энергии образования вторичного зародыша кристаллизации на поверхности роста монокристалла ДФ5, рассчитанных по уравнению (111.13) (символы со звездочкой относятся к точке перегиба. Возрастание чисел у горизонталей соответствует переходу в область более высоких значений ЛФз. Стрелками показаны нанравпения роста).

Концерн Импириэл кемикэл индастрис разработал процесс получения сернистого газа из топочных газов промывкой их известковым молоком [134]. Этот пропесс применяется на станции Фульгам в Лондоне и на станции Тир-Джон в Сванси, Уэльс. Улучшенный вариант этого процесса, успех которого зависел от предотвращения кристаллизации на поверхностях насадки скруббера при циркуляции больших количеств известкового раствора сульфита кальция и кристаллов сернокислого кальция, был описан Лессингом [135]. [c.90]

Существует несколько способов аппаратурного оформления процесса фракционной кристаллизации на поверхности движущихся или неподвижных охлаждаемых тел в теплообменных аппаратах с принудительной циркуляцией расплавов на поверхности предварительно охлажденных тел, помещенных в расплавы. Если первые два способа находят промышленное применение, то последний используется только в лабораторньгх условиях. Процесс фракционной кристаллизации осуществляется преимущественно в периодическом режиме. Имеется информация и об организации непрерывного режима работы оборудования [8]. [c.316]

Ясно, что для того, чтобы подойти к теоретическому анализу структурообразовапия в больших объемах, необходимо построение теории кристаллизации, одновременно учитывающей как роль тепловых процессов, так и влияние собственно кинетики кристаллизации на поверхности раздела фаз, а также возможность образования кристаллов в объеме переохлажденного расплава. [c.9]

Результаты изучения внутренних разрезов тройной системы, направление которых определялось положением химических соединений и эвтектическихточекна боковых двойных диаграммах состояния, позволили определить границы полей первичных кристаллизаций. На поверхности ликвидуса диаграммы состояния системы Zr U— Mg U—K l имеется пять полей первичной кристаллизации, соот- [c.136]

Процесс восстановления слагается в общем случае из нескольких стадий. Первой стадией является диффузия иона к поверхности электрода, затем происходит передача электрона от электрода иону (собственно процесс восстановления) и затем продукты реакции покидают тем или иным способом сферу реакции. Удаление продуктов реакции может осуи1,ествляться либо путем растворения х в материале электрода (особенно в случае ртутного электрода), либо кристаллизацией на поверхности электрода, либо, если продукты растворимы, диффузией их от поверхности электрода обратно в раствор. [c.238]

Четверные нонвариантные точки отсутствуют. Минимум температуры кристаллизации на поверхности сосуптествования КаР и твердых растворов (Ка, К) (Вг, Л) при 528" на пограничной кривой сосуществования КаР, КР и твердых растворов минимум при 520°. [c.542]

Зародышеобразование называется гомогенным, если в расплаве или растворе вешества отсутствуют образовавшиеся ранее зародьтнт или инородные частицы. При кристаллизации на поверхности инородных частиц размер зародышей, с которого начинается рост кpиeтaл ла, часто уменьшается, так как образование границы раздела между [c.21]