Степанова эффект

Однако и в области линейной вязкоупругости природа ползучести имеет сложный характер в связи с проявлением у- и Р-процессов релаксации наряду с медленным протеканием а-процесса релаксации, приводящим к развитию высокоэластической деформации. Песчанская и Степанов [47] наблюдали у термопластичных пластмасс на температурной кривой скорости ползучести при низких температурах ступеньки, которые соответствовали релаксационным у-, Р-переходам. Имеется несколько узких интервалов температур, в которых наблюдается резкое изменение кривых ползучести. В этих же интервалах существенно изменяется ширина линии спектра ЯМР. У пластмасс эти эффекты наблюдали в широком интервале температур (от —200 до 150°С) [47]. Одна из причин развития ползучести пластмасс состоит в образовании и раскрытии так называемых крейзов (микротрещин серебра ) [48]. [c.214]

Вопрос о взаимодействии точечных дефектов, дислокаций и поверхностных дефектов в ионных кристаллах заслуживает самого серьезного внимания. Обращаясь к истории вопроса, заметим, что явления, возникающие вблизи дислокаций весьма аналогичны эффектам на поверхности кристаллов. Продолжая исследование А. Ф. Иоффе и его учеников по изучению поверхностных свойств реального ионного кристалла, А. В. Степанов в 1932 году открыл явление возникновения электрического потенциала на гранях ионных кристаллов при их пластической деформации, названное эффектом Степанова . Было показано, что генерация зарядов имеет при этом место в полосах скольжения. Таким образом были открыты заряженные полосы скольжения (в терминологии 30-х годов), или заряженные дислокации (в терминологии 70-х годов). Носителями эффективных зарядов в кристаллической решетке являются точечные дефекты строения (вакансии, межузловые ионы и т. п.). Поэтому возникновение заряженных линейных дефектов возможно лишь при захвате или потере ими дефектов нулевого порядка. Таким образом, установив эффект заряжения дислокаций при их движении, А. В. Степанов тем самым экспериментально обнаружил взаимодействие линейных и точечных дефектов. [c.93]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология