Плотность р переход электронно-дырочный переход

Контакт геометрически.х поверхностей, наиример двух металлов, приводит не к усреднению плотности электронов (что при термодинамической оценке всегда допустимо), а к образованию двойного слоя за счет возникновения связанных электрон-дислокационных состояний как на самой поверхности, так и через границу раздела. При этом поверхность геометрическая, так же как и поверхность Ферми, разделяет разноименные заряды. Легко понять известные затруднения при попытках описания корреляционных функций даже простейшей двумерной одноатомной металлической границы раздела. Еще большие сложности теоретического описания возникают при исследовании границы сопряжения двух, трех и более атомных структур (например, дырочно-электронных переходов в полупроводниках), однако такие кинетически непредсказуемые модели отражают лишь наиболее простейшие модели взаимодействий в реальной природе. [c.78]

Известно, что высокотемпературные сверхпроводники (ВТСП) обладают слоистой структурой. Б подобных структурах, также как и в связанных состояниях воды, характеризуемым цепочечным упорядочением типа ( -О"—Н - -О —Н - ), куперовские пары имеют крайне малую длину когерентности ( 1нм), но вместе с тем большую плотность. Для объяснения механизма спаривания электронов в слоистых структурах оксидов предложено много моделей, которые включают образование биполяронов, электрон-дырочные взаимодействия и др. [4]. Б [6,7] переход с СП-состо-яние связывается с тем, что атомы кислорода ( - О"—), теряя электрон, становятся магнитными и заставляют ориентироваться соответствующим образом магнитные моменты рядом расположенных атомов. Считается, что образование кислородной нестехиометрии фаз в поверхностных структурах представляет собой фундаментальный интерес для высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП), так как соответствующие оксидные фазы в зависимости от содержания кислорода могут быть диэлектриками, полупроводниками, антиферромагнетиками и металлами [7]. [c.133]