Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Диффузия по вакансиям

    ПОЛЯ. На эту картину накладываются ограничения общего порядка, характерные для любого агрегатного состояния и заключающиеся в наличии химического взаимодействия между основным веществом и диффундирующей примесью. В зависимости от типа диффузионного смещения можно представить следующие основные виды механизма диффузии 1) обмен местами (по узлам решетки) 2) прямая диффузия по междоузлиям 3) диффузия по вакансиям в решетке. Эти варианты могут встречаться в различных комбинациях. [c.155]


    Гетерогенный изотопный обмен ионами между кристаллическим осадком и насыщенным раствором протекает по следующим основным стадиям диффузия ионов из раствора к поверхности твердой фазы (может быть исключена сильным перемешиванием) закрепление иона на поверхности твердой фазы перекристаллизация соли путем переноса вещества с одного участка кристалла на другой, что может происходить как с изменением размеров кристалла, так и без него внедрение иона в поверхностный слой твердой фазы путем обмена с соседними ионами по бимолекулярному механизму или за счет циклического процесса, при котором смещаются несколько (5—6) ионов внедрение иона внутрь кристаллической решетки за счет обменной диффузии или диффузии по вакансиям и междоузлиям. Последний процесс, являясь наиболее медленным, определяет кинетику гетерогенного обмена. В результате внешнего и внутреннего облучения кристалла последний приобретает так называемую запасенную энергию. Облучение вызывает образование равновесных и неравновесных дефектов кристаллической структуры, что оказывает влияние прежде всего на обменную диффузию. Для гетерогенного обмена на кривой зависимости Ig (1 —F) от времени t можно выделить два участка, соответствующих разным стадиям обмена. Быстрая стадия связана с обменом на поверхности кристаллов, а медленная — с обменом по всему объему кристаллов. Каждая стадия характеризуется своим периодом полуобмена. [c.193]

Таблица 6.2. Значения корреляционного множителя при диффузии по вакансиям [S/] Таблица 6.2. Значения корреляционного множителя при диффузии по вакансиям [S/]
    Аннигиляция вакансий в металле. Проблема аннигиляции вакансий в фазе металла возникает как в случае диффузии по вакансиям Б фазе окисла МС, так и в случае диффузии по междоузлиям. [c.262]

    При диффузии по вакансиям направление очередного скачка иона не является произвольным. Более вероятным оказывается его перескок в исходное положение, поскольку в силу малой концентрации вакансий наиболее вероятной является ситуация, когда в момент последующего прыжка иона вакансия, находящаяся в месте его предыдущего положения еще не покинула этого места, а остальные потенциальные ямы из числа 2 его ближайшего окружения оказываются занятыми. В результате такой корреляции после п перескоков ион сместится от своего исходного положения не на расстояние / , определяемое формулой (3.4), а на несколько меньшее расстояние (второе слагаемое в формуле (3.3) становится отрицательным). Точный расчет / ( /з) оказывается возможным в случаях, когда известна структура кристалла [11]. [c.152]


    Здесь, например, D(Na)—суммарный коэффициент диффузии меченых ионов натрия, наблюдаемый на опыте Do(Na) — коэффициент диффузии этих ионов, обусловленный -миграцией катионных вакансий Dnapa(Na) —коэффициент диффузии за счет ассоциированных пар [Nan lnJ Dnapa ( l)—аналогичный коэффициент для меченых ионов С1 о — коэффициент электропроводности а-—фактор корреляции для случая диффузии по вакансиям в гранецентрированной кубической решетке, равный 0,7815. Естественно, что ассоциаты [Na С1 не проводят ток и их миграция не вносит вклад в процесс электропроводности. [c.47]

    Зависимость различных механизмов от исходной структуры и характера химических связей. В учебниках и монографиях обычно приводятся результаты работы Хантингтона и Зейца [17], в которой была рассчитана энергия активации процессов самодиффузии меди по нескольким предположительным механизмам. Было найдено, что непосредственный обмен атомами-соседями (дублетная круговая диффузия) требует энергии активации И эв (253 ккал), смещение атома на поверхности из узла в междуузлие 9,5 эв (219 ккал), зато последующая диффузия по междуузлиям всего 0,5 эв (11,5 ккал), образование вакансии смещением атома (на поверхность) 1,8 эв (42 ккал), а последующая диффузия по вакансиям 1 эа (23 ккал). Наблюдаемая экспериментальная энергия активации самодиффузии меди равна 1,1 эв (48,3 ккал), т. е. наиболее вероятна диффузия по вакансиям с образованием последних по тому или иному механизму. [c.447]


Смотреть страницы где упоминается термин Диффузия по вакансиям: [c.149]    [c.149]    [c.170]    [c.171]    [c.109]    [c.170]    [c.171]    [c.350]    [c.351]    [c.351]    [c.352]    [c.447]    [c.447]    [c.499]    [c.144]    [c.153]   
Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников Издание 2 (1973) -- [ c.447 , c.561 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Вакансии коэффициент диффузии Внедренные атомы

Вакансии роль в процессах диффузии

Вакансия

Диффузия в кристаллах с вакансиям



© 2025 chem21.info Реклама на сайте