Вакансии аннигиляция

Анионные вакансии, возникающие при потере кислорода и беспорядочно распределенные при. .. температурах, по мере охлаждения упорядочиваются в стенки , вдоль которых происходит сдвиг структуры с аннигиляцией. ... [c.330]

В условиях облучения, когда подвижность вакансий и внедренных атомов бериллия достаточно высока для эффективной аннигиляции и ухода на стоки, а газовые атомы практически неподвижны, можно ожидать, что реализуется случай твердого распухания. [c.38]

Таким образом, результаты исследований температурной эволюции структуры и свойств наноструктурного Ni, полученного ИПД, показьшают, что при нагреве этого материала происходят сложные структурные изменения, связанные с развитием процессов возврата, рекристаллизации и роста зерен. Очевидно, природа возврата обусловлена прежде всего перераспределением и аннигиляцией дислокаций на границах и в теле зерен, приводящих к уменьшению внутренних напряжений (см. рис. 3.26). В то же время точечные дефекты здесь не играют существенной роли, поскольку электросопротивление, наиболее чувствительное к присутствию избыточных вакансий и межузельных атомов, остается постоянным вплоть до начала роста зерен (см. рис. 3.2а). [c.127]

Такое положение, по-видимому, является следствием сочетания влияния закалочных и деформационных вакансий на процессы упорядочения. При низких температурах отпуска упорядочение протекает более интенсивно в деформированных образцах, так как в этом случае носителями процесса являются как закалочные, так и деформационные вакансии. При более высоких температурах отпуска в результате возрастания подвижности вакансий и их аннигиляции на стоках — дислокациях, плотность которых, естественно, больше в деформирован- в /мм ных образцах, интенсивность упорядочения в последних уменьшается. Подобное влияние вакансий на процессы перемещения атомов наблюдалось рядом исследователей на стареющих сплавах [16]. [c.46]

При высоких температурах упорядочения в результате аннигиляции вакансий на стоках — дислокациях — интенсивность упорядочения закаленных образцов выше интенсивности упорядочения закаленных и затем деформированных образцов. [c.47]

Ясно, что вакансия и междоузельный атом являются дефектами как бы противоположного знака, и это находит проявление в ряде их свойств. В частности, может произойти аннигиляция вакансии и междоузельного атома, сопровождающаяся одновременным исчезновением пары этих дефектов в кристалле. С другой стороны, простейшая схема образования таких дефектов сводится к тому, что атом покидает свое место и переходит в междоузельную позицию, создавая сразу пару дефектов. Эта схема реализуется в процессе облучения кристалла энергичными частицами, когда пролетающая сквозь кристалл частица выбивает некоторый атом из узла, перенося его в междоузлие. [c.176]

Напротив, при определенных взаимодействиях дислокаций могут образоваться вакансии. На рис. 10.14 изображено возникновение вакансии при взаимной аннигиляции двух дислокаций противоположного знака. Конечно, в пространственном изображении получается целый ряд вакансий соответственно длине дислокационной линии. [c.227]

Рис. 10.14. Возникновение вакансии путем аннигиляции двух дислокаций противоположного знака

Аннигиляция вакансий в металле. Проблема аннигиляции вакансий в фазе металла возникает как в случае диффузии по вакансиям Б фазе окисла МС, так и в случае диффузии по междоузлиям. [c.262]

Реакция аннигиляции вакансий представлена схемой (Г) в табл. 6.4, а удельная скорость этой стадии — уравнением (1) в табл. 6.5. [c.263]

Аннигиляция вакансий в металле. Задача формулируется точно так же, как и в случае разупорядоченности в форме межузельных катионов, и под буквой в табл. 6.8 и 6.9 помещены те же формулы, что и в табл. 6.4 и 6.5. [c.274]

В тех случаях, когда определяющей является либо одна из стадий (1, 2, 3) реакции на внешней поверхности раздела, либо диффузия вакансий в металле (7), либо, наконец, их аннигиляция на внешней поверхности металла (8), показатель степени 1/га будет определяться диссоциацией молекул газа при адсорбции. [c.357]

Как видно из табл. 8.5—8.8, структура выражений для энергии активации суммарной реакции, при условии что только одна стадия является определяющей, в значительной мере зависит от типа проводимости (п или р) фазы полупроводника MG. Выражения имеют практически одинаковый вид для полупроводников с межузельными катионами и анионными вакансиями, с одной стороны, и для полупроводников с межузельными анионами и катионными вакансиями [17] — с другой. Однако энергия активации суммарной реакции равна энергии активации определяющей стадии только в том случае, если эта стадия — начальная или конечная в последовательности, т. е. либо адсорбция, либо аннигиляция вакансий (стадии 1 и 8 соответственно). [c.361]

Если фаза, образующая защитный слой, является полупроводником п-типа (табл. 8.5 и 8.6) и если определяющая стадия — диффузия нейтральных дефектов в объеме этой фазы, то энергия активации суммарной реакции Е будет алгебраической суммой энергии активации диффузии 4, отличающейся лишь на величину порядка НТ от энтальпии миграции АНт, энтальпии образования дефектов АЯ/ и стандартной энтальпии реакции на внутренней поверхности раздела АН1, включающей стадию аннигиляции вакансий в металле (среднее значение коэффициента О, согласно рассмотрению, проведенному на стр. 328, практически не зависит от энтальпии формирования дефектов ДЯ/). [c.365]

В рамках сделанного выше предположения ДЯ/ > О, при условии что суммарная реакция экзотермична (ДЯ<0), реакция аннигиляции вакансий должна быть более экзотермичной, чем суммарная реакция. Ее энтальпия будет равна ДЯд = —( ДЯ 4-+ ДЯ/ ). Локализация стадий на различных поверхностях раздела влечет за собой локализацию тепловых эффектов, так что к миграции дефектов прибавляется еще и процесс переноса тепла через защитный слой. [c.368]

Что касается аннигиляции вакансий на внешней поверхности металла, в некоторых работах [4], выполненных на плоских образцах металла, показано прогрессивное уменьшение толщины металлического образца за счет диффузии через границу раздела с защитным слоем, если процесс диффузии осуществляется с помощью межузельных катионов или катионных вакансий. Однако другие работы, выполненные на проволочках или сферических зернах металла, а также на вискерах, могут быть интерпретированы [5] в предположении, что вакансии в металле питают рост пустот, связанных с различными гетерогенностями, и что ресорбция металла вблизи внутренней границы раздела происходит за счет движения краевых дислокаций под влиянием вакансий. [c.370]

На первом этапе отжига устанавливается реакция, описываемая уравнением (7.44). При дальнейшем отжиге наряду с этой реакцией происходит аннигиляция вакансий за счет их поглощения дислокациями или рекомбинации с межузельными атомами Ni. [c.377]

К этому следует добавить, что наложение давления при достаточно. высоких температурах ведет к аннигиляции дефектов типа вакансий и внедренных атомов, дислокаций и межкристаллитных границ. Это в свою очередь влияет на структурно-чувствительные превращения. [c.157]

Сравним также теплоты реакций, в которых переход атомов свинца и серы из пара в кристалл сопровождается аннигиляцией нейтральных вакансий [c.369]

Предположение о диффузионном росте пор вызывает вопрос о возможном источнике вакансий. В качестве источников обычно рассматриваются вакансии, образующиеся при пластической деформации, в частности при аннигиляции разноименных краевых дислокаций, скольжении винтовых дислокаций со ступеньками, быстром переползании дислокаций через препятствия и др. В результате этого предполагается возникновение временного локального избытка вакансий, часть из которых мигрирует к границе с последующей конденсацией на зародышах пор [75, 89, 155, 213, 227, 242[. Оценки показывают [30[, [c.20]

В том случае, если граница образована дислокациями, не способными к скольжению вместе с границей, перемещение межфазной границы оказывается сопряженным с равновесием и диффузией точечных дефектов в кристалле. Так как перемещение такой границы, представленной, например, на рис. 10, б, связано с необходимостью рождения или аннигиляции вакансий или междоузельных атомов, межфазная граница будет находиться в равновесии даже при не равной нулю движущей [c.359]

Приведенное соотношение можно рассматривать как уравнение линии растворимости на Т—с-диаграмме раствора вакансий в кристалле при заданной степени релаксации р 1/L. Эта концентрация вакансий отвечает равновесию с ядрами межфазных дислокаций, на которые действуют натяжения когерентных участков границы, прогибающихся под усилием Д г, аналогично тому, как это имеет место у ступенек винтовой дислокации. В условиях, когда процесс диффузионного транспорта вакансий не является лимитирующим (барьер для присоединения вакансии к дислокации W больше барьера U для миграции вакансии в кристалле), кинетика перемещения границы определяется скоростью рождения или аннигиляции вакансий на дислокации [c.359]

Метод аннигиляции позитронов (МАП) широко используется для исследования вакансий, дислокаций, границ зерен в металлах и сплавах вследствие высокой чувствительности и избирательности позитронов к областям с пониженной электронной плотностью. От известных бесконтактных неразрушающих методов контроля, например, от метода рентгеновской дефектоскопии, МАП отличается тем, что он позволяет исследовать избирательно дефектность материалов на атомном уровне позитроны эффективно захватываются нейтральными дефектами и дефектами, имеющими отрицательный заряд. Чувствительность МАП в отношении концентра- [c.269]

Далее кратко рассмотрим основные механизмы образования микротрещин, которые можно подразделить на дислокационные, диффузионные и в результате межзерен-ного сдвига. Дислокационные механизмы могут быть разделены на три группы. К первой группе относятся модели (Зинера, Стро, Коттерелла, Гилмана и др.), связывающие инициированные микротрещины со скоплением дислокаций в плоскостях скольжения. Эти скопления возникают в результате остановки движущихся дислокаций в различных барьерах, которыми являются границы зерен с большими углами разориентировки, включения, поля напряжений. Вторая группа моделей предполагает образование микротрещин в результате скопления дислокаций в окрестностях пересечения систем элементарных актов пластической деформации путем скольжения и двойникования (модель Коттерелла). В соответствии с концепциями моделей третьей группы микротрещины инициируются в результате взаимодействия дефектов кристаллической решетки при пластическом деформировании. Эта группа -барьерные механизмы, описывающие процесс развития трещин в результате объединения цепочек вакансий в движущихся дислокациях со ступенькой пересечение малоугловых границ аннигиляции дислокаций в близко расположенных плоскостях скольжения возникновения поля растягивающих напряжений от двух дислокационных скоплений противоположного знака. [c.86]

В настоящее время не существует единой достаточно развитой физико-химической теории усталостного разрушения. Много численные теории усталости, однако, имеют одну общую идею которая сводится к следующему. Фактором, определяющим уста лостное разрушение, является возвратно-поступательное движе ние скользящих дислокаций, их взаимодействие между собой с дислокациями леса и разного рода дефектами решетки. Эффекты возникающие при этом (аннигиляция вакансий, коагуляция ва кансий, осаждение вакансий на вершины микропор и т. д.), спо собствуют зарождению трещины усталости, ее развитию и последу ющему разрушению. [c.203]

Известно, что при быстром охлаждении от температур около 1300° на поверхпости таких металлов, как никель, в значительной степени сохраняется динамический беспорядок [88] и при закалке может образоваться большое число ( 1 на 10 частиц) неравновесных ваканси . Исходя из этого, Робертсон пришел к выводу, что процесс скопления точечных дефектов (как вакансий) является важным фактором в процессе возникновения каталитической сверхактивности. Хотя Робертсон не поясняет, как именно вакансия или группа вакансий могут играть роль активного центра , полученные им результаты можно убедительно пояснить, исиользуя представления об особой активности вакансий. Быстрое исчезновение сверхактивности, которое происходит нри разложении муравьиной кислоты, можно объяснить тем, что в ходе каталитической реакции поверхностные атомы металла становятся подвижными. Иными словами, реакция сама приводит к аннигиляции активных центров, и необходимо некоторое время, чтобы в горячей проволоке, помещенной в вакуум, в резу,пьтате процесса диффузии произошла миграция новых вакансий из объема к поверхности. (Регенерация же сверхактивности в вакууме является медленным процессом [87].) Выполненные Гуотми [77—79] исследования морфологии поверхности подтверждают существование особой подвижности поверхностных атомов во время иротекания каталитического процесса. [c.235]

Результаты, полученные Ухара [67—70], подтверждают данные Робертсона, так как они показывают, что происходит заметное уменьшение каталитической активности никелевой проволоки, подвергнутой холодной обработке, если провести отжиг этой проволоки в диапазоне температур 200— 400°. Согласно Клареброу [73—76], при отжиге именно в этой области температур наблюдается аннигиляция вакансий на поверхности подвергнутой холодной обработке никелевой проволоки. [c.235]

Известно, что в вакуумноосажденных пленках появляются сильные упругие напряжения. Так, Мюрбах и Уильман [233] измерили напряжения при температуре осаждения, которые элиминируют напряжения, генерированные за счет различия в термическом расширении между подложкой и осадком в процессе охлаждения до комнатной температуры. Указанные напряжения могут превосходить нормальные напряжения объемного металла. Источник подобных напряжений не очень ясен, однако Стори и Гоффман [254] предположили, что они являются следствием вакансии решетки и промежуточных атомов, образованных в процессе осаждения. Они провели опыты по отжигу осажденных пленок и обнаружили пики отжига, которые они объяснили аннигиляцией вакансии. [c.187]

Но система, к которой должен относиться этот расчет, не может быть ни МО/О, ни МО/М (пар), которые используют для определения энергии активации самодиффузии в полупроводниках л-типа. Это должна быть система МО/М (металл), и полное уравнение реакции на внутренней границе раздела (в которую для упрощения включены стадии образования и аннигиляции вакансий в металле) отражает процесс формирования дефектов в фазе МО на контакте с металлом в твердой фазе. Поэтому необходимо припи- [c.366]

В целом можно отметить, что для металлов группы железа рост поляризации и увеличение количества выделяющегося водорода приводят к возрастанию внутренних напряжений растяжения. Обычно с напряжениями растяжения осаждаются железо, никель, кобальт, марганец, хром, сурьма, галлий, медь. Возникновение напряжений растяжения связано со сжатием осадка в процессе электролиза. Последнее может быть обусловлено уменьшением размеров зерен при их формировании, что возможно, например, в результате вухода имеющихся в кристалле вакансий и дислокаций на границы зерен либо аннигиляции дефектов. [c.44]

С образованием зеленых и синих центров свечения. Подобного рода процессы происходят и в закаленных ZпS-Ag-фo ф6pax. Отжиг быстро охлажденных сульфидных фосфоров приводит также к резкому ослаблению упоминавшейся ранее краевой люминесценции. Предполагается, что это связано с аннигиляцией пар вакансий [106]. [c.170]

О роли некоторых кинетических факторов. Выше предполагалось, что при достаточно быстром охлаждении кристаллофосфора концентрации атомных дефектов остаются без изменения. Однако опыт показывает, что полное замораживание высокотемпературного равновесия, как правило, неосуществимо. Это объясняется сравнительно малой теплопроводностью фосфоров и большой скоростью диффузии ряда дефектов. Продолжительность охлаждения фосфоров мало зависит от температуры, тогда как скорость диффузии увеличивается с ростом ее экспоненциально. Особенно быстро происходит диффузия собственных дефектов, приводя прежде всего к аннигиляции междоузельных атомов с соответствующими вакансиями, а также к ассоциации вакансий и выходу их на дислокации, к снижению концентрации тепловых дефектов по Шоттки и к уменьшению отклонений от стехиометрического состава. Это проявляется, например, в том, что по достижении некоторой критической температуры Г рит дальнейшее повышение температуры прокаливания ряда бинарных соединений не изменяет определяемой по электропроводности растворимости в них избытка элементов, образующих эти соединения [90]. На самом деле, конечно, растворимость изменяется, однако измерения при комнатной температуре фиксируют одно и то же состояние, отвечающее Гкрит — температуре, при которой диффузия собственных дефектов замедляется настолько, что дальнейшее изменение концентрации их при охлаждении не происходит . Уменьшение отклонений от стехиометрического состава в процессе охлаждения приводит к расширению области давлений паров серы (цинка или кадмия), при которых образуются кристаллы ZnS и dS с низкой электропроводностью. Это еще один фактор, затрудняющий получение сульфидов с р-проводи-мостью. [c.206]

В. Е. Лашкаревым и Ю. И. Карханиным [41] показано, что инфракрасная люминесценция закиси меди происходит при аннигиляции экситонов на незаполненных акцепторных уровнях, обусловленных вакансиями меди. В связи с этим очевидно, что изменение поверхностного изгиба зон ведет к изменению числа незаряженных акцепторов на поверхности и в приповерхностной области. Последнее должно привести к изменению интенсивности люминесценции. [c.31]

На рис. 2.9 показан возможный способ перегруппировки с образованием структур сдвига в решетке типа КеОз(Воэ). Эта решетка состоит из кислородных октаэдров, центры которых заняты металлическими ионами. Непрерывность решетки достигается обобществлением вершин соседних октаэдров. Под воздействием напряжения сдвига часть структуры может сместиться так, что соседние октаэдры будут связаны между собой не только вершинами, но и ребрами. За счет уплотнения структуры в параллельных плоскостях соотношение М О увеличивается. В зависимости от направления гипотетической скалывающей силы плоскости скола могут иметь различные индексы. Для структур Вод характерно образование гомологического ряда М Озп-1 с п = 8, 9, 10, 11, 12 и 14, отдельные гомологи которого отличаются лишь частотой повторения плоскостей сдвига. Естественно задать вопрос, каковы реальные диффузионные процессы, приводящие к образованию структуры сдвига. В модели Гадо [47] предполагается, что анионные вакансии, возникающие при потере кислорода, упорядочиваются в стенки, вдоль которых происходит кристаллографический сдвиг с аннигиляцией вакансий. Поскольку аннигиляция вакансий может происходить лишь при высокой концентрации (для реакции 20ШО з—>- 2о059+ /гОг плотность вакансий должна составлять 3,7%), сдвигу должно противодействовать образование сверхструктуры, что часто наблюдают экспериментально. [c.104]

К числу дифференциальных методов оценки активного состояния твердых фаз можно отнести (хотя и с известными оговорками) также методы измерения истинной теплоемкости и усадки порошкообразных прессовок в процессе, непрерывного нагревания, метод поверхностной метки и метод измерения свободной поверхности порошкообразных образцов. Применение первого из них основано на сопоставлении кривых Ср=((Т) для твердой фазы, находящейся в активном и нормальном состояниях. Метод особенно информативен, когда переход из активного состояния в нормальное происходит в несколько стадий в процессе калориметрического нагревания. В этом случае сопоставление кривых первого нагрева с последующими позволяет выявить область температур, при которых аннигилируют дефекты, измерить тепловой эффект отжига дефектов и их относительную стабильность в решетке. Разумеется, тип дефектов, ответственных за различия Ср, должен прогнозироваться, исходя из природы исследуемых фаз, или устанавливаться независимыми методами. Метод измерения Ср при непрерывном нагревании был с успехом использован для изучения закалочных эффектов, обусловленных аннигиляцией точечных дефектов типа вакансий, внедренных ионов или антиструктурных дефектов, а также полиморфных превращений в сплавах [46], оксидах [47] и солях [48]. Калориметрический метод оказался эффективен и при изучении механически активированных твердых фаз, например, холоднодеформированных металлов. Отпуск по- [c.228]

В зависимости от типа дефектов переход атомов между кристаллом и соседней фазой описывается различныд1и способами. Например, переход атомов из твердого соединения AfiB, в пар с образованием и аннигиляцией вакансий записывается следующим образом [c.329]

В случае первой модели предполагается, что анионные вакансии, появляющиеся при потере кислорода, упорядочиваются в стенки, вдоль которых происходит кристаллографический сдвиг с аннигиляцией вакансий. Поскольку аннигиляция вакансий может происходить лишь при высокой концентрации последних (для реакции 20 0з W2o059 + /2О2 плотность вакансий составляет 3,7 %), сдвигу должно противодействовать образование сверхструктуры, что часто наблюдают экспериментально. [c.142]

Влияние дислокаций на электрические свойства ионных кристаллов [55, 56] проявляется в увеличении ионной проводимости при пластическом деформировании материала и возникновении электрического потенциала на поверхности деформируемых образцов в отсутствие внешнего электрического поля (эффект Степанова). Первый эффект связан как с переносом заряда дислокациями, так и с увеличением концентрации носителей заряда. При напряжениях выше предела текучести возрастание проводимости определяется главным образом вакансиями и меж-узельными атомами, возникаюнщми при движении дислокаций и их аннигиляции, в процессе пластического деформирования. Перенос заряда дислокациями и появление электрического потенциала на поверхности деформированных образцов при отсутствии внешнего электрического поля связывается с существованием заряженных ступенек на движущихся в ионных кристаллах дислокациях. Механизмы их возникновения могут быть довольно разнообразны, а состояние и поведение дислокационных зарядов сильно зависят от типа дислокаций, содержания примесей, температуры и т. д. В последние годы были развиты методы оценки плотности заряда на индивидуальных дислокациях. В работах [57, 58] с помощью метода избирательного химического травления удалось наблюдать движение отдельных дислокаций под действием внешнего электрического поля. И.чмерив [c.252]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология