Зародышеобразование при разрушении поверхности частиц

Процесс зародышеобразования может быть значительно ускорен, если в раствор, находящийся в метастабильной области Ма, ввести затравку из мелких кристаллов растворенного вещества. Возникновение и рост новых центров кристаллизации инициируется затравочными кристаллами. По-видимому, это обусловлено частичным разрушением поверхности затравочного кристалла, отслоением пылинок, находящихся на его поверхности [42]. Следует учитывать также тот факт, что на поверхности водорастворимых частиц существует слой раствора с ограниченной подвижностью и концентрацией, значительно превышающей равновесную (более подробно этот вопрос будет рассмотрен в главе 4). Это значит, что вблизи поверхности затравочного кристалла образуются участки раствора, находящегося в метастабильной зоне Мз или лабильной области I, где образование зародышей происходит достаточно быстро. [c.49]

Процессы, происходящие при образовании и кристаллизации щелочных силикаалюмогелей, в самых общих чертах рассмотрены на приведенной схеме. По нашим представлениям, образование структурных блоков зародышей кристаллов происходит в растворе в результате реакций поликопденсации между силикатными, алюминатными и алюмо-силикатными ионами. Образовавшиеся в результате сочетания этих блоков зародыши кристаллов осаждаются на поверхности раздела фаз гелей (на поверхности частиц скелета), и их дальнейший рост происходит за счет компонентов жидкой фазы. Это приводит к обеднению раствора силикатными, алюминатными и алюмосиликатными ионами. Растворение твердой аморфной фазы силикаалюмогелей в процессе кристаллизации должно продолжаться до полного перехода ее компонентов в раствор и через раствор в кристаллическую фазу. При этом в аморфном скелете гелей в некоторых случаях могут также присутствовать готовые структурные блоки образующихся кристаллов, которые при разрушении скелета переходят в раствор вместе с простейшими ионами, что должно способствовать ускорению процесса зародышеобразования с ростом скорости растворения скелета. [c.25]