Зонная схема свечения кристаллофосфоров

Рис. 5. Зонная схема кристаллофосфора с двумя типами центров свечения К — центр свечения, не имеющий возбужденного уровня в запрещенной зоне L — центр свечения, возбужденный уровень которого лежит запрещенной зоне I — электронный переход при поглощении возбуждающего излучения основной решеткой 2, 3 — центрами свечения 4, 5 — при излучении

Рис. 5 даёт схему расположения энергетических зон кристалла и простейшую схему свечения кристаллофосфоров А—нижняя заполненная зона, В—верхняя зона проводимости, а—уровни активатора, Ь—местные локальные уровни около полосы проводимости, вызванные неправильностями решётки, особенно внедрением активатора. [c.35]

Зонная схема рекомбинационного свечения кристаллофосфоров [c.508]

Рис. 8. Зонная схема (а) и спектр излучения (б) кристаллофосфора с центрами свечения двух типов (Л и В) и электронной ловушкой (О)

ЗОННАЯ СХЕМА СВЕЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОФОСФОРОВ [c.331]

Общее описание кинетики свечения кристаллофосфоров в рамках зонной теории. В 8 была рассмотрена общая упрощенная схема свечения кристаллофосфоров на основе зонной теории полупроводников. В реальных случаях эта схема сильно усложняется однако пока, для обсуждения общего [c.331]

Приведенная схема объясняет сложный временной и спектральный характер свечения кристаллофосфора. Действительно, такие процессы, как 4- 4 (поглощение) и 4 - 4 (излучение), приводящие к флуоресценции, должны отличаться малой длительностью (порядка 10" сек) и давать кратковременную составляющую часть излучения. В состав кратковременного свечения могут также вносить свой вклад процессы, связанные с переходами 1 2 (поглощение), и рекомбинация свободных электронов, не претерпевших локализации на уровнях локализации или претерпевших локализацию, но на очень мелких ловушках 2 - 4 (через промежуточное состояние 2 - 4 ). Длительное свечение кристаллофосфоров может быть связано с рекомбинацией электронов из зоны проводимости с дырками на уровнях активаторов, но претерпевших локализацию на ловушках достаточной глубины. Такие процессы могут быть сильно затянуты во времени (до нескольких секунд, минут, суток). [c.66]

Процесс возбуждения и свечения кристаллофосфоров может быть представлен схемами, приведенными на рис. 2. При поглощении кванта света /zv электрон из валентной зоны А переходит на соответствующий подуровень зоны проводимости В, оставляя в заполненной зоне положительный заряд— дырку (белые кружки на рис. 2). Этот переход изображен в схеме I стрелкой 1. Обе энергетические зоны становятся теперь частично заполненные и поэтому оба заряда способны перемещаться по кристаллической решетке независимо друг от друга. Для достижения термического равновесия при комнатной температуре требуется около 10" сек. За это время электрон падает на самый низкий из подуровней зоны проводимости (переход 2), а дырка всплывает на [c.14]

Об основных допущениях теории длительного свечения кристаллофосфоров. Выше были описаны основные представления о развитии процессов свечения кристаллофосфоров в рамках зонной теории полупроводников. Общая принципиальная схема процессов свечения кристаллофосфорок на основании изложенных данных сводится к следующему причиной появления свободных электронов в кристалле служит внутренний фотоэлектрический эффект, возникающий при возбуждении далее следует локализация части выделившихся электронов в отдельных местах решётки, что является необходимым звеном для возникновения длительного послесвечения наконец, освобождение локализованных электронов и их рекомбинация с ионизованными центрами составляют заключительный этап длительного свечения. Однако в настоящее время не существует ещё установленной точки зрения на характер всех этих процессов, существенных для построения теории свечения. [c.339]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология